專利名稱:像素實(shí)現(xiàn)的電流頻率變換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及輻射檢測領(lǐng)域,尤其涉及但并不僅限于x光的檢測。對于x光檢查尤其是醫(yī)學(xué)檢查目的來講,并因此而對于位于如 人體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的檢查來講,x光檢測是主要技術(shù)。現(xiàn)已開發(fā)出用 于各種計(jì)算機(jī)X線斷層成像術(shù)(CT)用途的多種X光檢測器。X 光檢測器通常構(gòu)造成離散形式并包括兩個(gè)維度光電二極管陣列和離 散電子裝置,以對從光電二極管獲取的電荷進(jìn)行處理。對所獲取的 信號(hào)進(jìn)行的處理允許顯現(xiàn)位于如大量的生物材料中的結(jié)構(gòu)、組織和 物質(zhì)。'背景技術(shù)用于顯現(xiàn)所獲取的數(shù)據(jù)的信號(hào)處理通常在數(shù)字信號(hào)處理的基礎(chǔ)上 進(jìn)行。因此,必須將由X光檢測器獲取的表示模擬信號(hào)的電荷變換成 對應(yīng)的用于后來的信號(hào)處理的數(shù)字信號(hào)。文件US 6,163,029公開了一 種X光診斷設(shè)備和對應(yīng)的輻射檢測器。在該專利中,輻射檢測器具有 光電變換裝置,這種光電變換裝置設(shè)置在矩陣中并用于變換通過電荷 穿過試樣撞擊的輻射,并且積累這種電荷;讀取裝置,這種讀取裝置 用于讀取積累在光電裝置中的電荷;預(yù)處理電路,這種預(yù)處理電路用 于結(jié)合通過讀取裝置從光電裝置讀出的電荷,以變換成電壓;A/D變 換器,這種A/D變換器用于將來自預(yù)處理電路的模擬電壓信號(hào)時(shí)差變 換成數(shù)字信號(hào);控制裝置,這種控制裝置用于根據(jù)輻射照射條件改變 預(yù)處理電路的特征。US 6,163,029還公開了一種X光固體平板檢測器,這種X光固體 平板檢測器包括多個(gè)光電變換元件,這些光電變換元件對應(yīng)于所設(shè) 置的每個(gè)圖象元件;作為讀取開關(guān)的多個(gè)薄膜晶體管(TFT),這些 薄膜晶體管對應(yīng)于每個(gè)光電變換元件設(shè)置;柵極驅(qū)動(dòng)器,這種柵極驅(qū) 動(dòng)器用于發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào)至每列的TFT的柵極;多個(gè)初始階段集成放 大器,這些初始階段集成放大器共同連接到每排的TFT的漏極;復(fù) 用器,這種復(fù)用器用于將每個(gè)初始階段集成放大器的輸出時(shí)分復(fù)用;
放大器,這種放大器用于將復(fù)用器的輸出放大;ADC,這種ADC用 于實(shí)現(xiàn)放大器的輸出的模/數(shù)轉(zhuǎn)換并輸出到圖象存儲(chǔ)器。在該專利中,在已將獲取的電荷從光電轉(zhuǎn)換元件讀出、由初始階 段集成放大器集成以及復(fù)用之后進(jìn)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換。因此,模/數(shù)轉(zhuǎn)換在 光電轉(zhuǎn)換元件陣列之外進(jìn)行并要求模擬信號(hào)預(yù)處理以及將模擬信號(hào)傳 送到外部模擬數(shù)字變換器。特別是在使用常規(guī)的或有成本效率的光電 二極管作為光電轉(zhuǎn)換元件時(shí),必須將可能非常低的輸出信號(hào)放大并通 過使用如非常長的線路和連接器來傳送到這些外部信號(hào)處理裝置。就 X光檢測器的性能和整體方面而言,強(qiáng)制將檢測器的讀出電子裝置放 置在盡可能接近于光輻射檢測元件的位置,以減少噪音以及所獲取的 多個(gè)信號(hào)之間的串音和干擾。而且,與以如相等形狀的脈沖序列為特 征的數(shù)字信號(hào)的傳送相比,模擬信號(hào)的傳送對微擾更加靈敏。發(fā)明內(nèi)容因此,本發(fā)明的目的在于提供一種以信號(hào)處理裝置為特征的輻射 傳感器,信號(hào)處理裝置用于在基板中對所獲取的信號(hào)進(jìn)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換, 該基板與感測元件所處的基板相同。本發(fā)明提供一種輻射傳感器,這種輻射傳感器具有多個(gè)傳感器元 件,其中,傳感器元件中的每一個(gè)包括輻射檢測部分,輻射檢測部分 適于產(chǎn)生電荷,以回應(yīng)于電磁輻射的撞擊。傳感器元件中的每一個(gè)還 包括電荷積累裝置,這種電荷積累裝置聯(lián)接到輻射檢測部分,以積累 由輻射檢測部分產(chǎn)生的電荷,這種電荷積累裝置包括信號(hào)產(chǎn)生裝置, 這種信號(hào)產(chǎn)生裝置用于在若積累的電荷達(dá)到預(yù)限定的閾值時(shí)產(chǎn)生信 號(hào)。輻射傳感器通常以傳感器元件的一維或二維陣列為特征,也表示 為像素,這些像素表示輻射傳感器的最小離散輻射檢測區(qū)域。根據(jù)本 發(fā)明,輻射檢測器的每個(gè)像素具有電荷積累裝置和信號(hào)產(chǎn)生裝置,信 號(hào)產(chǎn)生裝置用于產(chǎn)生信號(hào)序列,可對這些信號(hào)作為數(shù)字信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一 步的處理。由信號(hào)產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的信號(hào)序列的頻率通常載有由傳感器 元件的輻射檢測部分獲取的電荷的信息。因此,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提 供用于輻射傳感器的每個(gè)像素的模/數(shù)轉(zhuǎn)換,進(jìn)而提供像素水平上的模 /數(shù)轉(zhuǎn)換裝置。
因此,將由每個(gè)傳感器元件即每個(gè)像素獲取的電荷局部變換成數(shù) 字信號(hào)。由于數(shù)字信號(hào)比模擬信號(hào)更有力地抗外部微擾,所以,通過 約束模擬信號(hào)傳輸并且在輻射傳感器的每個(gè)像素或傳感器元件中進(jìn)行 處理,就將對模擬信號(hào)的微擾有效地降到最小,這樣就提高了輻射傳 感器的總體靈敏度和精確度。在另一個(gè)實(shí)施例中,輻射傳感器的信號(hào)產(chǎn)生裝置包括比較器和信 號(hào)產(chǎn)生模塊,這種比較器用于將所積累的電荷與預(yù)限定閾值進(jìn)行比 較,該信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生具有預(yù)先確定的形狀的脈沖信號(hào),以在 所積累的電荷達(dá)到預(yù)限定閾值時(shí)接收由比較器產(chǎn)生的旗信號(hào)作為回 應(yīng)。所產(chǎn)生的脈沖信號(hào)通常以預(yù)先確定的振幅以及預(yù)先確定的脈寬為 特征。因此,可將這種信號(hào)解釋為信號(hào)序列的離散信號(hào),在所積累的 電荷重復(fù)達(dá)到該閾值時(shí)產(chǎn)生這些信號(hào)序列。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,輻射傳感器包括電荷反饋機(jī) 構(gòu),這種電荷反饋機(jī)構(gòu)用于向電荷積累裝置提供恒量電荷,以回應(yīng)于 通過信號(hào)產(chǎn)生裝置進(jìn)行的信號(hào)的產(chǎn)生。這樣,每次通過信號(hào)產(chǎn)生裝置 產(chǎn)生信號(hào)以回應(yīng)于達(dá)到預(yù)限定電荷閾值的積累電荷,就將恒量的電荷 提供給電荷積累裝置,以恢復(fù)低于預(yù)限定閾值的電荷積累水平。特別地,若電荷積累裝置適于積累正電荷,那么在所積累的電荷 高于預(yù)限定閾值時(shí)產(chǎn)生旗信號(hào),當(dāng)電荷積累裝置適于積累負(fù)電荷時(shí), 優(yōu)選在所積累的電荷降到預(yù)限定閾值以下時(shí)產(chǎn)生旗信號(hào)。在任何一種 情形中,反饋機(jī)構(gòu)向所積累的電荷提供固定量電荷的減少或疊加。在 積累正電荷的情況下,若比較器檢測所積累的電荷高于預(yù)限定閾值且 信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生脈沖信號(hào),那么反饋機(jī)構(gòu)提供恒量電荷的減少。因 此,所積累的電荷水平然后降到預(yù)限定閾值以下,且通過連續(xù)的電荷 積累,所積累的電荷重復(fù)地達(dá)到閾值,以產(chǎn)生脈沖信號(hào)序列。這樣, 甚至在輻射傳感器本身的像素內(nèi)可由電荷蓄電器、比較器和信號(hào)產(chǎn)生 模塊有效地產(chǎn)生數(shù)字脈沖列。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,電荷積累裝置適于連續(xù)地積累 電荷。電荷積累裝置通常以電荷集成裝置實(shí)現(xiàn),如積分器。而且,通 過連續(xù)地積累由輻射檢測部分所產(chǎn)生的電荷,輻射檢測絕不進(jìn)行重 置。因此,作為回應(yīng)撞擊在輻射檢測部分上的電磁輻射而產(chǎn)生的電荷 完全由電荷積累裝置或積分器積累。因此,積分器或電荷積累裝置以
不以空載時(shí)間為特征的裝置實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,積分器適于產(chǎn)生旗信號(hào),以回 應(yīng)于超過預(yù)限定閾值的積累電荷或回應(yīng)于降低到預(yù)限定閾值以下的積 累電荷。這是輻射檢測部分發(fā)揮提供負(fù)電荷或正電荷以回應(yīng)于電磁輻 射撞擊的功能的原因。與此相對應(yīng),電荷積累裝置也適于積累正電荷 和負(fù)電荷。優(yōu)選將電荷積累裝置構(gòu)造成積累正電荷或負(fù)電荷。而且, 代表電荷積累裝置的積分器也可構(gòu)造成積累正電荷或負(fù)電荷。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,電荷積累裝置還適于處理由提 供入射電磁輻射的光電轉(zhuǎn)換的輻射檢測部分所產(chǎn)生的微分信號(hào).與此 相對應(yīng),傳感器元件或像素的輻射檢測部分或光電轉(zhuǎn)換部分也適于提 供通常通過兩個(gè)分立導(dǎo)體傳遞到電荷積累裝置的微分信號(hào)。這樣,可 在由微分信號(hào)傳輸和微分信號(hào)處理所提供的所有優(yōu)點(diǎn)方面進(jìn)行全部電 荷積累以及隨后的信號(hào)處理。例如,這種微分信號(hào)傳輸慮及了有效的 共態(tài)抑制,以降低噪音并提高輻射傳感器的靈敏度。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,由信號(hào)產(chǎn)生裝置尤其是信號(hào)產(chǎn) 生模塊所使用的預(yù)限定閾值是可變的且確定脈沖信號(hào)的產(chǎn)生頻率。假 設(shè)傳感器元件經(jīng)受電磁輻射的連續(xù)撞擊,輻射檢測部分產(chǎn)生由電荷積 累裝置提供的電流,且這種電流的電荷由該電荷積累裝置積累。因此, 電荷積累裝置即積分器的輸出不斷地增加。比較器無論在何時(shí)檢測達(dá) 到閾值,均會(huì)產(chǎn)生旗信號(hào),從而導(dǎo)致脈沖信號(hào)的產(chǎn)生。通過降低預(yù)限 定閾值,就會(huì)在較短的時(shí)間間隔內(nèi)達(dá)到所積累的電荷的閾值水平,這 樣就導(dǎo)致較短的時(shí)間間隔之后的重復(fù)的信號(hào)產(chǎn)生。在對應(yīng)的方式中, 通過增加閾值可增加所產(chǎn)生的兩個(gè)連續(xù)的脈沖信號(hào)之間的時(shí)間間隔。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,電荷積累裝置和信號(hào)產(chǎn)生裝置尤其是比較器和信號(hào)產(chǎn)生模塊構(gòu)成電流頻率變換器(current to frequency converter),且傳感器元件代表輻射檢測片的4象素,優(yōu)選輻 射檢測片以集成電路實(shí)現(xiàn)。特別地,由傳感器元件的輻射檢測部分所 產(chǎn)生的電流的強(qiáng)度確定電荷積累速度,并因此而支配連續(xù)產(chǎn)生的兩個(gè) 脈沖信號(hào)之間的時(shí)間間隔。因此,由于如撞擊輻射的增加強(qiáng)度而導(dǎo)致 的電流的增加直接與較短的脈沖間隔相關(guān)。這樣,所產(chǎn)生的信號(hào)的頻 率會(huì)由于入射輻射強(qiáng)度的增加而增加。所以,本發(fā)明提供具有多個(gè)像 素的輻射傳感器,每個(gè)像素以嵌入的電流頻率變換器為特征。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)(CMOS)或類似的集成電路制造工藝的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)輻射檢測部分和/ 或電荷積累裝置和/或信號(hào)產(chǎn)生裝置。而且,傳感器元件的這些器件均 互為旁邊地布置在共用基板上。基于CMOS技術(shù)的實(shí)現(xiàn)慮及了輻射 傳感器的成本效率實(shí)現(xiàn)并適于輻射傳感器和傳感器元件的大規(guī)模制 造。在另一個(gè)方面,本發(fā)明提供具有多個(gè)傳感器元件的輻射傳感器, 每個(gè)傳感器元件包括光電檢測部分,該光電檢測部分提供電流,以 回應(yīng)于電磁輻射的撞擊;電流積分器,該電流積分器聯(lián)接到該光電檢 測部分,以積累由電流提供的電荷;比較器,該比較器用于對由電流 積分器積累的電荷與預(yù)限定閾值進(jìn)行比較;脈沖發(fā)射器,若所積累的 電荷達(dá)到預(yù)限定閾值,該脈沖發(fā)射器產(chǎn)生脈沖信號(hào).在優(yōu)選實(shí)施例中, 輻射傳感器包括傳感元件的二維陣列,每個(gè)傳感器元件包括根據(jù)本發(fā) 明的光電檢測部分、電流積分器、比較器和脈沖發(fā)射器。根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,光電檢測部分對X光靈敏。在這種情況 下,整個(gè)輻射傳感器適用于X光檢測并優(yōu)選設(shè)計(jì)成結(jié)合在X光檢查 設(shè)備中,如生物組織的X光檢查或位于大量培養(yǎng)基中的非易卸結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)方面,本發(fā)明提供具有根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)輻射傳感 器的X光檢查設(shè)備。輻射傳感器具有多個(gè)傳感器元件,每個(gè)傳感器元 件包括光電檢測部分,該光電檢測部分提供電流,以回應(yīng)于電磁輻 射的撞擊,優(yōu)選這種電磁輻射在X光波長的范圍內(nèi);電流積分器,該 電流積分器聯(lián)接到該光電檢測部分,以積累由電流承栽的電荷;脈沖 發(fā)射器,若由電流積分器所積累的電荷達(dá)到預(yù)限定閾值,該脈沖發(fā)射 器產(chǎn)生脈沖信號(hào)。
在下面進(jìn)行的描述中,應(yīng)注意到,權(quán)利要求書中的任何參考符號(hào) 并不解釋為對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限制。圖1示出了輻射傳感器和傳感器元件的示意性框圖;圖2示出了具有多個(gè)輻射傳感器的輻射檢測器的示意性框圖,每個(gè)輻射傳感器具有多個(gè)傳感器元件;圖3示出了傳感器元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖4示出了反映積分器輸出和脈沖信號(hào)產(chǎn)生的圖表。
具體實(shí)施方式
圖1示出了具有至少一個(gè)傳感器元件102的輻射傳感器100的示 意性框圖,傳感器元件102依次包括輻射檢測區(qū)域104和信號(hào)處理模 塊106。輻射檢測區(qū)域向信號(hào)處理模塊106提供電流,以回應(yīng)于電磁 輻射108的檢測。輻射檢測區(qū)域104通常以CMOS光電二極管實(shí)現(xiàn), CMOS光電二極管向信號(hào)處理模塊106提供電流,該電流表示電磁輻 射108的強(qiáng)度。輻射檢測區(qū)域104通常覆蓋傳感器元件102的主要部 分。信號(hào)處理模塊106通常布置在輻射檢測區(qū)域旁,且輻射檢測區(qū)域 104和信號(hào)處理模塊106均在共用基板上實(shí)現(xiàn),例如,通過利用CMOS 技術(shù)。信號(hào)處理模塊106通常包括電荷積累裝置和信號(hào)產(chǎn)生裝置,以將 從輻射檢測區(qū)域104接收的電流變換成離散信號(hào)并因此而成為數(shù)字信 號(hào)的脈沖列。因此,信號(hào)處理模塊106用作預(yù)處理裝置和位于輻射傳 感器100的每個(gè)像素102中的模/數(shù)轉(zhuǎn)換元件。有利的是,所獲取的信 號(hào)的這種預(yù)處理有助于避免將模擬信號(hào)經(jīng)過明顯的距離傳送到位于輻 射傳感器100的傳感器元件102的陣列之外的模擬信號(hào)處理裝置的問 題。通過嵌入輻射傳感器100的像素102中來實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理模塊106, 輻射檢測就可更加有力地抗干擾、微擾和噪音,因?yàn)橛尚盘?hào)處理模塊 106所產(chǎn)生的數(shù)字信號(hào)在傳輸?shù)竭m于形成所獲取的輻射108的可視圖 象的圖象處理裝置期間對任何類型的干擾特別不靈敏。圖2示意性地示出了輻射檢測器140的框圖。輻射檢測器140具 有三個(gè)輻射傳感器130、 132和134。圖中代表性地示出了輻射傳感器 130的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。輻射傳感器130包括傳感器元件102、 112、 122... 的陣列。這些傳感器元件102、 112、 122中的每一個(gè)并包括輻射檢測 區(qū)域104如光電二極管以及如在圖1中示出的信號(hào)處理模塊106。這 些傳感器元件102、 112、 122中的每一個(gè)適于單獨(dú)地產(chǎn)生數(shù)字脈沖列, 以回應(yīng)于電磁輻射尤其是X光的撞擊。在典型的實(shí)施方式中,如在X 光檢查設(shè)備中,這種輻射檢測器140可具有大量的輻射傳感器,如幾 百個(gè)。這些輻射傳感器130、 132、 134也可表示為光敏片或電荷耦合 器件(CCD)片。而且,在典型的實(shí)施方式中,每個(gè)輻射傳感器130、132、 134可具有大量的像素,甚至可達(dá)幾百或幾千,這些像素中的每 一個(gè)典型地以在平方亳米或子平方毫米范圍內(nèi)的尺寸為特征。特別地,由于通過利用CMOS技術(shù)在共用基板上集成實(shí)現(xiàn)光電 轉(zhuǎn)換部分和各自的預(yù)處理裝置,所以可在大規(guī)模制造工藝中以有成本 效率的方式制造片130。圖3示出了傳感器元件102的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其信號(hào)處理模塊106的 框圖。信號(hào)處理模塊106具有加法器150、積分器152、比較器154、 脈沖發(fā)生器156和電荷反饋模塊158。通過信號(hào)處理模塊106將入射 在輻射檢測區(qū)域104上的電磁輻射108變換成離散信號(hào)脈沖列,可在 傳感器元件102的輸出端口 160檢測這些離散信號(hào)脈沖列。加法器150適于將由輻射檢測區(qū)域104提供的和由電荷反饋模塊 158提供的電荷疊加。加法器150的輸出端聯(lián)接到積分器152的輸入 端,積分器152用于積累由加法器的輸出端提供的電荷。例如,若將 積分器152設(shè)計(jì)成用于積累正電荷,那么其輸出端162在恒定的強(qiáng)度 入射在輻射檢測區(qū)域上并產(chǎn)生聯(lián)接到積分器152的恒定電流時(shí)提供上 升信號(hào)。由積分器152所產(chǎn)生的這種上升信號(hào)聯(lián)接到比較器154,比 較器154將這種上升信號(hào)與預(yù)限定閾值進(jìn)行比較。在這種信號(hào)達(dá)到閾 值或者超過閾值的情況下,這種比較器產(chǎn)生傳輸?shù)矫}沖發(fā)生器156的 旗信號(hào)。為了回應(yīng)接收表明已達(dá)到集成電荷的預(yù)限定閾值水平的這種 旗信號(hào),脈沖發(fā)生器模塊156產(chǎn)生具有預(yù)限定振幅和預(yù)限定寬度的離 散脈沖信號(hào)。脈沖發(fā)生器的輸出端聯(lián)接到輸出端口 160并聯(lián)接到電荷反饋模塊 158。電荷反饋模塊158用于將所積累的電荷水平降低到閾值以下。 這樣,在積分器152進(jìn)行連續(xù)的電荷積累時(shí),就會(huì)在某個(gè)時(shí)間間隔之 后反復(fù)地達(dá)到這種閾值水平。因此,脈沖發(fā)生器156產(chǎn)生連續(xù)的脈沖 信號(hào)。脈沖信號(hào)產(chǎn)生的頻率根據(jù)闞值水平以及由輻射檢測區(qū)域104所 提供的電流的強(qiáng)度而變化。在將預(yù)限定閾值保持恒定時(shí),脈沖信號(hào)的 頻率表示由輻射檢測區(qū)域104所產(chǎn)生的電流的強(qiáng)度。在將傳感器元件102的輸出端口 160聯(lián)接到各自的數(shù)字信號(hào)處理 裝置時(shí),可精確地強(qiáng)度脈沖信號(hào)的頻率,以用于所獲取的電磁輻射的 顯現(xiàn)。與模擬信號(hào)傳輸相比,從輸出端口 160到各自的數(shù)字信號(hào)處理 裝置的數(shù)字信號(hào)的傳輸可非常有力的抗外部微擾并且對外部微擾不靈敏。積分器152和輻射檢測區(qū)域104甚至是比較器154也可以作為模 塊來實(shí)現(xiàn),這些模塊適于對通常由兩個(gè)分立導(dǎo)體所傳輸?shù)奈⒎中盘?hào)進(jìn) 行處理。在這種實(shí)施方式中,可有效地抑制由輻射檢測區(qū)域104所產(chǎn) 生的電流的共態(tài)器件,這樣就允許減少傳感器元件102的輸出信號(hào)的 整體噪音。進(jìn)一步來講,由加法器150、積分器152、比較器154、信號(hào)發(fā)射 器156和電荷反饋模塊158所構(gòu)成的電路還可由輻射傳感器100或輻 射檢測器140系統(tǒng)時(shí)鐘計(jì)時(shí)。而且,還可用連續(xù)模式來驅(qū)動(dòng)這種構(gòu)成電流頻率轉(zhuǎn)換器的電路。圖4示出了圖表200,圖表200表明了由積分器152所產(chǎn)生的信 號(hào)202的時(shí)間演化。圖表200還示出了對應(yīng)的脈沖發(fā)生器156的輸出 信號(hào)204的時(shí)間演化。閾值206示出為水平線,且在對應(yīng)于時(shí)間t。的 第一交點(diǎn)208產(chǎn)生信號(hào)210。出于電荷反饋模塊158的原因,信號(hào)202 隨著脈沖210的產(chǎn)生而下降。這種反饋機(jī)理允許反復(fù)地減少所積累的 電荷并使信號(hào)202能夠反復(fù)上升,直到反復(fù)地達(dá)到閾值206。在集成輸出信號(hào)202的坡度表示由輻射檢測區(qū)域104所產(chǎn)生的電 流。電流越大,這種坡度就會(huì)越大,這樣,脈沖信號(hào)的連續(xù)產(chǎn)生之間 的時(shí)間間隔就會(huì)減小。因此,表明入射輻射的較大強(qiáng)度的升高的電流 導(dǎo)致脈沖輸出信號(hào)204的較大頻率。在對應(yīng)的方式中,還可將電流頻率變換器設(shè)計(jì)成用于積累負(fù)電 荷。在這種情況下,集成輸出信號(hào)202的坡度為負(fù)值且閾值表示較低 的閾值。若信號(hào)降低到這種較低的閾值以下,比較器"4就產(chǎn)生對應(yīng) 的旗信號(hào),而且脈沖信號(hào)204也以相同的方式產(chǎn)生。根據(jù)在輻射檢測 區(qū)域104中實(shí)現(xiàn)的光電二極管的類型,這種創(chuàng)造性電流頻率變換器可 普遍地適用于傳感器元件102的光電變換部分104的各種規(guī)格,并且也適用于隨后的數(shù)字信號(hào)處理的各種規(guī)格。例如,通過降低或增加閾 值206,可任意改變脈沖輸出信號(hào)204的基本頻率。附圖標(biāo)記清單100輻射傳感器 102傳感器元件 104輻射檢測區(qū)域 106信號(hào)處理模塊 108輻射 112傳感器元件 122傳感器元件 130輻射傳感器 132輻射傳感器 134輻射傳感器 140輻射檢測器 150加法器 152積分器 154比較器 156脈沖發(fā)生器 158電荷反饋模塊 160輸出端口 162集成輸出端口 200圖表 202集成輸出信號(hào) 204脈沖輸出信號(hào) 206閾值 208交點(diǎn) 210信號(hào)脈沖
權(quán)利要求
1.一種具有多個(gè)傳感器元件(102、112、122)的輻射傳感器(130),所述傳感器元件中的每一個(gè)包括輻射檢測部分(104),所述輻射檢測部分適于產(chǎn)生電荷,以回應(yīng)于電磁輻射(108)的撞擊;電荷積累裝置,所述電荷積累裝置聯(lián)接到所述輻射檢測部分,以積累所述輻射檢測部分的電荷;信號(hào)產(chǎn)生裝置,所述信號(hào)產(chǎn)生裝置用于在若積累的電荷達(dá)到預(yù)限定的閾值時(shí)產(chǎn)生信號(hào)。
2. 如權(quán)利要求1所述的輻射傳感器,其特征在于所述信號(hào)產(chǎn) 生裝置包括比較器(154),所述比較器(154)用于將所積累的電荷與 所述預(yù)限定閾值(206)進(jìn)行比較;信號(hào)產(chǎn)生模塊(156),所述信號(hào)產(chǎn)生模塊(156)用于產(chǎn)生 具有預(yù)先確定的形狀的脈沖信號(hào),以在所積累的電荷達(dá)到所述預(yù)限定 閾值時(shí)接收由所述比較器產(chǎn)生的旗信號(hào)作為回應(yīng)。
3. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于還包括電荷反饋 機(jī)構(gòu)(158),所述電荷反饋機(jī)構(gòu)(158)用于向所述電荷積累裝置提 供恒量電荷,以回應(yīng)于通過所述信號(hào)產(chǎn)生裝置進(jìn)行的信號(hào)的產(chǎn)生。
4. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述電荷積累裝 置適于連續(xù)地積累電荷。
5. 如權(quán)利要求2所述的傳感器,其特征在于所述比較器(154) 適于產(chǎn)生旗信號(hào),以回應(yīng)于超過所述預(yù)限定閾值(206)的積累電荷 或回應(yīng)于降低到所述預(yù)限定閾值以下的積累電荷,且所述電荷積累裝 置適于積累正電荷和負(fù)電荷。
6. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述電荷積累裝 置還適于對所述輻射檢測部分U04)所產(chǎn)生的微分信號(hào)進(jìn)行處理。
7. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述預(yù)限定閾值 是可變的且確定所述信號(hào)的產(chǎn)生頻率。
8. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述電荷積累裝 置和所述信號(hào)產(chǎn)生裝置構(gòu)成電流頻率變換器,且所述傳感器元件(102)代表輻射檢測片(l30)的像素。
9. 如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述輻射檢測部 分(104)和/或所述電荷積累裝置和/或所述信號(hào)產(chǎn)生裝置在互補(bǔ)金屬 氧化物半導(dǎo)體技術(shù)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)且互為旁邊地布置在共用基板上。
10. —種具有多個(gè)傳感器元件(102、 112、 122)的輻射傳感器 (130),所述傳感器元件中的每一個(gè)包括光電檢測部分(104),所述光電檢測部分(104)提供電流, 以回應(yīng)于電磁輻射(108)的撞擊;電流積分器(152),所述電流積分器(152)聯(lián)接到所述光 電檢測部分,以積累由所述電流提供的電荷;比較器(154),比較器(154)用于對由所述電流積分器積 累的電荷與預(yù)限定閾值進(jìn)行比較;脈沖發(fā)射器(156),若所積累的電荷達(dá)到所述預(yù)限定閾值 (206),所述脈沖發(fā)射器(l56)產(chǎn)生脈沖信號(hào)。
11. 如權(quán)利要求10所述的輻射傳感器(130),其特征在于還 包括傳感元件(102、 112、 122)的二維陣列,所述每個(gè)傳感器元件 包括光電檢測部分(104)、電流積分器(152)、比較器(154)和 脈沖發(fā)射器(158)。
12. 如權(quán)利要求10所述的輻射傳感器(130),其特征在于所 述光電檢測部分(104)對X光靈敏。
13. 如權(quán)利要求10所述的輻射傳感器(130),其特征在于所 述電流積分器、所述比較器和所述脈沖發(fā)射器構(gòu)成電流頻率變換器。
14. 一種X光檢查設(shè)備,所述X光檢查設(shè)備具有至少一個(gè)輻射 傳感器(130),所述輻射傳感器(130)具有多個(gè)傳感器元件(102、 112、 122),所述傳感器元件中的每一個(gè)包括光電檢測部分(104),所述光電檢測部分(104)提供電流, 以回應(yīng)于電磁輻射(108)的撞擊;電流積分器(152),所述電流積分器(152)聯(lián)接到所述光 電檢測部分,以積累由所述電流承栽的電荷;脈沖發(fā)射器(156),若由所述電流積分器積累的電荷達(dá)到 預(yù)限定閾值(206),所述脈沖發(fā)射器(156)產(chǎn)生脈沖信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明通過提供具有多個(gè)傳感器元件的輻射傳感器(104),其中,每個(gè)傳感器元件具有光電檢測部分和集成電流頻率變換器,這種集成電流頻率變換器用于所獲取的模擬信號(hào)的嵌入模/數(shù)轉(zhuǎn)換,這種模擬信號(hào)表明撞擊在光電檢測部分上的電磁輻射的強(qiáng)度。檢測器元件通常對應(yīng)于光檢測器如光電二極管的像素。優(yōu)選電流頻率變換器和光電轉(zhuǎn)換部分互為旁邊地布置在共用基板上并且在CMOS技術(shù)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn),并且慮及輻射傳感器的有成本效率的大規(guī)模制造。
文檔編號(hào)G01T1/24GK101128746SQ200580046170
公開日2008年2月20日 申請日期2005年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月6日
發(fā)明者A·肯納, G·沃格特梅爾, M·格納德, R·斯特德曼 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司;弗勞恩霍弗實(shí)用研究促進(jìn)協(xié)會(huì)