專利名稱：半導體器件的檢查裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件的檢查裝置，本發明特別是涉及進行用于確保制品的可靠性的老化試驗和進行用于去除不良品的特性試驗的檢查裝置。
背景技術：
直至制作完成半導體存儲器IC、系統LSI這樣的半導體器件的制造工藝非常復雜、精密，在所有地方具有產生故障的原因。設計上的問題、檢查上的問題、具有來自用戶的環境、電路結構的使用上的問題等就是這樣。另外，在制造方面，具有產生硅基板、擴散鈍化、布線電極、支架、包裝件、小片焊接(die bonding)、線焊、密封等的相應故障的原因。
另外，主要的故障模式為表面缺陷(離子污染等)、氧化膜缺陷(針孔)、金屬布線缺陷、輸入輸出電路缺陷等。
在用于判斷包括這些故障模式的半導體器件的試驗中，具有用于確保制品的可靠性的老化試驗和用于去除不良品的特性試驗(揀選試驗)。
在采用老化(Burn in)裝置的老化試驗中，為了去除初始故障，在比如，125℃的加熱條件下，對半導體器件施加額定值或比該額定值高1～2成的電壓，同時按照一定時間使其動作，進行篩選處理。
另外，在采用存儲器試驗機的特性試驗中，將從高溫(85℃)，到低溫(0℃或以下)，從最高動作速度到低速動作，電源電壓的最大和最小等的，各種試驗方式的要素組合，檢查半導體器件是否具有位于制品的數據表中的特性。
在這里，伴隨半導體器件的速度的增加，老化裝置、存儲器試驗機這樣的半導體器件的檢查裝置的價格上漲，半導體器件的銷售價格中試驗成本占的比例大大增加。
于是，人們知道有試驗老化裝置，其中，其半導體器件的試驗成本降低，老化裝置的功能和存儲器試驗機的一部分功能形成一體。為了減輕存儲器試驗機的負荷，該試驗老化裝置采用老化裝置，按照與老化試驗并行的方式進行試驗速度較慢的長時間試驗項目(比如，長循環試驗、存儲器單元(cell)之間的干涉試驗等)。
此外，作為記載有與半導體器件的檢查裝置有關的技術的文獻，比如，包括JP特開2001-349925號文獻、JP特開2003-315405號文獻、JP特開2004-045325號文獻等。
專利文獻1JP特開2001-349925號文獻專利文獻2JP特開2003-315405號文獻專利文獻3JP特開2004-045325號文獻發明內容在上述過去的試驗老化裝置中，構成試驗對象的半導體器件(DUTDevice Under Test)安裝于試驗板上，接納于腔內，其與設置于腔外的圖形發生器(PG)、驅動器(DR)、電源等的電子電路(器件試驗機構)連接。
由此，為了同時對大量的半導體器件進行試驗，必須要求大量的控制信號，由于為了將布線根數抑制在較少程度，形成并列布線，故印刷電路基板的布線容量增加，試驗速度一般為10MHz，即使謀求速度的提高，20MHz仍成為界限。
于是，雖然試驗步驟的效率稍稍提高，但是，沒有充分地促進試驗成本的降低。
另一方面，人們還提出通過從包裝水平的老化，轉到晶片水平的老化，一起檢查形成于晶片上的多個LSI的技術，但是，難以一起地對形成于晶片上的LSI上的大量的電極和探頭進行接觸。
為了解決這樣的問題，人們還考慮形成在半導體器件的內部具有自己診斷功能的BIST(Built-In Self-Test)的構成，由此，削減探頭，降低與電極的觸點數量進行試驗，但是，必須要求適合于各種半導體器件的BIST的裝置。
因此，本發明的目的在于提供可謀求試驗成本降低的半導體器件的檢查裝置。
為了解決上述課題，本發明的半導體器件的檢查裝置的特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，多個器件試驗機構安裝于試驗板中的與第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入1個或多個半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件的評價；對器件試驗機構進行冷卻的冷卻機構，在腔內部對裝載于凹座上的半導體器件進行加熱，并且通過冷卻機構，對器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行半導體器件的老化試驗和特性試驗。
由此，由于同時進行老化試驗和特性試驗，故半導體器件的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著地提高，可謀求半導體器件的試驗成本的降低。
另外，為了解決上述課題，本發明的半導體器件的檢查裝置的特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，該器件試驗機構按照以與裝載于凹座上的半導體器件1對1的關系，夾持試驗板的方式設置于上述試驗板中的與第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件的評價；對器件試驗機構進行冷卻的冷卻機構，上述器件試驗機構包括產生輸入到半導體器件中的波形的波形發生機構，在腔內部對裝載于凹座上的半導體器件進行加熱，并且通過冷卻機構，對器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行半導體器件的老化試驗和特性試驗。
由此，由于同時進行老化試驗和特性試驗，故半導體器件的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著地提高，可謀求半導體器件的試驗成本的降低。
另外，由于器件試驗機構和半導體器件之間的距離可縮短，故過渡反應速度增加，可進行高速試驗。另外，由于可抑制試驗板上的布線延伸空間，故可謀求半導體器件的高密度安裝。
此外，由于構成評價對象的半導體器件相互隔開，鄰接的半導體器件的動作噪音的影響大幅度地降低，故可謀求同時對多個半導體器件進行試驗時的試驗時間的縮短。
本發明的優選實施例的特征在于冷卻機構為放熱基板，該放熱基板按照與器件試驗機構接觸的方式安裝于試驗板上，在其內部形成液態制冷劑流動的流路。
由此，由于可通過節省空間實現冷卻機構，故不妨礙腔內的空間效率。
另外，為了解決上述課題，本發明的半導體器件的檢查裝置的特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，多個器件試驗機構安裝于試驗板中的與第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入1個或多個半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件的評價；對半導體器件進行加熱的加熱機構；在通過加熱機構對裝載于凹座上的半導體器件進行加熱的同時，進行半導體器件的老化試驗和特性試驗。
由此，由于同時進行老化試驗和特性試驗，故半導體器件的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著地提高，可謀求半導體器件的試驗成本的降低。
此外，為了解決上述課題，本發明的半導體器件的檢查裝置的特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，該器件試驗機構按照以與裝載于凹座上的半導體器件1對1的關系，夾持試驗板的方式設置于上述試驗板中的與第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件的評價；對半導體器件進行加熱的加熱機構，器件試驗機構包括產生輸入到半導體器件中的波形的波形發生機構；在通過加熱機構對裝載于凹座上的半導體器件進行加熱的同時，進行半導體器件的老化試驗和特性試驗。
由此，由于同時進行老化試驗和特性試驗，故半導體器件的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著地提高，可謀求半導體器件的試驗成本的降低。
另外，由于器件試驗機構和半導體器件之間的距離可縮短，故過渡反應速度增加，可進行高速試驗。另外，由于可抑制試驗板上的布線延伸空間，故可謀求半導體器件的高密度安裝。
此外，由于構成評價對象的半導體器件相互隔開，鄰接的半導體器件的動作噪音的影響大幅度地降低，故可謀求同時對多個半導體器件進行試驗時的試驗時間的縮短。
本發明的優選形式的特征在于上述波形發生機構為圖形發生器和波形發生器中的至少任意者。
本發明的還一優選形式的特征在于上述器件試驗機構還包括驅動器，該驅動器將產生的波形輸入到上述半導體器件中。
本發明的又一優選形式的特征在于器件試驗機構由單一半導體集成電路裝置構成。
由此，由于器件試驗機構的部件數量為最小限，故可實現低成本。另外，安裝于試驗板上的部件減少，故用于安裝的成本也為最小限。另外，可削減耗電量。
本發明的再一優選形式的特征在于凹座按照通過連接器，相對試驗板可裝卸的方式設置。
由此，由于可在試驗板上自由地裝載與作為檢查對象的半導體器件的形狀相對應的各種類型的凹座，故試驗板具有極高的通用性。
按照本發明，可實現下述的效果。
即，按照本發明，由于構成試驗對象的半導體器件安裝于試驗板的第1主面上，具有老化試驗和特性試驗這兩者的功能的器件試驗機構安裝于第2主面上，并且通過冷卻機構對器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行老化試驗和特性試驗，故可同時進行在過去分別進行的存儲器試驗機的評價試驗和老化裝置的評價試驗。
由此，還在老化試驗的時間內進行特性試驗，使半導體器件的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著提高，可謀求半導體器件的試驗成本的降低。
另外，由于器件試驗機構和半導體器件之間的距離可縮短，故過渡反應速度增加，可實現高速試驗。另外，由于可抑制試驗板上的布線延伸空間，故可謀求半導體器件的高密度安裝。
此外，由于作為評價對象的半導體器件相互隔開，鄰接的半導體器件的動作噪音的影響大幅度地減少，故可謀求同時對多個半導體器件進行試驗時的試驗時間的縮短。
圖1為表示本發明的一個實施例的半導體器件的檢查裝置的概念圖；圖2為表示在圖1的半導體器件的檢查裝置中，接納于腔內的試驗板的說明圖；圖3為圖2的試驗板的剖視圖；圖4為表示安裝于試驗板上的冷卻機構的透視圖；圖5為表示裝載于試驗板上的器件試驗機構的功能結構的方框圖。
具體實施例方式
下面參照附圖，對用于實施本發明的優選形式進行更具體的描述。在這里，在附圖中，同一部件采用相同標號，另外，重復的說明省略。此外，由于在這里的說明為實施本發明的優選形式，故本發明并不限于該形式。
圖1為表示本發明的一個實施例的半導體器件的檢查裝置的概念圖，圖2為表示在圖1的半導體器件的檢查裝置中，接納于腔內的試驗板的說明圖，圖3為圖2的試驗板的剖視圖，圖4為表示安裝于試驗板上的冷卻機構的透視圖，圖5為表示裝載于試驗板上的器件試驗機構的功能結構的方框圖。
像圖1所示的那樣，本實施例的半導體器件的檢查裝置10包括腔13，在該腔13中，接納有裝載作為試驗對象的半導體器件(DUT)11的試驗板12；主電源(MAIN POWER SUPPLY)14，該主電源14用于向腔13內的半導體器件11供電；作為控制部的主計算機(HOST COMPUTER)15，該主計算機15進行半導體器件11的檢查的各種控制。
在這里，該主計算機15包括中央處理裝置、輸入輸出裝置和存儲裝置，該中央處理裝置進行檢查程序等的軟件的管理、試驗程序的編輯和解釋、檢查的實施控制、外設裝置的管理、試驗結果的數據處理等。另外，輸入輸出裝置包括鍵盤、打印機、顯示器等，進行控制命令的輸入、檢查程序的輸入輸出、試驗結果的輸出等處理。另外，存儲裝置包括磁盤裝置、光盤裝置等，進行檢查裝置的系統軟件、檢查程序、檢查結果的數據存儲等。
上述腔13為其內部保持在規定的溫度的恒溫槽，具有按照沿上下方向，以一定間距間隔開的方式，接納比如，30～60塊的，裝載有半導體器件11的試驗板12的能力。將像這樣接納的半導體器件11加熱到比如，125℃±3℃。
在表示試驗板12的圖2中，中心線的右半部表示第1主面12-1，左半部表示第2主面12-2。
在圖2中，試驗板12由形成比如，銅的布線層的玻璃環氧樹脂的疊層基板構成，在其一端，設置邊緣端子12a，該邊緣端子12a用于與裝置側的邊緣連接器(圖中未示出)電連接。另外，試驗板12也可由玻璃環氧樹脂以外的坯料構成，布線層還可由銅以外的坯料構成。
在試驗板12的第1主面12-1上整齊地安裝有裝載半導體器件11的多個凹座16。在比如，半導體器件11采用72個管腳的CSP(Chip Size Package)的場合，針對比如，每塊試驗板12，安裝約200個凹座16。即，可裝載約200個半導體器件11。
在這里，由于過去的1個試驗板中的器件可裝載數量為120個，故在本申請中，可裝載的數量顯著增加，其原因將在后面描述。
在試驗板12中的與第1主面12-1相反一側的第2主面12-2上，按照夾持試驗板12，在凹座16的相反側，以與半導體器件11一對一的對應關系設置作為半導體集成電路裝置的器件試驗機構17，該器件試驗機構17在裝載在安裝于第1主面12-1上的凹座16上的半導體器件11中，輸入規定的試驗信號，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件11輸出的輸出信號，進行半導體器件11的評價。
即，本申請在試驗對象的半導體器件11的診斷電路形成于稱為器件試驗機構17的外部，為所謂的BOST(Built-Out Self-Test)。
另外，1個器件試驗機構17也可對應于多個半導體器件11而設置。另外，器件試驗機構17不為圖示那樣的單一半導體集成電路裝置，也可由多個電子部件，實現該半導體集成電路裝置所具有的功能(具體內容在后面描述)。
像圖3具體所示的那樣，在凹座16上設置多個管腳16a。像前述那樣，在凹座16上安裝構成試驗對象的半導體器件11，半導體器件11的引線11a按照與凹座16的管腳16a接觸的方式安裝。
這樣的凹座16裝載于凹座板20上，按照通過連接器18、19，相對試驗板12，可裝卸的方式設置。即，在凹座板20上，安裝有連接器18，該連接器18的端子18a與凹座16的管腳16a嵌合。另外，在試驗板12上安裝有連接器19，該連接器19的端子19a與形成于試驗板12上的布線12b接觸，并且與端子18a嵌合，該連接器19與連接器18嵌合。
如果像這樣，凹座16可相對試驗板12裝卸，由于在試驗板12上可自由地裝載與作為檢查對象的半導體器件11的形狀相對應的各種凹座，故就半導體器件11和試驗板12之間的關系來說，具有極高的通用性。
但是，凹座16也可以以直接安裝于試驗板12上，而不能裝卸的方式形成。
另外，像圖示的那樣，試驗板12的布線12b在第2主面12-2側，與作為器件試驗機構17的半導體集成電路裝置的引線17a連接。
在圖3中，在試驗板12上安裝對器件試驗機構17進行冷卻的放熱基板(冷卻機構)21。
該放熱基板21像圖4所示的那樣，呈板狀，其按照與器件試驗機構17接觸的方式安裝于試驗板12上，采用比如，ソリトンR&D株式會社制的熱電路基板等。
在圖示的放熱基板21中，2塊板狀的基板重合，在內部，液態制冷劑(一般為冷卻水)流動的流路21a在整體的范圍內形成。在放熱基板21中的基本呈直角撓曲的一端，設置用于向流路21a供給液態制冷劑的連接器21b；用于回收來自流路21a的液態制冷劑的連接器21c。另外，前述的器件試驗機構17按照位于液態制冷劑流動的流路21a的方式固定。
此外，在放熱基板21中的與試驗板12相反的一側，支承板22按照覆蓋放熱基板21的整體的方式安裝于試驗板12上。還有，像下述這樣考慮，即，在支承板22和放熱基板21之間，在器件試驗機構17所在的部位，嵌入間隔件23，確實使放熱基板21與器件試驗機構17接觸，進行充分的冷卻。
還有，在腔13的內部，將半導體器件11加熱到125℃，另一方面，通過這樣的放熱基板21，同樣，將位于腔13內的器件試驗機構17冷卻到比如，65℃或以下。
再有，對于冷卻機構，只要可對器件試驗機構17進行冷卻，便可以，并不限于本實施例所給出的放熱基板21。因此，制冷劑即使為液體以外的流體，仍可采用空氣等的氣體，即使在液體用作制冷劑的情況下，仍不限于本實施例所給出的結構。
下面通過圖5，對器件試驗機構17的功能結構進行描述。
像前述的那樣，器件試驗機構17將規定的試驗信號輸入到半導體器件11中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件11的評價，其包括圖形發生器(PATTERN GENERATORPG)17-1、驅動器(DRIVER)17-2、比較器(COMPARATOR)17-3、波形發生器(WAVEFORM GENERATORWG)17-4、接口(INTERFACEI/F)17-5、試驗引擎(TEST ENGINE)17-6、存儲器(MEMORY)17-7、電源(VOLTAGE REGULATOR)17-8、電壓·電流計測定機構(PARAMETRIC MEASUREMENT UNITPMU)17-9。
另外，只要器件試驗機構17具有老化試驗的功能和存儲器試驗的功能，則其既可為這些以外的功能結構，也可為只具有它們中的一部分的功能結構。
在這里，作為波形發生機構中的1個的圖形發生器17-1從試驗機術語，抽出波形用參數，將波形輸入到驅動器17-2中。
該驅動器17-2按照規定的電壓，對從圖形發生器17-1輸入的波形進行緩存處理，將其輸入到構成試驗對象的半導體器件11中。
比較器17-3根據規定的參考電壓為基礎，使來自半導體器件11的輸出波形為“Hi”、“Low”，將其送給試驗引擎17-6。
試驗引擎17-6將來自比較器17-3的波形與期待值相比較，判斷半導體器件11的導通(Pass)/截止(Fail)，并且進行外部控制器的控制。
存儲器17-7存儲像這樣的、通過試驗引擎17-6判斷的半導體器件11的導通(Pass)/截止(Fail)的信息和發生不良的每個試驗圖形的地址位置等。另外，在半導體器件11為存儲器LSI的場合，進行不良比特(bit)位置的存儲、不良比特(bit)的掩碼處理(mask)、不良比特(bit)數量的實際時間計數、ROM用試驗圖形的發生等。
作為波形發生機構的另一個的波形發生器17-4產生正弦波、三角波、矩形波等的任意的模擬波形，將其輸入半導體器件11中。
接口17-5為主計算機15和器件試驗機構17的接口，具體來說，為串行接口或并行接口。
電源17-8為驅動器17-2的輸入電源和半導體器件11的輸入電源，供給規定的電壓的電源。
另外，電壓·電流測定機構17-9進行半導體器件11的動作電流、動作電壓、形成于半導體器件11上的布線的斷開/短路的測定。
在具有以上的結構的半導體器件的檢查裝置10中，裝載半導體器件11的試驗板12接納于腔13的內部，邊緣端子12a和邊緣連接器嵌合，從器件試驗機構17，向半導體器件11輸入規定的試驗信號。另外，與此同時，將通過加熱器(圖中未示出)，加熱到規定溫度的空氣送入腔13的內部，將半導體器件11加熱到比如，125℃±3℃。另外，向放熱基板21供給液態制冷劑，將位于腔13的內部的器件試驗機構17冷卻到比如，65℃或以下。接著，對半導體器件11，進行老化試驗和特性試驗。
即，以高于普通的使用條件的溫度和高于該條件的電壓，按照一定時間使半導體器件11動作，加速初始故障的發生(老化試驗)。由此，去除具有產生初始故障的危險的半導體器件11，這樣，確保制品的可靠性。另外，按照與這樣的老化試驗并行的方式，將試驗信號輸入到半導體器件11中，將其輸出值與期待值進行比較，進行該器件是否良好的判斷，或測定輸入輸出信號、電源部分的電壓、電流等的模擬值(特性試驗)。由此，去除不具有所需特性的不良品。
此時，在其與半導體器件11之間，進行試驗信號的輸入輸出的器件試驗機構17不加熱到腔13內的溫度，而通過放熱基板21，冷卻到上述溫度，在器件試驗機構17本身中未作用有熱應力，在普通的使用條件下進行動作。
另外，也可進行老化試驗和特性試驗的全部的試驗項目，但是，比如，AC試驗等的一部分試驗項目還可通過其它的檢查裝置進行。
像這樣，如果采用本申請的半導體器件的檢查裝置10，由于構成試驗對象的半導體器件11安裝于試驗板12的第1主面12-1上，具有老化試驗和特性試驗這兩者的功能的器件試驗機構17安裝于試驗板12的第2主面12-2上，并且通過作為冷卻機構的放熱基板21對器件試驗機構17進行冷卻，與此同時，進行老化試驗和特性試驗，故可同時地進行在過去分別進行的存儲器試驗機的評價試驗和老化裝置的評價試驗。由此，還在老化試驗的時間內進行特性試驗，使半導體器件11的試驗步驟的效率提高，試驗處理能力顯著提高，可謀求半導體器件11的試驗成本的降低。
此外，由于老化裝置和存儲器試驗機這2種裝置合成1臺，故可謀求檢查裝置的投資成本的降低。
還有，如果像本實施例那樣，通過單一的半導體集成電路裝置構成器件試驗機構17，則由于與器件試驗機構由多個單獨部件構成的場合相比較，部件數量大大地削減，故可實現低成本。另外，由于部件數量削減，故安裝于試驗板12上的部件減少，用于安裝的成本也可為最小值。另外，可削減耗電量。
再有，如果像本實施例那樣，按照與作為試驗對象的半導體器件11一對一的關系，以夾持試驗板12的方式將器件試驗機構17，設置于相反側，則由于器件試驗機構17和半導體器件11之間的距離可縮短，故即使在為了同時對大量的半導體器件11進行試驗，必須要求大量的控制信號的情況下，試驗板12的布線電容也未增加。由此，過渡反應速度加快，可進行高速試驗。
對于這一點，具體來說，像前述那樣，過去的試驗速度為10MHz，而按照本申請，100～200MHz可較容易地實現，還可實現作為主計算機的BUS速度的400MHz。
另外，如果像這樣，按照與半導體器件11一對一的關系，以夾持試驗板12的方式將器件試驗機構17設置于相反側，則由于器件試驗機構17和半導體器件11之間的距離可縮短，故可抑制試驗板12上的布線延伸空間，這樣，可在試驗板12上安裝更多的凹座16，謀求半導體器件11的高密度安裝。
此外，由于作為評價對象的半導體器件相互隔開，鄰接的半導體器件的動作噪音的影響大幅度地降低，故可謀求同時對多個半導體器件進行試驗時的試驗時間的縮短。
還有，在以上的說明中，將腔13內部加熱到高溫，將半導體器件11加熱到規定溫度，通過作為冷卻機構的放熱基板21對位于該腔13內的器件試驗機構17進行冷卻，但是，也可使腔13內部為常溫，通過比如，加熱器等的加熱機構，對半導體器件11個別加熱。
但是，特別是在器件試驗機構17由單一的半導體集成電路裝置構成的場合，由于器件試驗機構17的密度提高，按照高速動作，故本身發熱量增加，由此，像本實施例那樣，最好，對器件試驗機構17進行冷卻。
再有，如果通過節省空間，無法實現冷卻機構，則由于腔13內的空間的效率受到阻礙，故認為可在本實施例那樣的液態冷卻方式中，采用將熱量轉移到腔13之外，進行放熱的方式。
本發明的半導體器件的檢查裝置可用于必須要求老化試驗和特性試驗這兩者的試驗的半導體器件的檢查，故可將SDRAM、固定RAM、快速存儲器、邏輯器件、邏輯·模擬混合裝載器件等的，各種半導體器件用作試驗對象。
權利要求
1.一種半導體器件的檢查裝置，其特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于上述試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，多個器件試驗機構安裝于上述試驗板中的與上述第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入1個或多個上述半導體器件，并且根據對應于該試驗信號，從上述半導體器件輸出的輸出信號，進行上述半導體器件的評價；對上述器件試驗機構進行冷卻的冷卻機構；在上述腔內部對裝載于上述凹座上的上述半導體器件進行加熱，并且通過上述冷卻機構，對上述器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行上述半導體器件的老化試驗和特性試驗。
2.一種半導體器件的檢查裝置，其特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于上述試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，該器件試驗機構按照以與裝載于上述凹座上的上述半導體器件一對一的關系，夾持上述試驗板的方式設置于上述試驗板中的與上述第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入上述半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從上述半導體器件輸出的輸出信號，進行上述半導體器件的評價；對上述器件試驗機構進行冷卻的冷卻機構；上述器件試驗機構包括產生輸入到上述半導體器件中的波形的波形發生機構；在上述腔內部對裝載于上述凹座上的上述半導體器件進行加熱，并且通過上述冷卻機構，對上述器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行上述半導體器件的老化試驗和特性試驗。
3.根據權利要求1所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述冷卻機構為放熱基板，該放熱基板按照與上述器件試驗機構接觸的方式安裝于上述試驗板上，在其內部形成液態制冷劑流動的流路。
4.根據權利要求2所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述冷卻機構為放熱基板，該放熱基板按照與上述器件試驗機構接觸的方式安裝于上述試驗板上，在其內部形成液態制冷劑流動的流路。
5.一種半導體器件的檢查裝置，其特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于上述試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，多個器件試驗機構安裝于上述試驗板中的與上述第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入1個或多個上述半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從上述半導體器件輸出的輸出信號，進行上述半導體器件的評價；對上述半導體器件進行加熱的加熱機構；在通過上述加熱機構對裝載于上述凹座上的上述半導體器件進行加熱的同時，進行上述半導體器件的老化試驗和特性試驗。
6.一種半導體器件的檢查裝置，其特征在于該半導體器件的檢查裝置包括腔；可接納于該腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于上述試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，該器件試驗機構按照以與裝載于上述凹座上的半導體器件一對一的關系，夾持上述試驗板的方式設置于上述試驗板中的與上述第1主面相反一側的第2主面上，將規定的試驗信號輸入上述半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從上述半導體器件輸出的輸出信號，進行上述半導體器件的評價；對上述半導體器件進行加熱的加熱機構；上述器件試驗機構包括產生輸入到上述半導體器件中的波形的波形發生機構；在通過上述加熱機構對裝載于上述凹座上的上述半導體器件進行加熱的同時，進行上述半導體器件的老化試驗和特性試驗。
7.根據權利要求2所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述波形發生機構為圖形發生器和波形發生器中的至少任意者。
8.根據權利要求6所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述波形發生機構為圖形發生器和波形發生器中的至少任意者。
9.根據權利要求1～8中的任何一項所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述器件試驗機構還包括驅動器，該驅動器將產生的波形輸入到上述半導體器件中。
10.根據權利要求1～8中的任何一項所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述器件試驗機構由單一半導體集成電路裝置構成。
11.根據權利要求9所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述器件試驗機構由單一半導體集成電路裝置構成。
12.根據權利要求1～8中的任何一項所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述凹座按照通過連接器，相對上述試驗板可裝卸的方式設置。
13.根據權利要求9所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述凹座按照通過連接器，相對上述試驗板可裝卸的方式設置。
14.根據權利要求10所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述凹座按照通過連接器，相對上述試驗板可裝卸的方式設置。
15.根據權利要求11所述的半導體器件的檢查裝置，其特征在于上述凹座按照通過連接器，相對上述試驗板可裝卸的方式設置。
全文摘要
本發明的課題在于提供一種謀求半導體器件的試驗成本降低的檢查裝置。該檢查裝置包括可接納于腔內的試驗板；凹座，多個凹座安裝于試驗板的第1主面上，在該凹座上裝載有構成試驗對象的半導體器件；器件試驗機構，多個器件試驗機構安裝于試驗板中的第2主面上，將規定的試驗信號輸入半導體器件中，并且根據對應于該試驗信號，從半導體器件輸出的輸出信號，進行半導體器件的評價；對器件試驗機構進行冷卻的放熱基板；在腔內部對裝載于凹座上的半導體器件進行加熱，并且通過放熱基板，對器件試驗機構進行冷卻，與此同時，進行半導體器件的老化試驗(Burn in test)和特性試驗。
文檔編號G01R31/28GK1877341SQ20061008335
公開日2006年12月13日 申請日期2006年6月6日 優先權日2005年6月9日
發明者宮川末晴, 池邊亮司 申請人:Stk技術株式會社
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