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專利名稱：模組化測試頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測試裝置，即模組化測試頭，尤其是涉及一種可以應(yīng)用在液晶顯示器(LCD)等產(chǎn)業(yè)的測試裝置，然而，本發(fā)明測試裝置并不限定于應(yīng)用在LCD產(chǎn)業(yè)，其他只要能用到測試的領(lǐng)域，皆屬本發(fā)明應(yīng)用的范圍。
在如

圖1所示的一種傳統(tǒng)探針總成示意圖中，其中一根一根細(xì)細(xì)的探針(needle)12被直接固定在一基座14上。該傳統(tǒng)探針12的放大示意圖如圖2所示，這些傳統(tǒng)探針12實際上是一片一片的，但厚度很薄，傳統(tǒng)探針12從側(cè)面看起來在該探針的本體上有部分16是掏空的，以減少各探針12之間產(chǎn)生電容效應(yīng)。如果將圖2那部分掏空的探針12疊加起來，就成為圖1所顯示的傳統(tǒng)探針總成。該具有探針總成12的傳統(tǒng)測試頭，常被用于測試液晶顯示面板(LCD panel)。
上述傳統(tǒng)的測試頭在損壞時必須維修后才可使用，舉例來說，各探針12之間太密集，因而在探針的縫隙中會有污染粒子存在必須清除，而且在多次使用以后，各個探針12會彎曲變形，因而在測試時會發(fā)生接觸不良的情形，所以在使用前需要將該探針“整型”，此外，傳統(tǒng)測試頭在維修時必須將整個測試頭(包括基座)送回原廠，且維修費(fèi)用較高，使得維護(hù)保養(yǎng)(maintain)也不方便。
綜上所述，傳統(tǒng)測試頭的做法與缺點(diǎn)大致有如下幾點(diǎn)一.對一般測試領(lǐng)域而言，傳統(tǒng)測試頭(Probe Block)是由探針?biāo)M成。
二.傳統(tǒng)測試頭因用探針作電性傳導(dǎo)，其導(dǎo)電性能較差。
三.傳統(tǒng)測試頭在維修時必須將整個測試頭(包括基座)送回原廠，且維修費(fèi)用較高，使得維護(hù)保養(yǎng)(maintain)也不方便。
四.傳統(tǒng)測試頭一般是以機(jī)械加工的方式制造，因機(jī)械加工精密度極限的存在，所以其探針與探針的間距較大，不符合輕、薄、短、小的技術(shù)發(fā)展趨勢。
五.傳統(tǒng)測試頭的探針在探針頭的地方是一種傾斜的構(gòu)造，使得使探針與測試墊之間的接觸良好，如圖2所示。然而，在進(jìn)行測試時，下壓的力量會因為該傾斜構(gòu)造而分別產(chǎn)生垂直與水平的分力，其中的水平分力會在測試墊(Pad)上產(chǎn)生很大的磨刮力，而且這種水平磨刮(scrub)的方式對測試墊(Pad)的傷害較大，因而使該測試頭的可重測次數(shù)減少，且測試墊(Pad)接合性較差，不利于后面的制程。
本發(fā)明的目的是為了解決以上所述的缺點(diǎn)，提供一種模組化測試頭，其具有與測試墊接觸良好，導(dǎo)電性能好，維護(hù)保養(yǎng)方便的功能，符合輕、薄、短、小的科技發(fā)展趨勢。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為一種模組化測試頭，該模組化測試頭包括一懸吊總成和一高密度轉(zhuǎn)接線總成，該高密度轉(zhuǎn)接線總成至少包含一第一設(shè)備，該第一設(shè)備具有多個靈敏測試裝置；一第二設(shè)備，該第二設(shè)備對該第一設(shè)備提供測試信號；該懸吊總成包括一第三設(shè)備，該第三設(shè)備懸吊第一設(shè)備和該第二設(shè)備。
所述第一設(shè)備上的測試裝置的端部設(shè)有多個薄膜凸塊。
所述第一設(shè)備上設(shè)有多個緩沖墊，該緩沖墊分別設(shè)置在所述薄膜凸塊下。
所述第三設(shè)備包括一第一懸吊座、一第二懸吊座及一第三懸吊座，該第一懸吊座、第二懸吊座和第三懸吊座按順序由下而上排列。
所述第三設(shè)備上設(shè)有彈簧。
所述彈簧配置在該第二懸吊座與該第三懸吊座之間。
所述第三設(shè)備上設(shè)有一螺絲，該螺絲設(shè)置在該第二懸吊座與第三懸吊座之間并連接該第二懸吊座與第三懸吊座。
所述設(shè)置在第二懸吊座和第三懸吊座之間的螺絲可調(diào)節(jié)該第二懸吊座和第三懸吊座之間的距離。
所述第三設(shè)備包括一套蓋裝置，該套蓋裝置配置在該第一設(shè)備和該第二設(shè)備上。所述第二設(shè)備包括一驅(qū)動集成電路裝置。
所述第二設(shè)備還包括一電路連接裝置，該電路連接裝置電性連接該第一設(shè)備與第二設(shè)備。
所述第二設(shè)備還包括一軟板電路總成，該軟板電路總成電性連接該第一設(shè)備與第二設(shè)備。
所述高密度轉(zhuǎn)接線總成包含第一設(shè)備和第二設(shè)備，該第二設(shè)備包含，一驅(qū)動集成電路裝置，一電路連接裝置，一軟板電路總成；該第一設(shè)備包含一電路裝置，該電路裝置上設(shè)有多個測試裝置；該驅(qū)動集成電路裝置電性連接該電路裝置，該軟板電路總成連接該驅(qū)動集成電路裝置；該電路裝置與該驅(qū)動集成電路裝置可配置在所述第三設(shè)備上。
所述電路裝置上設(shè)有多個導(dǎo)電薄膜凸塊，并在該每個導(dǎo)電薄膜凸塊下相應(yīng)地設(shè)有一緩沖墊。
所述電路連接裝置為第一高密度轉(zhuǎn)接線裝置，所述電路裝置為第二高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
所述第三設(shè)備上設(shè)有一固定第二懸吊座行程軌跡的線性軸承。
該種模組化測試頭中的高密度轉(zhuǎn)接線測試總成的制造方法為首先提供一基板，再在該基板上涂布一層高分子膜，將該高分子膜定義出多個緩沖墊，并在該基板和該緩沖墊上形成金屬線路，再在該金屬線路上形成金屬凸塊，制得該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成。
其中該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成中第二設(shè)備包括的電路連接裝置的制造方法為提供一基板，在該模板上以旋轉(zhuǎn)涂布方式在該基板上涂布一層高分子膜，以電鍍的方式在該高分子膜上形成一層金屬層，并在該金屬層上形成一層光阻圖案，以電鍍的方式在未被該光阻圖案覆蓋的該金屬層上成長出金屬線路，形成該第一高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
其中該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成中第一設(shè)備包括的電路裝置的制造方法為提供一基板，以旋轉(zhuǎn)涂布方式在該基板上涂布一層高分子膜，對該高分子膜進(jìn)行高溫?zé)炯靶D(zhuǎn)涂布，利用曝光顯影技術(shù)將該高分子膜定義出多個緩沖墊，對該基板進(jìn)行高溫?zé)荆詼\鍍的方式在該基板和該組緩沖墊上形成一層金屬導(dǎo)電層，用微影蝕刻技術(shù)定義該金屬導(dǎo)電層，并在該基板和該些緩沖墊上定義導(dǎo)線圖案，用電鍍方式在該導(dǎo)電圖案上形成金屬線路，用微影蝕刻技術(shù)在該線路上定義出凸塊圖案，再用電鍍方式形成金屬凸塊，形成該第二高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
將本發(fā)明與先前技術(shù)比較分析，可得知本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn)一.對一般測試領(lǐng)域而言，傳統(tǒng)測試頭(Probe Block)是由探針組成，本發(fā)明測試頭則由薄膜(membrane)組成。
二.傳統(tǒng)測試頭因由探針作電性傳導(dǎo)，其電性傳導(dǎo)能力較差；本發(fā)明的測試頭因為是薄膜結(jié)構(gòu)，可獲得較佳的電性傳導(dǎo)。
三.傳統(tǒng)測試頭其維修必須將整個測試頭(包括基座)送回原廠，且維修費(fèi)用較高，維護(hù)保養(yǎng)(maintain)也不方便，本發(fā)明的測試頭其導(dǎo)電薄膜部分可作為一種消耗性元件，所以可在生產(chǎn)檢測現(xiàn)場直接更換。
四.傳統(tǒng)測試頭其探針與探針的間距較大，不符合輕、薄、短、小的發(fā)展趨勢，本發(fā)明的測試頭，其制造與半導(dǎo)體廠(Fab)的集成電路(IC)制造相接近，是使用微影蝕刻等技術(shù)完成的，所以所制得的凸塊(Bump)與凸塊(Bump)之間的間距可以很小(fine pitch)，小到甚至用肉眼無法辨別，符合輕、薄、短、小的發(fā)展趨勢。
此外，由于本發(fā)明設(shè)計上是以微影蝕刻等先進(jìn)技術(shù)制造所要的凸塊，所以其線路間距應(yīng)用不再受傳統(tǒng)機(jī)械的限制，有達(dá)到極細(xì)微的可能。
同時由于科技化的趨勢朝輕、薄、短、小的方向發(fā)展，未來電子產(chǎn)品線路間距將逐步縮小，現(xiàn)已達(dá)到0.13微米的境界，而本發(fā)明的特點(diǎn)即在于根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢，制造出符合現(xiàn)有及未來微細(xì)線路的需求，且不需增加多大成本。
五.傳統(tǒng)測試頭的探針對液晶顯示面板(待測物)上的測試墊(pad)傷害大，導(dǎo)致測試頭可重測次數(shù)少，且測試頭使用到后來與測試墊(Pad)接合性變差，影響檢測結(jié)果，而本發(fā)明提供的模組化測試頭，其凸塊(bump)是以垂直下壓的方式作用在測試墊(Pad)上，所以其傷害小，可重測次數(shù)多，精確度高。
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述圖1為傳統(tǒng)測試頭的一種探針總成示意圖；圖2為傳統(tǒng)測試頭的探針的放大示意圖；圖3為本發(fā)明提供的模組化測試頭的一種實施方式的立體示意圖；圖4為本發(fā)明提供的模組化測試頭的立體分解示意圖；圖5和圖6為本發(fā)明提供的模組化測試頭的第一高密度轉(zhuǎn)接線(High DensityInterconnection；HDI)裝置的制造流程的一種實施方式的剖面示意圖；圖7和圖8為本發(fā)明提供的模組化測試頭的第二高密度轉(zhuǎn)接線(High DensityInterconnection，HDI)裝置的制造流程的一種實施方式的剖面示意圖；圖9為本發(fā)明提供的模組化測試頭的剖面示意圖。
如圖3所示，該模組化測試頭分成兩個部分，其中一部份是高密度轉(zhuǎn)接線總成(High Density Interconnect unit；以下簡稱HDI總成)600，另一部分則是懸吊總成(suspension unit)300。
如圖3和圖4所示，懸吊總成300的組件可分為(1)懸吊裝置(Suspension Stage)350，是一種支撐用的結(jié)構(gòu)，用以懸吊驅(qū)動IC裝置200與第二HDI裝置100。該懸吊裝置350由上而下依次包括一第一懸吊座(Suspension I)310、一第二懸吊座(Suspension II)320、以及一第三懸吊座(Suspension III)330。此外，該懸吊裝置350設(shè)有線性軸承(Linear guide)322、彈簧(spring)302，以及保護(hù)蓋(protect cover)340。其中，彈簧302在進(jìn)行測試時，提供下壓行程所需要的力，確保HDI總成600上的凸塊(bump)102與待測物0的測試墊P(pad)緊密接觸。另外線性軸承322保證下壓行程的精確度，使其不會使凸塊102與待測物線路有偏移或?qū)Σ粶?zhǔn)的情形。換句話說，線性軸承322確保下壓行程中仍能有直線運(yùn)動，沒有偏斜，以便保證凸塊(Bump)102可定在待測物線路(Trace)上。
如圖3和圖7所示，其中圖7為本發(fā)明實施例提供的一種模組化測試頭的剖面示意圖。根據(jù)該圖式，懸吊裝置350包括螺絲304，用以調(diào)整整個懸吊裝置350在X-Y平面上的偏移量，當(dāng)?shù)诙﨟DI裝置100的凸塊102與待測物線路有微量偏移時可進(jìn)行微調(diào)。
該懸吊裝置350中包括有一行程螺絲(travel screw)304，用于調(diào)整出一個位于第二懸吊座320和第三懸吊座330之間的空間，以吸收在待測機(jī)臺有故障時產(chǎn)生的過度行程(over travel)。由于第三懸吊座330前端底部設(shè)有一停止器(Stopper)353，可使過度行程的吸收得到控制，以便第二HDI裝置100的凸塊102與待測物免受破壞。
(2)高密度轉(zhuǎn)接線套蓋(HDI cover，以下簡稱HDI套蓋)360，是一種可置換式的模組結(jié)構(gòu)，且配置在本發(fā)明的第二HDI裝置100與驅(qū)動IC裝置200上。該HDI套蓋360上還具有導(dǎo)孔(Guide Hole)362，可配合第一懸吊座310底部的導(dǎo)針312，對懸吊裝置(Suspension Stage)350起定位作用。
如圖3所示，HDI總成600則可分為(1)第一高密度轉(zhuǎn)接線裝置(以下簡稱第一HDI裝置)400，或稱界面(interface)轉(zhuǎn)接板，用于電性連接第二HDI裝置100與驅(qū)動集成電路IC裝置200。
(2)第二高密度轉(zhuǎn)接線裝置(以下簡稱第二HDI裝置)100，其具有多個檢測裝置，例如是多個向下垂直于水平面的配置在前端的凸塊102，此外，第二HDI裝置100內(nèi)可形成有多個緩沖墊104，如圖8所示，分別對應(yīng)并配置在每個上述的凸塊102上，當(dāng)凸塊102接觸到不平整的待測物線路時，仍能保持良好的接觸效果。
(3)驅(qū)動集成電路裝置(Driver IC或Tape Carrier Package；TCP，以下簡稱驅(qū)動IC裝置)200，對第二HDI裝置提供測試的信號。此外，該驅(qū)動IC裝置200與所述第二HDI裝置100，與第一HDI裝置400作電性連接，配置在該驅(qū)動IC裝置200與第二HDI裝置100上的則是懸吊總成300。
(4)軟板電路總成502、504，電性連接驅(qū)動IC裝置200，可分為軟板電路(Flexible Printed CircuitFPC)502，和軟板電路轉(zhuǎn)接頭(FPCChangeable Head，以下簡稱FPC轉(zhuǎn)接頭)504。
所述各種HDI裝置100、400的設(shè)計，以及它們彼此或它們與驅(qū)動IC裝置200之間連接方式的設(shè)計，其最終目的，都是為了使本發(fā)明測試頭的HDI總成600為一種可置換的HDI總成，使其得以搭配各種不同懸吊裝置300。本發(fā)明提供的模組化測試頭同時可用在不同探針(pin)數(shù)、間距(pitch)數(shù)的檢測，所以在更換產(chǎn)品時，只須更換HDI總成600即可。
如圖5和圖6所示，一種第一HDI裝置的制造流程剖面示意圖。請參照圖5，首先提供一玻璃基板(glass substrate)405，接著在清洗玻璃基板405之后，以旋轉(zhuǎn)涂布的方式涂一層感光性高分子膜，成形后再經(jīng)過高溫?zé)?Curing)得到所要的高分子保護(hù)膜(polymer passivation layer)406，或稱高分子絕緣層(polymer insulation layer)。然后，以淺鍍的方式打一層金屬層，在該金屬層上再涂一層光阻層，并經(jīng)曝光顯影后定義出線路圖案414，接著，再以電鍍的方式生產(chǎn)出金屬線路408來，最后再去除光阻，如圖6所示。
如圖7和圖8所示，一種第二HDI裝置的制造流程剖面示意圖，其中第二HDI裝置100與第一HDI裝置400(圖5)的差異在于第二HDI裝置100具有凸塊(bump)102與緩沖墊(buffer pad)104。
如圖7所示，首先提供一玻璃基板(glass substrate)105。接著在清洗玻璃基板105后，以旋轉(zhuǎn)涂布的方式涂一層感光性高分子膜(polymer)106，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)及旋轉(zhuǎn)涂布，然后再利用曝光顯影等技術(shù)將該高分子膜定義出緩沖墊(Buffer pad)104。
經(jīng)高溫?zé)?Curing)后，以淺鍍的方式形成一層金屬導(dǎo)電層，然后涂布一層光阻并以微影制程定義其圖案(pattern)114a，接著以電鍍方式形成金屬線路108。
金屬線路108形成后再以微影方式定義出凸塊(bump)圖案，并以電鍍方式形成金屬凸塊102。最后再去除光阻圖案114b、并進(jìn)行切割，即可以得到第二HDI裝置100，其另一剖面示意圖如圖8所示。
如圖9所示，第二HDI裝置100的凸塊102是以垂直下壓的方式和待測物的測試墊接觸，不會像傳統(tǒng)的探針，如圖2所示，會在測試墊上產(chǎn)生水平磨刮(scrub)，所以本發(fā)明對測試墊傷害的程度也就減少。
關(guān)于傳統(tǒng)探針?biāo)侥ス蔚那樾危鐖D2所示，其中傳統(tǒng)探針12在探針頭的地方具有一種傾斜的構(gòu)造17，以使探針12與測試墊間的接觸良好。然而，在進(jìn)行測試時，下壓的力量會因為該傾斜構(gòu)造17而分別產(chǎn)生垂直與水平的分力19、18，其中的水平分力18會使測試墊(Pad)上刮傷較大面積，這種水平磨刮(scrub)的方式對測試墊(Pad)的傷害較大，因而可重測次數(shù)較少。本發(fā)明提供的模組化測試頭如圖9所示。其凸塊(Bump)102是以垂直下壓的方式作用在測試墊(Pad)上，所以其傷害小，可重測次數(shù)多，且測試墊(Pad)接合特性較佳，較利于后制造。
如圖8所示，其所顯示的為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種第二HDI裝置100的剖面示意圖，其中的緩沖墊(Buffer Pad)104具有一種細(xì)部緩沖的效果。現(xiàn)將其與傳統(tǒng)探針做一比較如圖2所示，傳統(tǒng)探針12的放大示意圖。傳統(tǒng)探針12探針頭具有一種傾斜構(gòu)造17，使探針頭具有彈性。然而，這種傾斜構(gòu)造17易在測試墊上造成水平方向的磨刮(Scrub)，因此，本發(fā)明提供一種彈性機(jī)制，就是圖8中的緩沖墊104，以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的彈性機(jī)制。
而且，在凸塊制造中出來的各個測試凸塊102(如圖8)，高低可能很難完全相同，或者待測物線路本身高低并不平整，因此本發(fā)明的緩沖墊104可吸收這種高低誤差的功能。換句話說，即待測物本身線路，或本發(fā)明凸塊102有高低不平整的情形，通過本發(fā)明提供的模組化測試頭中的緩沖墊104，仍能使該些凸塊102在測試時達(dá)到良好接觸的效果，進(jìn)而保證本產(chǎn)品在進(jìn)行測試時，每個凸塊102都能與待測物有良好接觸。
應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供的每個凸塊102不但可以和測試墊有平整接觸，而且是一種很良好的接觸；事實上，在進(jìn)行測試時，除了凸塊102垂直下壓的力量外，待測物也會受力而向上頂，以保證與測試凸塊102有良好接觸。為了吸收這股向上頂?shù)牧α浚景l(fā)明的懸吊總成300設(shè)置了彈簧302(一種避震裝置)，如圖4所示，設(shè)置在第二懸吊座320和第三懸吊座330之間。因為可吸收較精細(xì)行程，所以在第二懸吊座320和第三懸吊座330中可提供較多的犧牲空間來供彈簧吸收。
此外，本發(fā)明可大量應(yīng)用于例如液晶顯示器等產(chǎn)品制造中的檢測，其中包含了薄膜電晶體(Thin Film Transistor，以下簡稱TFT)、超扭轉(zhuǎn)向列式(SuperTwist Nematic，以下簡稱STN)型等的液晶顯示制品；也可廣泛用于微細(xì)線路須進(jìn)行電性檢測的產(chǎn)品。
本發(fā)明提供的模組化測試頭可調(diào)整探針(pin)數(shù)，以及探針的間距(pitch)數(shù)據(jù)修正，所以沒有探針間距(pitch)上的限制。配合不同的探針數(shù)，更換懸吊裝置中的彈簧，即可達(dá)到因不同探針數(shù)而需要的不同彈力。另外，本發(fā)明提供的模組化測試頭，不僅可用于不同的探針數(shù)、不同間距數(shù)的被測物上，也可用在相同間距，但不同探針數(shù)的檢測上，只要更換HDI總成即可使用。
而且，本發(fā)明結(jié)構(gòu)不復(fù)雜，其模組化的設(shè)計使磨耗性的消耗元件直接得以更換，所以可大量降低成本。這些成本包括初期投資成本、維護(hù)成本、使用元件庫存成本、生產(chǎn)維護(hù)人力成本、待機(jī)時間及待機(jī)成本。
總之，近來的科技產(chǎn)品，輕、薄、短、小、省能源已成為設(shè)計的追求，例如液晶顯示器(LCD)，也是為了能滿足這種需求而產(chǎn)生的，且大量應(yīng)用到電腦、電視、移動電話…等等之中，所以為了確認(rèn)像液晶顯示器等產(chǎn)品的品質(zhì)，在生產(chǎn)過程中應(yīng)達(dá)到質(zhì)量要求，所以在某些生產(chǎn)線上，有檢測產(chǎn)品的必要。因此，利用本發(fā)明提供的測試頭的HDI總成，可適用多種懸吊總成。此外，本發(fā)明測試頭，也可用來檢測，故不但維修容易，且可節(jié)省維修時間和維修費(fèi)用。
權(quán)利要求
1.一種模組化測試頭，其特征在于該模組化測試頭包括一懸吊總成和一高密度轉(zhuǎn)接線總成，該高密度轉(zhuǎn)接線總成至少包含一第一設(shè)備，該第一設(shè)備具有多個靈敏測試裝置；一第二設(shè)備，該第二設(shè)備對該第一設(shè)備提供測試信號；該懸吊總成包括一第三設(shè)備，該第三設(shè)備懸吊第一設(shè)備和該第二設(shè)備。
2.如權(quán)利要求1所述的模組化測試頭，其特征在于所述第一設(shè)備上的測試裝置的端部設(shè)有多個薄膜凸塊。
3.如權(quán)利要求2所述的模組化測試頭，其特征在于所述第一設(shè)備上設(shè)有多個緩沖墊，該緩沖墊分別設(shè)置在所述薄膜凸塊下。
4.如權(quán)利要求1所述的模組化測試頭，其特征在于所述第三設(shè)備包括一第一懸吊座、一第二懸吊座及一第三懸吊座，該第一懸吊座、第二懸吊座和第三懸吊座按順序由下而上排列。
5.如權(quán)利要求1所述的模組化測試頭，其特征在于所述第三設(shè)備上設(shè)有彈簧。
6.如權(quán)利要求5所述的模組化測試頭，其特征在于所述彈簧配置在該第二懸吊座與該第三懸吊座之間。
7.如權(quán)利要求4所述的模組化測試頭，其特征在于所述第三設(shè)備上設(shè)有一螺絲，該螺絲設(shè)置在該第二懸吊座與第三懸吊座之間并連接該第二懸吊座與第三懸吊座。
8.如權(quán)利要求7所述的模組化測試頭，其特征在于所述設(shè)置在第二懸吊座和第三懸吊座之間的螺絲可調(diào)節(jié)該第二懸吊座和第三懸吊座之間的距離。
9.如權(quán)利要求1或4所述的模組化測試頭，其特征在于所述第三設(shè)備包括一套蓋裝置，該套蓋裝置配置在該第一設(shè)備和該第二設(shè)備上。
10.如權(quán)利要求1所述的模組化測試頭，其特征在于所述第二設(shè)備包括一驅(qū)動集成電路裝置。
11.如權(quán)利要求1或9所述的模組化測試頭，其特征在于所述第二設(shè)備還包括一電路連接裝置，該電路連接裝置電性連接該第一設(shè)備與第二設(shè)備。
12.如權(quán)利要求1或10所述的模組化測試頭，其特征在于所述第二設(shè)備還包括一軟板電路總成，該軟板電路總成電性連接該第一設(shè)備與第二設(shè)備。
13.如權(quán)利要求1所述的模組化測試頭，其特征在于所述高密度轉(zhuǎn)接線總成包含第一設(shè)備和第二設(shè)備，該第二設(shè)備包含，一驅(qū)動集成電路裝置，一電路連接裝置，一軟板電路總成；該第一設(shè)備包含一電路裝置，該電路裝置上設(shè)有多個測試裝置；該驅(qū)動集成電路裝置電性連接該電路裝置，該軟板電路總成連接該驅(qū)動集成電路裝置；該電路裝置與該驅(qū)動集成電路裝置可配置在所述第三設(shè)備上。
14.如權(quán)利要求13所述的模組化測試頭，其特征在于所述電路裝置上設(shè)有多個導(dǎo)電薄膜凸塊，并在該每個導(dǎo)電薄膜凸塊下相應(yīng)地設(shè)有一緩沖墊。
15.如權(quán)利要求13所述的模組化測試頭，其特征在于所述電路連接裝置為第一高密度轉(zhuǎn)接線裝置，所述電路裝置為第二高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
16.如權(quán)利要求1或4或13所述的模組化測試頭，其特征在于所述第三設(shè)備上設(shè)有一固定第二懸吊座行程軌跡的線性軸承。
17.一種如權(quán)利要求1或13所述的模組化測試頭的制造方法，其特征在于該種模組化測試頭中的高密度轉(zhuǎn)接線測試總成的制造方法為首先提供一基板，再在該基板上涂布一層高分子膜，將該高分子膜定義出多個緩沖墊，并在該基板和該緩沖墊上形成金屬線路，再在該金屬線路上形成金屬凸塊，制得該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成。
18.如權(quán)利要求17所述的模組化測試頭的制造方法，其特征在于其中該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成中第二設(shè)備包括的電路連接裝置的制造方法為提供一基板，在該模板上以旋轉(zhuǎn)涂布方式在該基板上涂布一層高分子膜，以電鍍的方式在該高分子膜上形成一層金屬層，并在該金屬層上形成一層光阻圖案，以電鍍的方式在未被該光阻圖案覆蓋的該金屬層上成長出金屬線路，形成該第一高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
19.如權(quán)利要求17所述模組化測試頭的制造方法，其特征在于其中該高密度轉(zhuǎn)接線測試總成中第一設(shè)備包括的電路裝置的制造方法為提供一基板，以旋轉(zhuǎn)涂布方式在該基板上涂布一層高分子膜，對該高分子膜進(jìn)行高溫?zé)炯靶D(zhuǎn)涂布，利用曝光顯影技術(shù)將該高分子膜定義出多個緩沖墊，對該基板進(jìn)行高溫?zé)荆詼\鍍的方式在該基板和該組緩沖墊上形成一層金屬導(dǎo)電層，用微影蝕刻技術(shù)定義該金屬導(dǎo)電層，并在該基板和該些緩沖墊上定義導(dǎo)線圖案，用電鍍方式在該導(dǎo)電圖案上形成金屬線路，用微影蝕刻技術(shù)在該線路上定義出凸塊圖案，再用電鍍方式形成金屬凸塊，形成該第二高密度轉(zhuǎn)接線裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種模組化測試頭,至少包含高密度轉(zhuǎn)接線裝置、驅(qū)動集成電路裝置及懸吊裝置,高密度轉(zhuǎn)接線裝置前端設(shè)有多個導(dǎo)電薄膜凸塊用于檢測產(chǎn)品;電路裝置具有多個測試裝置;驅(qū)動集成電路裝置用以對高密度轉(zhuǎn)接線裝置提供測試信號;懸吊裝置用以懸吊高密度轉(zhuǎn)接線裝置與驅(qū)動集成電路裝置。其具有與測試墊接觸良好,電性傳導(dǎo)能力好,維護(hù)保養(yǎng)方便,符合輕、薄、短、小的科技發(fā)展趨勢的特點(diǎn)。
文檔編號G01R1/067GK1368640SQ01101850
公開日2002年9月11日 申請日期2001年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月7日
發(fā)明者何煥軒, 賴蔚海, 郭建玄, 謝登存, 王銘賢, 范偉芳, 陳隆欣, 林幸忠, 劉文元 申請人:泓進(jìn)科技股份有限公司