測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，在光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。將電荷傳輸晶體管置為開啟狀態，可調電源從0V開始掃描電壓到可調電源的最高電壓，電壓測量表讀出值會從0V開始跟隨可調電源電壓的變化，當跟隨到一定數值時電壓測量表讀出值不再變化，此讀出值為電壓測量表所測到的最高值，此最高值為圖像傳感器像素的完全耗盡電壓值。能夠方便、高效、準確地測量圖像傳感器像素單元中的光電二極管管完全耗盡電壓。
【專利說明】測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種圖像傳感器測量技術，尤其涉及一種測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置。
【背景技術】
[0002]圖像傳感器使用感光像素采集圖像的光信息，感光像素中的光電二極管將光信號轉換為電信號，光電二極管接受到的光量越多所產生的電信號量越強。所述電信號量使用光電電荷量來衡量，光電二極管能容納的電荷量多少與其電壓擺幅有關系。眾所周知，電荷電量=電容X電壓，對于面積相同的像素單元，電容值差別較小，所以電荷電量的多少主要取決于電壓參數。
[0003]現有技術中的圖像傳感器像素一般采用N型光電二極管，N型光電二極管上層為P+型Pin層，中間是收集光電電荷的N型區域，下層是P型外延層，上中下組成PN、NP型兩個Pn結。所述N型區域容納電荷量的能力，與其電壓擺幅成正比關系；所述N型區域的最低電壓為GND(地)電位，最高電壓為完全耗盡電壓，所以N型區域容納電荷量的能力與完全耗盡電壓成正比；完全耗盡的意思是，所述N型區的電荷已經完全被清除，即使外部再提高電壓清除電荷，此N型區的電壓也不會變化。
[0004]現有技術中的圖像傳感器像素，光電二極管的完全耗盡電壓不能太低，否則電荷容量過低會影響動態范圍；光電二極管的完全耗盡電壓不能太高，否則光電二極管中的光電電荷不能夠被完全轉移而造成浪費。目前還沒有一種合理有效的方法用來測定光電二極管的完全耗盡電壓，以方便并更有效地設計出高質量的圖像傳感器像素，來提高傳感器采集圖像的質量。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的是提供一種能夠方便、高效、準確地測量圖像傳感器像素單元中的光電二極管管完全耗盡電壓的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置。
[0006]本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的:
[0007]本實用新型的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，所述圖像傳感器像素包含光電二極管、電荷傳輸晶體管，所述光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，所述電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。
[0008]由上述本實用新型提供的技術方案可以看出，本實用新型實施例提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，由于光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。將電荷傳輸晶體管置為開啟狀態，可調電源從OV開始掃描電壓到可調電源的最高電壓，所述電壓測量表讀出值會從OV開始跟隨可調電源電壓的變化，當跟隨到一定數值時電壓測量表讀出值不再變化，此讀出值為電壓測量表所測到的最高值，此最高值為圖像傳感器像素的完全耗盡電壓值。能夠方便、高效、準確地測量圖像傳感器像素單元中的光電二極管管完全耗盡電壓。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型實施例提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置的結構示意圖；
[0010]圖2a是本實用新型提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法中，可調電源電壓小于完全耗盡電壓時的勢阱示意圖；
[0011]圖2b是本實用新型提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法中，可調電源電壓等于完全耗盡電壓時的勢阱示意圖；
[0012]圖2c是本實用新型提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法中，可調電源電壓大于完全耗盡電壓時的勢阱示意圖；
[0013]圖3是本實用新型提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法中，可調電源輸出電壓值與電壓測量表讀出值的關系示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將對本實用新型實施例作進一步地詳細描述。
[0015]本實用新型的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其較佳的【具體實施方式】是:
[0016]所述圖像傳感器像素包含光電二極管、電荷傳輸晶體管，所述光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，所述電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。
[0017]所述光電二極管為N型光電二極管。
[0018]所述光電二極管通過設置第一接觸孔與金屬線連接，所述金屬線的另一端與所述電壓測量表連接。
[0019]所述第一接觸孔與所述電荷傳輸晶體管之間的距離大于或等于0.5倍的光電二極管尺寸。
[0020]所述第一接觸孔處不設置P+型pin層，所述第一接觸孔處使用N型離子注入，注入區深度大于或等于0.2um，注入區離子濃度大于或等于lE+16Atom/cm3。
[0021]所述N型離子是磷離子或砷離子。
[0022]所述電荷傳輸晶體管為N型晶體管，其源極端為光電二極管、漏極端為N+有源區。
[0023]所述電荷傳輸晶體管的漏極端通過設置第二接觸孔與金屬線相連接，所述金屬線的另一端與所述可調電源相連接。
[0024]本實用新型的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置實現測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法，包括步驟:
[0025]將所述電荷傳輸晶體管置為開啟狀態，所述可調電源從OV開始掃描電壓到可調電源的最高電壓，所述電壓測量表讀出值會從OV開始跟隨可調電源電壓的變化，當跟隨到一定數值時電壓測量表讀出值不再變化，此讀出值為電壓測量表所測到的最高值，此最高值為圖像傳感器像素的完全耗盡電壓值。
[0026]所述可調電源的最高電壓為2.8V?3.6V。
[0027]本實用新型的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，在現有像素單元的基礎上，在光電二極管區域添加一接觸孔及相應金屬連線，并與外部一電壓測量表相連，通過開啟電荷傳輸晶體管，連續掃描電荷傳輸晶體管的漏極端電壓，監測電壓測量表的最高讀出數值，方便而準確地確定了像素中光電二極管的完全耗盡電壓值。能夠方便、高效、準確地測量圖像傳感器像素單元中的光電二極管管完全耗盡電壓。
[0028]具體實施例:
[0029]測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置的基本結構如圖1所示。圖1中，101為光電二極管電荷收集區域，此區域為N型離子注入區，102為N型離子注入區，103為P+型Pin層，104為電荷傳輸晶體管，105為電荷傳輸晶體管的漏極區，106為電壓測量表，107為可調電源。其中，102區的不設置P+型Pin層，并且102區的N型離子濃度大于等于lE+16Atom/cm3,102區的深度大于等于0.2um，此N型區的注入離子可以是磷離子，也可以是砷離子，設置102區的目的是能夠更好使101區與外界金屬連接；所述102區距離104，大于等于0.5倍的光電二極管尺寸，即102區需要遠離電荷傳輸晶體管104，102區位于圖1中的光電二極管的左半側，以便使本實用新型所測量的完全耗盡電壓值更準確。圖1中的接觸孔位于102區，所述接觸孔與金屬線相連，此金屬線的另一端與電壓測量表106相連，此金屬線的電壓與光電二極管電荷收集區域101區的電壓相等，記作Vs。電荷傳輸晶體管104的柵極端為TX，在測量像素的完全耗盡電壓的操作中，電荷傳輸晶體管被置為開啟狀態，即TX與電源最高電壓相連接，電壓范圍為2.8V?3.6V，所述電荷傳輸晶體管104為N型晶體管。105區也是使用一接觸孔與金屬線相連，此金屬線的另一端與一可調電源107相連，因此105區的電壓與107的正極相等，記作Vd。所述101、102、103、105制作在半導體基體中，所述半導體基體為P型外延層，即P-epi區。所述電壓測量表的正極端與102區相連，記作Vs,負極端與GND (地電位)相連；所述107的正極端與105相連，記作Vd，負極端與GND相連。圖1所示的像素，光電二極管區域，上層103區為光電二極管的正極，中間層101為光電二極管的負極，下方的P^pi為光電二極管的正極，因此像素中的PN、NP型結構組成了 N型光電二極管結構。
[0030]以下詳細闡述采用本實用新型實施例中的像素測量完全耗盡電壓的方法步驟。所述圖像傳感器像素完全耗盡電壓的測量方法為，可調電源107從OV開始掃描電壓到電源最高電壓，電壓測量表106讀出值會從OV開始跟隨可調電源107電壓的變化，當跟隨到一定數值時電壓測量表讀出值不再變化，此讀出值為電壓測量表所測到的最高值，此最高值為圖像傳感器像素的完全耗盡電壓值。所述圖像傳感器像素完全耗盡電壓方法的像素勢阱示意圖，如圖2a、2b、2c所示；本實用新型提供的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的方法中，可調電源107輸出電壓值與電壓測量表106讀出值的關系示意圖，如圖3所示。
[0031]圖2a所示的勢講示意圖，為對應圖1所示的101區、102區、104晶體管溝道和105區的勢阱關系圖。其中，Vpin標記完全耗盡電壓的位置；可調電源的正極端電壓Vd = VI，Vl值較小，Vl小于完全耗盡電壓；104的柵極端TX = Vdd, Vdd為電源最高電壓，電壓范圍為2.8V?3.6V ；106所探測到的電壓值Vs = VI，此時電壓測量表106的讀出值跟隨可調電源107的電壓值。如圖2a所示，101區、102區、104溝道和105的電勢持平相等。
[0032]圖2b所示，為可調電源電壓等于完全耗盡電壓時的勢阱示意圖。圖2b所示，101勢阱區的電荷恰好被完全耗盡，即101區沒有可移動的電荷；102區沒有被完全耗盡，因為102區的最高電勢大于Vpin電壓。圖2b所示，可調電源的電壓Vd = V2，因為恰好完全耗盡，所以101區的完全耗盡電壓Vpin = V2，即Vs = Vpin = V2。
[0033]圖2c所示，為可調電源電壓大于完全耗盡電壓時的勢阱示意圖。圖2c中，可調電源的電壓Vd = V3, V3大于Vpin電壓；因為，101區的電荷已經被完全耗盡，所以101區的電勢仍然等于Vpin電壓。因此，像素中的光電二極管所檢測到的最高電壓讀出值，即V2，為完全耗盡電壓。
[0034]結合圖2a?圖2c，所示的勢阱示意圖，可以得到圖3所示的Vd?Vs關系曲線圖。圖3中，水平軸為Vd，即可調電源107的輸出電壓值；豎直軸為Vs，即電壓測量表的讀出值。圖3中，示出的V1、V2、V3、Vpin為圖2a?圖2c中的所示的電壓值。圖3所示，Vl小于Vpin電壓，與圖2a對應；V2恰好等于Vpin，與圖2b對應；V3大于Vpin，與圖2c對應。
[0035]以上所述，僅為本實用新型較佳的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本實用新型披露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，所述圖像傳感器像素包含光電二極管、電荷傳輸晶體管，其特征在于，所述光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，所述電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。
2.根據權利要求1所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述光電二極管為N型光電二極管。
3.根據權利要求2所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述光電二極管通過設置第一接觸孔與金屬線連接，所述金屬線的另一端與所述電壓測量表連接。
4.根據權利要求3所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述第一接觸孔與所述電荷傳輸晶體管之間的距離大于或等于0.5倍的光電二極管尺寸。
5.根據權利要求4所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述第一接觸孔處不設置P+型Pin層。
6.根據權利要求1所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管為N型晶體管，其源極端為光電二極管、漏極端為N+有源區。
7.根據權利要求6所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管的漏極端通過設置第二接觸孔與金屬線相連接，所述金屬線的另一端與所述可調電源相連接。
【文檔編號】G01R19/00GK204028207SQ201420475712
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月21日 優先權日:2014年8月21日
【發明者】郭同輝, 曠章曲 申請人:北京思比科微電子技術股份有限公司
專業數控銑床產品供應商
20年生產經驗，實力工廠，精工品質，質量有保障
