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專利名稱：具有聲音吸收裝置的磁共振成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁共振成像(MRI)設(shè)備，該設(shè)備包括診斷空間；主磁系統(tǒng)，用于在所述診斷空間中產(chǎn)生主磁場(chǎng)；梯度磁線圈系統(tǒng)，包括用于產(chǎn)生主磁場(chǎng)的至少一個(gè)梯度的梯度線圈；以及噪聲減少裝置，用于減少梯度線圈的振動(dòng)所產(chǎn)生的噪聲。
在開(kāi)始段落中提到的那種磁共振成像(MRI)設(shè)備在其基本圓柱形的實(shí)施例中已知，基本圓柱形的實(shí)施例也稱為封閉型。在US專利6,043,653中公開(kāi)了一個(gè)這樣的例子。例如，在封閉型MRI設(shè)備的情況中，可使用不對(duì)稱排列(從旋轉(zhuǎn)方向看去)，所述裝置具有非常平坦的底面或橢圓形橫截面。
除此之外，近來(lái)我們見(jiàn)證了開(kāi)放式形式受到越來(lái)越多的關(guān)注，開(kāi)放式形式包括兩個(gè)基本盤形外殼，每一個(gè)容納部分主磁系統(tǒng)和部分梯度磁系統(tǒng)。診斷空間定位于盤形外殼之間，在這里產(chǎn)生垂直取向的磁場(chǎng)。開(kāi)放型MRI系統(tǒng)與封閉型MRI系統(tǒng)相比具有幾個(gè)顯著的優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)與下述事實(shí)相關(guān)聯(lián)診斷空間中患者周圍可獲得更多的自由空間。一方面這有助于減輕患者可能有的任何幽閉恐怖感，而另一方面更大的空間使醫(yī)療工作者可能或更容易對(duì)診斷空間中的患者執(zhí)行醫(yī)療動(dòng)作。
在實(shí)際中遇到的一個(gè)重要問(wèn)題是由MRI系統(tǒng)產(chǎn)生的聲振動(dòng)。所述的聲振動(dòng)產(chǎn)生噪聲，這種噪聲使在診斷空間中被檢查的患者感到不舒服。所述聲振動(dòng)由下述事實(shí)引起由于以高達(dá)約4000Hz的頻率通過(guò)梯度線圈的電繞組的交流電與由主磁體產(chǎn)生的強(qiáng)磁場(chǎng)之間的電磁相互作用，相對(duì)高的洛倫茲力作用在梯度線圈的電繞組上。所述相互作用在MRI系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)中，尤其在MRI系統(tǒng)的梯度線圈中引起機(jī)械振動(dòng)，這種機(jī)械振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致在診斷空間和MRI系統(tǒng)外發(fā)生所述聲振動(dòng)，所述聲振動(dòng)剛好在人的聽(tīng)覺(jué)最敏銳的、高達(dá)4000Hz的頻率范圍內(nèi)。
前述US專利6,043,653提出了噪聲問(wèn)題的解決方法，按照該方法梯度線圈的繞組作為整體安裝在真空室中。這使得對(duì)被討論的MRI設(shè)備有重的結(jié)構(gòu)上的要求，而這導(dǎo)致其成本價(jià)格的顯著增加。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供在開(kāi)始段落中提到的那種磁共振成像(MRI)設(shè)備，該設(shè)備以相對(duì)簡(jiǎn)單和因此相對(duì)便宜的方式具有降低的噪聲水平。
為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，按照本發(fā)明的磁共振成像(MRI)設(shè)備的特征在于噪聲減少裝置包括設(shè)置在梯度線圈和診斷空間之間的聲音吸收板。因此，可以以結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)大量的噪聲減少，不像前述US專利6,043,653提出的解決方法那樣試圖防止聲音產(chǎn)生，而是通過(guò)吸收所述聲音防止聲音被反射，這借助于在其效果最大的位置精確設(shè)置聲音吸收板實(shí)現(xiàn)。
如果對(duì)于20Hz-4000Hz的頻率范圍的至少部分，聲音吸收板具有大約至少0.5，更優(yōu)選具有大約至少0.75的吸收系數(shù)，就可獲得顯著的噪聲減少。聲音吸收系數(shù)表示被吸收的聲音(以dB為單位)和進(jìn)入的聲音(以dB為單位)之間的比例。如果吸收系數(shù)是1，因此這意味著，聲音吸收板吸收所有進(jìn)入的聲音。0.5的聲音吸收系數(shù)值將導(dǎo)致1.3dB的噪聲減少。通常，下述公式適于聲音壓SPL(以Pa為單位)與時(shí)間t的函數(shù)關(guān)系SPL(t)＝A*[sin(2π*f*t)+√(1-α)*sin(2π*f*t)]其中A是聲音波的幅值(以Pa為單位)，f是頻率，α是吸收系數(shù)。
如果聲音吸收板包括具有開(kāi)口端和封閉端的通道，可獲得按照本發(fā)明的磁共振成像設(shè)備的非常適合的實(shí)施例，所述通道優(yōu)選至少基本沿平行于診斷空間和梯度線圈之間的方向延伸。通道的功能是通過(guò)板實(shí)現(xiàn)一定程度的聲音吸收。使用通道的一個(gè)重要的優(yōu)勢(shì)在于對(duì)所述通道大小的適當(dāng)選擇使得可能在聽(tīng)覺(jué)范圍內(nèi)對(duì)梯度線圈的特定本征頻率優(yōu)化聲音吸收效果。
根據(jù)所需通道和其所需長(zhǎng)度的可用空間，有利的是通道至少在它們的封閉端側(cè)至少基本垂直于診斷空間和梯度線圈之間的方向延伸。
至少一些通道的開(kāi)口端優(yōu)選位于相關(guān)通道的面向診斷空間的那側(cè)。因此，來(lái)自診斷空間的聲音將被吸收。
或者，但特別與上面提到的優(yōu)選實(shí)施例相結(jié)合，在本發(fā)明的框架內(nèi)，至少一些通道的開(kāi)口端也非常可能位于相關(guān)通道的面向梯度線圈的那側(cè)。因此，開(kāi)口端指向噪聲源，由此可獲得非常有益的噪聲減少效果。如果使用開(kāi)口端在面向診斷空間一側(cè)的通道和開(kāi)口端在面向梯度線圈一側(cè)的通道，當(dāng)然可以調(diào)整這些通道之間的比例以適合與特定的MRI設(shè)備相關(guān)的噪聲產(chǎn)生。
正如已經(jīng)提到的，通道的適當(dāng)尺寸使得它們的聲音吸收效果對(duì)存在的本征頻率最佳適應(yīng)成為可能。然而，通常可以說(shuō)聲音吸收的程度隨在相關(guān)的開(kāi)口端側(cè)的通道的橫斷面尺寸的減小而增加。所以，在相關(guān)的開(kāi)口端側(cè)的通道的至少一部分的橫斷面尺寸優(yōu)選最大為15mm，更優(yōu)選的最大為10mm。在通道為圓柱形孔的形式時(shí)，術(shù)語(yǔ)橫斷面尺寸當(dāng)然指直徑。盡管在本發(fā)明的框架內(nèi)通道不是必須為基本圓柱形，從制造的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)圓柱形狀是最有利的形狀。
按照非常有利的優(yōu)選實(shí)施例，其相關(guān)封閉端一側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸不同于相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸。因此，相關(guān)通道的相對(duì)短的長(zhǎng)度提供了相對(duì)大的聲音吸收效果。尤其在MRI設(shè)備中這是一個(gè)主要的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)橥ǔ２荒塬@得空間，或僅以較多成本才能獲得空間。
優(yōu)選地，相關(guān)封閉端一側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸大于相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸。以這種方式構(gòu)造的通道，聲音從相對(duì)小的通路傳播到所述通道末端的更寬的空間，所述通道在吸收聲音方面顯得非常有效而不需要很長(zhǎng)的通道。
為了實(shí)現(xiàn)聲音吸收效果的最大利用，相關(guān)封閉端側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸和相關(guān)開(kāi)口端側(cè)上的通道部分的橫斷面尺寸之間的比例優(yōu)選為約2.5，更優(yōu)選地至少約為4.0。
通過(guò)實(shí)現(xiàn)高密度的聲音吸收通道可進(jìn)一步增強(qiáng)聲音吸收效果。在該框架內(nèi)，在相鄰?fù)ǖ赖南嚓P(guān)最大橫斷面尺寸的位置處相鄰?fù)ǖ乐g的最小間隔優(yōu)選最大為相關(guān)最大橫斷面尺寸之和的50％，更優(yōu)選最大為相關(guān)最大橫斷面尺寸之和的35％。這意味著，例如，最大直徑分別為100mm和60mm的兩個(gè)相鄰?fù)ǖ乐g的間距優(yōu)選最大為80mm，更優(yōu)選最大為56mm。
上述示例優(yōu)選地舉例說(shuō)明了在本發(fā)明的框架內(nèi)聲音吸收板的通道不需要具有互相相應(yīng)的尺寸。正相反，通道使用相互不同的大小通常是有益的，因?yàn)檫@使得最佳地調(diào)整通道的聲音吸收效果使之適應(yīng)梯度線圈的聽(tīng)覺(jué)范圍內(nèi)的各本征頻率成為可能。所以，本發(fā)明非常有益的實(shí)施例特征在于聲音吸收板的通道的大小相互不同。
為了限制由于使用包括盡可能多的通道的聲音吸收板占用的額外的空間量，或者甚至為了完全防止這一點(diǎn)，還非常優(yōu)選為聲音吸收板提供射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)，所述射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)用于在診斷空間中產(chǎn)生和/或接收射頻信號(hào)。在MRI設(shè)備中射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)的功能和必要性對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是已知的，因此在這里不需要更多的解釋。說(shuō)明射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)通常位于梯度線圈和診斷空間之間就足夠了。射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)的確切的實(shí)施例不是本發(fā)明目前優(yōu)選實(shí)施例的框架內(nèi)的主要興趣。射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)的射頻線圈可以是對(duì)稱的或非對(duì)稱的，例如，它可以具有或不具有肩部凹進(jìn)，或者例如它可僅存在于MRI設(shè)備的一側(cè)。
優(yōu)選地，射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)包括至少部分地在至少一些通道之間延伸的導(dǎo)電繞組。更優(yōu)選地，這種導(dǎo)電繞組全部在至少一些通道之間延伸。實(shí)際上，該優(yōu)選實(shí)施例將尤其用于封閉型MRI設(shè)備，其中射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)包括導(dǎo)電繞組。
在開(kāi)放型MRI設(shè)備中，射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)通常包括排列在樹(shù)脂材料的板形載體上的導(dǎo)電層。這樣的載體可有利地設(shè)有聲音吸收通道，以使所述載體可看作是本發(fā)明結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲音吸收板。優(yōu)選地，射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)因此包括至少一個(gè)導(dǎo)電層，在診斷空間一側(cè)聲音吸收板被涂敷該至少一個(gè)導(dǎo)電層，在該至少一個(gè)導(dǎo)電層中開(kāi)口位于可能出現(xiàn)在診斷空間側(cè)的通道的任何開(kāi)口端的位置處。在導(dǎo)電層內(nèi)的所述開(kāi)口確保通道一端的開(kāi)口特性。當(dāng)然，所使用的通道的開(kāi)口端可均位于梯度線圈側(cè)，因此在這種情況中不需要提供具有開(kāi)口的導(dǎo)電層。
尤其如果決定通道的橫斷面尺寸跳躍改變(從通道的縱向方向看)，出于制造原因優(yōu)選建造由許多鄰接的、優(yōu)選粘接在一起的子板構(gòu)成的聲音吸收板。
可獲得關(guān)于聲音吸收或噪聲減少效果的進(jìn)一步的改進(jìn)，按照優(yōu)選實(shí)施例，聲音吸收板在開(kāi)口端之間涂有聲音吸收材料，所述聲音吸收材料對(duì)于20Hz-4000Hz的頻率范圍的至少部分頻率具有至少0.5的吸收系數(shù)。
在聲音吸收板的可選實(shí)施例中，所述板包括玻璃棉。在2000Hz-10.000Hz的頻率范圍使用玻璃棉尤其有益。
通過(guò)描述本發(fā)明的許多優(yōu)選實(shí)施例，將在下文中更詳細(xì)地解釋本發(fā)明。在說(shuō)明書中將參考下列附圖，其中

圖1是按照本發(fā)明的(封閉型)MRI設(shè)備的第一實(shí)施例的示意性垂直橫截面圖；圖2是按照本發(fā)明的(封閉型)MRI設(shè)備的第二實(shí)施例的示意性垂直橫截面圖；圖3a是按照本發(fā)明的(封閉型)MRI設(shè)備的第三實(shí)施例的示意性垂直橫截面圖；圖3b是按照?qǐng)D3a的MRI設(shè)備中使用的射頻發(fā)射線圈單元的正視圖；圖3c詳細(xì)地顯示了圖3a中的IIIc；以及圖4a-4c顯示了可在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中使用的聲音吸收通道的三個(gè)可選實(shí)施例。
圖1示意性地顯示了按照本發(fā)明的MRI設(shè)備的結(jié)構(gòu)的垂直橫截面視圖。所顯示的圓柱形主磁系統(tǒng)2形成最外殼。所述圓柱形主磁系統(tǒng)2包括超導(dǎo)磁體，使用低溫恒溫器將所述超導(dǎo)磁體保持在低溫下，以使所述磁體顯示它們的超導(dǎo)特性。位于主磁系統(tǒng)2內(nèi)的是圓柱形梯度線圈系統(tǒng)3。圓柱形射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)4依次位于梯度線圈系統(tǒng)3內(nèi)，在圖1中示意性顯示了它的一些細(xì)節(jié)。最后，診斷空間5位于基本圓柱形的射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)中，在診斷空間中患者躺在支持物上(未示出)。封閉型MRI設(shè)備這樣的結(jié)構(gòu)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是已知的。一個(gè)對(duì)此舉例說(shuō)明的例子是例如前述的美國(guó)專利6,043,653。因此，在本發(fā)明的框架中對(duì)MRI設(shè)備1的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)短的解釋是足夠的。
主磁系統(tǒng)2在診斷空間5中產(chǎn)生主磁場(chǎng)。在本發(fā)明的框架中足以提及使用主磁系統(tǒng)2、梯度線圈系統(tǒng)3和射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)4可產(chǎn)生位于診斷空間5內(nèi)的患者內(nèi)部的圖像。所述圖像的產(chǎn)生可能涉及非常大的電磁力，所述電磁力使得梯度線圈系統(tǒng)3振動(dòng)。所述振動(dòng)的頻率在人類聽(tīng)覺(jué)范圍內(nèi)，尤其在20Hz到4000Hz的頻率范圍內(nèi)，至少在原理上，它們對(duì)位于診斷空間5內(nèi)的患者構(gòu)成了大量令人相當(dāng)不愉快的聽(tīng)覺(jué)負(fù)擔(dān)。
圓柱形射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)4基本由固體樹(shù)脂材料6形成的管狀殼制成。嵌入在所述樹(shù)脂材料中的是導(dǎo)電繞組7。繞組7基本沿軸向方向延伸。位于繞組7之間的是徑向延伸的圓柱形孔8，所述孔8在面向圓柱形梯度線圈系統(tǒng)3的一端開(kāi)口而在相對(duì)端封閉。孔8的長(zhǎng)度小于射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)4的樹(shù)脂材料6的壁厚度。所述孔在開(kāi)口端一側(cè)具有相對(duì)小的約20mm的直徑，而在封閉端一側(cè)的直徑約為100mm。在孔8的具有不同直徑的兩個(gè)部分之間存在突然的直徑跳躍。
已由實(shí)驗(yàn)確定孔8對(duì)來(lái)自梯度線圈系統(tǒng)3的聲音具有吸收效果。孔8的大小決定了尤其對(duì)哪些頻率發(fā)生聲音吸收效果，使得可以通過(guò)最適當(dāng)?shù)剡x擇孔8的大小(直徑和具有特定直徑的部件的各個(gè)長(zhǎng)度)，對(duì)于落入聽(tīng)覺(jué)范圍內(nèi)的梯度線圈系統(tǒng)3的本征頻率優(yōu)化聲音吸收效果。
圖2顯示了類似于圖1的橫截面圖，區(qū)別在于圖2顯示的MRI設(shè)備11與MRI設(shè)備1的唯一區(qū)別涉及射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)14的實(shí)施例。更具體地，兩個(gè)實(shí)施例相互區(qū)別于射頻發(fā)射線圈14的孔18的取向，孔18的開(kāi)口端不唯一地位于圓柱形梯度線圈系統(tǒng)3一側(cè)，而是可選擇位于圓柱形線圈系統(tǒng)3一側(cè)和診斷空間5一側(cè)。孔18具有相同的大小，盡管這在本發(fā)明的框架內(nèi)不是必須的。由于開(kāi)口端可位于射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)14的任一側(cè)(從徑向方向看去)，因此對(duì)來(lái)自圓柱形梯度線圈系統(tǒng)3的方向的聲音以及來(lái)自診斷空間5的方向的聲音有聲音吸收效果。
圖3a示意性以橫截面視圖的形式顯示了按照本發(fā)明的MRI設(shè)備21。MRI設(shè)備21是開(kāi)放型的。盡管它與封閉型MRI設(shè)備具有不同的設(shè)計(jì)，但開(kāi)放型MRI設(shè)備21包括與封閉型MRI設(shè)備相同的主要部件，即，主磁系統(tǒng)22、梯度線圈系統(tǒng)23和射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)24。所述系統(tǒng)22、23、24主要由設(shè)置在診斷空間25兩側(cè)的兩個(gè)部分組成。位于診斷空間25底側(cè)的系統(tǒng)22、23、24的部分容納在基本為盤形的下部外殼(未示出)中，而位于診斷空間上側(cè)的系統(tǒng)22、23、24的部分容納在基本為盤形的上部外殼(未示出)中。下部外殼和上部外殼由立柱26相互連接。這里對(duì)開(kāi)放型MRI設(shè)備的更詳細(xì)的描述不是必須的，首先因?yàn)殚_(kāi)放型MRI設(shè)備對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)通常是已知的，其次因?yàn)閷?duì)于理解發(fā)明不需要更多的解釋。
射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)24包括兩個(gè)基本盤形的、由樹(shù)脂材料制成的差不多為固體的盤29，所述盤設(shè)置在診斷空間25的任一側(cè)。在本發(fā)明的框架內(nèi)，對(duì)于在射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)中形成聲音吸收孔的優(yōu)選實(shí)施例來(lái)說(shuō)，所述盤是固體的還是由樹(shù)脂材料制成并不重要。或者，例如可以使用不必須是固體的聚碳酸酯。按照?qǐng)D1和2分別用在MRI設(shè)備1和11中的繞組7已被替代為診斷空間25側(cè)的導(dǎo)電盤27。在遠(yuǎn)離診斷空間25的射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)24的系統(tǒng)部件側(cè)也存在導(dǎo)電盤28，然而導(dǎo)電盤28比導(dǎo)電盤27薄得多。
位于兩個(gè)導(dǎo)電盤27、28之間的是樹(shù)脂材料制成的載體盤29，載體盤由兩個(gè)粘合在一起的子盤30、31構(gòu)成。孔32在診斷空間25一側(cè)具有開(kāi)口端，且相對(duì)的封閉端形成在載體盤29中。因此，在子盤31的厚度內(nèi)延伸的孔32的直徑比在子盤30的厚度內(nèi)延伸的孔32的直徑要小。在子盤30和31之間過(guò)渡位置處的孔32的長(zhǎng)度內(nèi)產(chǎn)生直徑的跳躍，這對(duì)于可以理解的制造原因是有利的。在孔32的開(kāi)口端的位置處，導(dǎo)電盤27類似地設(shè)有開(kāi)口，所述開(kāi)口的直徑與在子盤31內(nèi)延伸的孔32的直徑相對(duì)應(yīng)。
如上所述，在這種情況下，孔32的存在對(duì)來(lái)自診斷空間25的聲音提供了聲音吸收效果。或者，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的那樣，孔32的開(kāi)口端可指向梯度線圈系統(tǒng)23的相關(guān)部分，或可選地指向梯度線圈系統(tǒng)23的相關(guān)部分和并指向診斷空間25，這或多或少地與按照?qǐng)D2的MRI設(shè)備11的情形類似。
圖3b是清楚的按照?qǐng)D示的視圖如下方式的示意圖，在這種方式中孔分布在射頻線圈系統(tǒng)24的系統(tǒng)部件的區(qū)域上。在各孔30之間選擇了使用恒定的中心到中心的距離，當(dāng)然這對(duì)本發(fā)明不是必要的。因注意在其說(shuō)明中在孔30的封閉端一側(cè)的大的直徑(未示出)在圖3中以虛線示出。如附圖所示，就在開(kāi)口端和封閉端位置處直徑的大小而言，孔30是彼此不同的。因此，孔及其聲音吸收效果可最佳地適應(yīng)于存在于梯度線圈系統(tǒng)23中的各本征頻率。除各部件的直徑以外，所述部件的長(zhǎng)度也可改變。
圖4a-4c顯示了聲音吸收通道的可選實(shí)施例，所述可選實(shí)施例可用于形成按照本發(fā)明的MRI設(shè)備的部分的聲音吸收板中。在圖4a中顯示的通道40在具有自由表面44的聲音吸收板43內(nèi)的開(kāi)口端41和封閉端42之間延伸。具有圓形橫截面的通道40包括在兩端41和42之間的直角，從而在平行于自由平面44的方向產(chǎn)生通道40的具有必要長(zhǎng)度的部分，這部分在聲音吸收板43內(nèi)沿垂直于自由表面44的方向上是不能獲得的。
如圖4b所示的具有自由表面51的包括聲音吸收通道52，聲音吸收通道52具有開(kāi)口端53和兩個(gè)封閉端54、55。在開(kāi)口端53側(cè)，通道52包括單圓柱形空間56，其分支為分別在封閉端54和55一側(cè)上、具有相互不同直徑的圓柱形空間57、58。通過(guò)改變空間56、57、58的大小可將聲音吸收通道52調(diào)整成衰減特定頻率。
按照?qǐng)D4c的聲音吸收通道60的直徑從開(kāi)口端61到其封閉端62逐步增加，以形成具有不同直徑的三個(gè)部分63、64、65。
盡管上文已經(jīng)基于使用用于獲得聲音吸收效果的孔說(shuō)明了本發(fā)明，在本發(fā)明的框架內(nèi)也可以使用聲音吸收材料、例如玻璃棉。也可以如下組合，圍繞各孔的開(kāi)口端提供像玻璃棉這樣的聲音吸收材料。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像(MRI)設(shè)備，包括診斷空間；主磁系統(tǒng)，用于在所述診斷空間中產(chǎn)生主磁場(chǎng)；梯度磁線圈系統(tǒng)，包括用于產(chǎn)生主磁場(chǎng)的至少一個(gè)梯度的梯度線圈；以及噪聲減少裝置，用于減少由于梯度線圈的振動(dòng)產(chǎn)生的噪聲，其特征在于噪聲減少裝置包括設(shè)置在梯度線圈和診斷空間之間的聲音吸收板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板對(duì)于20Hz-4000Hz的頻率范圍的至少一部分具有大約至少0.5的吸收系數(shù)，更優(yōu)選地具有大約至少0.75dB的吸收系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板包括具有開(kāi)口端和封閉端的通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于所述通道至少基本沿平行于診斷空間和梯度線圈之間的方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于所述通道至少在它們的封閉端一側(cè)至少基本垂直于診斷空間和梯度線圈之間的方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于至少一些通道的開(kāi)口端位于面向診斷空間的相關(guān)通道的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于至少一些通道的開(kāi)口端位于面向梯度線圈的相關(guān)通道的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于在相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)的通道的至少一部分的橫斷面尺寸最大為15mm，優(yōu)選最大為10mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求3-8任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于在其相關(guān)封閉端一側(cè)的通道的至少一部分的橫斷面尺寸不同于相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)的通道部分的橫斷面尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于相關(guān)封閉端一側(cè)的通道部分的橫斷面尺寸大于相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)的通道部分的橫斷面尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于相關(guān)封閉端一側(cè)的通道部分的橫斷面尺寸與相關(guān)開(kāi)口端一側(cè)的通道部分的橫斷面尺寸之間的比例至少約為2.5，優(yōu)選至少約為4.0。
12.根據(jù)權(quán)利要求3-9中任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于在相鄰?fù)ǖ赖南嚓P(guān)最大橫斷面尺寸位置處的相鄰?fù)ǖ乐g的最小間隔最大為相關(guān)的最大橫斷面尺寸之和的50％，優(yōu)選最大為相關(guān)的最大橫斷面尺寸之和的35％。
13.根據(jù)權(quán)利要求3-12中任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板的通道的尺寸相互不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求3-13中任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板設(shè)有產(chǎn)生和/或接收診斷空間中的射頻信號(hào)的射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)包括至少部分地在至少一些通道之間延伸的導(dǎo)電繞組。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于射頻發(fā)射線圈系統(tǒng)包括至少一個(gè)導(dǎo)電層，在診斷空間一側(cè)聲音吸收板被涂敷該導(dǎo)電層，在該導(dǎo)電層中開(kāi)口位于可能出現(xiàn)在診斷空間一側(cè)的通道的任何開(kāi)口端位置處。
17.根據(jù)權(quán)利要求3-16中任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板由許多鄰接、優(yōu)選為粘接在一起的子板構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求3-17中任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于聲音吸收板在開(kāi)口端之間被涂敷有聲音吸收材料，所述聲音吸收材料對(duì)于20HzH-4000Hz的頻率范圍的至少一部分具有至少0.5的吸收系數(shù)。
19.根據(jù)權(quán)利要求前述任一項(xiàng)所述的磁共振成像(MRI)設(shè)備，其特征在于所述聲音吸收板包括玻璃棉。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種磁共振成像(MRI)設(shè)備(21)，包括診斷空間(25)、用于在所述診斷空間中產(chǎn)生主磁場(chǎng)的主磁系統(tǒng)(22)、包括用于產(chǎn)生主磁場(chǎng)的至少一個(gè)梯度的梯度磁線圈系統(tǒng)(23)、以及用于減少梯度線圈的振動(dòng)所產(chǎn)生的噪聲的噪聲減少裝置(29，32)。噪聲減少裝置包括布置在梯度線圈和診斷空間之間的聲音吸收板(29)。所述聲音吸收板(29)包括具有開(kāi)口端和封閉端的通道。
文檔編號(hào)G01R33/385GK1791805SQ200480013816
公開(kāi)日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月22日
發(fā)明者N·B·魯澤恩, R·P·克萊霍斯特, C·L·G·哈姆, M·R·拉格蘭格 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司