專利名稱:探頭及其制造方法
技術領域:
本發明涉及探頭及其制造方法,并且更具體地涉及具有微小節距的探頭及其制造方法,利用所述探頭來制造一種探測卡,其對應于在晶片上以密集形狀或其它各種形狀形成的墊的設置。
背景技術:
通常,半導體集成電路裝置在制作所述裝置時、制作所述裝置之后、或封裝所述裝置時得到測試,以便驗證所述裝置是否在所述裝置的整體或部分電特性完全對應于所述裝置的原始設計的情況下得以制造。
用于執行上述測試的設備是具有測試設備和探測卡(probe card)的探測設備。所述探測卡用來電連接所述測試設備中的各種電信號發生部分和所述半導體集成電路裝置中的墊(pad),或所述測試設備中的電信號檢測部分和所述半導體集成電路裝置中的墊。
常規探測卡之一是在圖1中示出的針型探測卡。所述針型探測卡包括每個具有彎曲端的針型探頭(probe)12。每個針型探頭12的主體(body)設置在固定部件13的規定位置,且然后借助于環氧樹脂固定地附著到固定部件13。固定部件13附著到主電路板11。針型探頭12的另一端借助于焊接連接到主電路板11的規定電路。以這種方式,所述探測卡得以制備。需要彈性以便于將針穩定地連接到所述半導體集成電路裝置的墊。但是,當其被重復使用時,所述針型探頭的水平和位置失真。因此,所述常規針型探測卡所具有的缺陷在于,當使用所述針型探測卡時,需要維護和修理所述探頭。
另一種常規的探測卡是圖2中示出的豎直型探測卡。在主電路板21的上表面設置了固定板23,并且在主電路板21的下表面設置了多個導板24。通過主電路板21、固定板23及導板24形成了多個通孔,所述通孔規則地設置在主電路板21、固定板23及導板24的對應位置。通過通孔分別插入了針型探頭22。從固定板23取出的所述針型探頭的端部借助于焊接分別連接到主電路板21的規定電路。以這種方式,所述探測卡得以制備。但是所述豎直型探測卡也有缺陷,即當其重復使用時,所述探頭的水平失真,并且因此失去其彈性,如同上述針型探頭。此外,所述豎直型探測卡所具有的另一個缺陷在于,由于所述針長且彼此相鄰而設置,當所述探測卡用來測試高速工作類型的半導體集成電路時,導致相鄰針之間的電相互作用,并且因此降低所述測試的精度。
所述針型探測卡和豎直型探測卡的任何一個都具有相對大的尺寸。另一方面,隨著技術的進步,待測試元件變得日益小型化和精密。因此,所述針型探測卡和豎直型探測卡的任何一個都具有的缺陷在于,不能恰當測試小型化且精密的元件。換句話說,沒有相對大的探測卡可測試晶片上的所有元件,這是因為所述晶片上所形成的元件上的多個墊的設置是緊湊而密集的。結果,需要對一個晶片執行幾個測試。
為了克服上述問題,已經發明了緊湊且小型化的探測卡。這種緊湊且小型化的探測卡的代表性實例是微彈簧型探測卡及懸臂型探測卡。
所述微彈簧型探測卡在圖3a中示出,且所述微彈簧型探測卡如以下制造將凸塊(bump)33形成于基板32上,如圖3b中所示。借助于線接合物(wire bonder)將探頭形狀的線34a連接到凸塊33。線34a在其表面被鍍以使線34a粗且堅固。附加的硅晶片35被蝕刻,且然后被鍍,以形成支撐梁34b和探頭尖34c。支撐梁34b接合到線34a以便形成具有探頭尖34的彈簧型探頭34。在如以上所述形成彈簧型探頭34之后將硅晶片35去除。如圖3a中所示,借助于附加加強部件36將具有上述構造的基板32附著到主電路板31。
所述懸臂型探測卡在圖4a中示出,并且所述懸臂型探測卡如以下制造將凸塊43形成于基板42上,如圖4b中所示。在附加的硅晶片44上形成探頭尖45b和支撐梁45a。隨后,將凸塊43的一端接合到支撐梁45a的一端,以形成具有探頭尖45b的探頭45。在如以上所述形成所述探頭之后將硅晶片44去除。如圖4a所示,借助于附加加強部件46將具有上述構造的基板42附著到主電路板41。
借助于所述微彈簧型探測卡和懸臂型探測卡,對具有在其上形成的集成元件的晶片的測試得以順利執行。
但是,所述探頭梁和探頭尖彼此齊平(level)地設置(圖3b中的34b和34c,圖4b中的45a和45b)。當待測試元件上的墊較緊密地聚集時,并且當元件上的墊設置復雜時,引起了問題。例如,在圖4a所示的懸臂型探測卡被用來測試具有如圖5a中所示的元件51的設置的晶片時,需要如圖5b中所示來構造所述懸臂型探測卡。具體地,需要將所有探頭61a設置在具有對應于元件尺寸的尺寸的探測卡60(圖5b)的單元基板61(圖5b)上,以便測試每個元件上的所有墊51a(圖5a)。但是,當沿著邊來設置探頭時,在拐角設置探頭是不可能的。因而,在這種情況下,將一些探頭設置在相鄰的單元基板61上。因此,需要執行兩次或更多次對所述晶片的測試。
在待測試晶片上的墊以直線設置的情況下,所述懸臂型探測卡具有如圖6a和6b中所示的設置。圖6a中所示的節距p對應于所述晶片上的兩個相鄰墊之間的距離。容易理解,所述節距p大于每個探頭65的寬度w。因此當所述晶片上的墊之間的距離小于探頭65的寬度w時,不能快速執行所述測試。
在如以上所述的常規探測卡中,探頭數目的增加是受限的。因此,一次測試多個半導體裝置是不可能的,這不能滿足試圖增加測試效率的半導體裝置制造者的需要。
發明內容
因此,鑒于上述問題而制作了本發明,且本發明的目的是提供一種具有微小節距的探頭及其制造方法,利用所述探頭來制造一種探測卡,其對應于在晶片上以密集形狀或其它各種形狀形成的墊的設置。
根據本發明的一個方面,通過提供一種具有規定厚度并以平板形狀形成的探頭可以實現以上和其它目的,所述探頭包括主體部分,在其中部彎曲,使得當張力或壓縮力在其上端和下端施加到該主體部分時,該主體部分被彈性地張緊或壓縮;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,所述連接部分固定到基板;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,所述尖部分接觸元件的墊。
根據本發明的另一個方面,提供了一種包括探頭的探測卡,每個所述探頭具有規定厚度并以平板形狀形成,其中所述探頭包括主體部分,在其中部彎曲,使得當張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時,所述主體部分被彈性地張緊或壓縮;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,所述連接部分固定到基板;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,所述尖部分接觸元件的墊,其中所述主體部分包括水平部;及第一豎直部,從所述水平部的一端豎直向上彎曲,所述第一豎直部整體地連接到所述尖部分;第二豎直部,從所述水平部的另一端豎直向下彎曲,所述第二豎直部整體地連接到所述連接部分,其中所述主體部分的水平部、第一豎直部及第二豎直部的長度被改變以形成多于兩種的探頭,并且其中所述多于兩種的探頭固定地附著在所述探測卡的基板上。
根據本發明的再一個方面,提供了一種制造探頭的方法,包括步驟1,施加犧牲層于硅晶片的整個上表面上,以光刻膠(photoresist)在其上表面涂覆所述犧牲層,并將具有探頭形狀圖案的第一掩模附著到所述光刻膠的上表面;步驟2,借助于所述第一掩模來曝光并顯影所述光刻膠,并去除所述第一掩模;步驟3,在所述犧牲層的上表面上執行電解鍍以形成第一金屬膜,所述犧牲層具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案;及步驟4,去除所述光刻膠并蝕刻所述犧牲層以從所述硅晶片分離所述第一金屬膜。
從下面結合附圖進行的詳細描述中,本發明的以上和其它目的、特征及其它優點將得到更清楚的理解,在附圖中圖1是示出常規探頭的設置的橫截面視圖;圖2是示出另一種常規探頭的設置的橫截面視圖;圖3a和3b分別是示出另一種常規探頭的設置的橫截面視圖和示出制造該探頭的過程的橫截面視圖;圖4a和4b分別是示出又一種常規探頭的設置的橫截面視圖和示出制造該探頭的過程的橫截面視圖;圖5a是示出待測試元件的實例的平面圖;圖5b是說明用于檢查圖5a所示元件的常規探測卡的制造的平面圖;圖6a和6b分別是示出常規探頭的設置的平面圖和透視圖;圖7a是分別示出本發明的一個優選實施例的透視圖和底視圖;圖7b是分別示出本發明另一個優選實施例的透視圖和底視圖;圖7c是分別示出本發明另一個優選實施例的透視圖和底視圖;圖7d是分別示出本發明另一個優選實施例的透視圖和底視圖;圖8是說明圖7a到7d的形狀的橫截面視圖;圖9是示出本發明又一個優選實施例的透視圖;圖10是說明圖9的形狀的橫截面視圖;圖11a和11b分別是示出本發明的設置的透視圖和平面圖;圖12a和12b分別是示出根據本發明的一個優選實施例的探測卡的透視圖和平面圖;圖12c是圖12a中所示探頭的前視圖;圖13a到13g是說明根據本發明的制造探頭的方法的橫截面視圖;并且圖14a和14b是分別說明在根據本發明的制造探頭的方法中使用的掩模的形狀的視圖。
具體實施例方式
根據本發明優選實施例的探頭在圖7a到7d中示出。參考圖7a的左側,探頭70以彎曲板的形狀形成,并由金屬制成。探頭70具有主體部分70b,該主體部分在其中部彎曲,以便當外力施加到主體部分70b時,主體部分70b被彈性地壓縮和擴張。當張力或壓縮力在其上端和下端施加到主體部分70b時,主體部分70b在規定容限內被彈性地張緊或壓縮。探頭70還具有連接部分70a,該連接部分與主體部分70b的下端整體地形成。連接部分70a用作支撐梁,用于在主體部分70b的一端連接到基板時支撐主體部分70b。探頭70進一步包括與主體部分70b的上端整體地形成的尖部分70c。尖部分70c直接接觸待測試元件的墊。在圖7a左側的X方向上看到的探頭70的底部在圖7a的右側示出。從圖7a可以看出,尖部分70c比連接部分70a向左側延伸的多。這意味著在圖7a左側的水平方向上,尖部分70c設置在探頭70的最外側。如以上所述來構造探頭70的原因是通過所述探頭的交叉設置,相鄰尖部分可以以直線密集設置,稍后將對其進行描述。
參考圖7b的左側,探頭71包括主探頭72,其以彎曲板的形狀形成并由金屬制成;及輔助探頭73,其也以彎曲板的形狀形成并由金屬制成。除了其一端的形狀,輔助探頭73與主探頭72相似。輔助探頭73附著到主探頭72。主探頭72包括主體部分72b,在其中部彎曲,使得當外力施加到主體部分72b時,主體部分72b被彈性地壓縮和擴張;連接部分72a,與所述主體部分72b的一端整體地形成,連接部分72a用作支撐梁,用于在主體部分72b的一端連接到基板時支撐主體部分72b;及尖部分72c,與主體部分72b的另一端整體地形成,尖部分72c直接接觸待測試元件的墊。類似地,輔助探頭73包括主體部分73b,在其中部彎曲,使得當外力施加到主體部分73b時,主體部分73b被彈性地壓縮和擴張;及連接部分73a,與主體部分73b的一端整體地形成,連接部分73a用作支撐梁,用于在主體部分73b的一端連接到基板時支撐主體部分73b。在圖7b左側的X方向上看到的探頭71的底部在圖7b的右側示出。從圖7b可以看出,尖部分72c比連接部分72a和73a向左側延伸的多。如以上所述來構造探頭71的原因是通過所述探頭的交叉設置,相鄰尖部分可以以直線密集設置。當所述探頭如圖11a所示相互交叉而設置時,尖部分110c之間的距離得以減小。圖11b是簡化所述探頭的密集設置的平面圖。從圖11b中可以看出,尖部分110c之間的距離,即節距p,小于常規懸臂型探頭的節距(見圖6a和6b)。探頭尖部分的寬度w1對應于探頭主體部分的寬度w2的一半。因此,有可能制造具有比常規懸臂型探頭的節距小一半的節距p的探測卡。
圖7c中所示的探頭74與圖7b中所示的探頭71相似,除了輔助探頭75設置在主探頭76之下。輔助探頭和主探頭75和75彼此附著。在主探頭76的一端形成尖部分76c。因此,圖7c的探頭74與圖7b的探頭71對稱。
圖7d中所示的探頭77是圖7b和7c的探頭的組合。具體地,探頭77包括主探頭79,具有在其一端形成的尖部分79c;及輔助探頭78和80,分別附著到主探頭79的下側和上側。輔助探頭78和80被提供用于加強所述探頭的強度。
圖8是圖7a到7d中所示的探頭或主探頭的橫截面視圖。圖8的參考符號d1指示探頭81的尖部分81c從探頭81的連接部分81a的左端所延長的長度,而圖8的參考符號d2指示從連接部分81a到尖部分81c的端部的高度。在提供具有不同d1和d2值的各種探頭的情況下,有可能制造提供有附著到基板的各種探頭的探測卡,其對應于復雜或密集墊的設置,稍后將對其進行描述。
根據本發明的又一個優選實施例的探頭在圖9中示出,其中所述探頭具有以直角彎曲的主體部分。如圖9中所示,探頭90包括主體部分90b,其以直角彎曲,使得當外力施加到主體部分90b時,主體部分90b被彈性地壓縮或擴張;連接部分90a,與主體部分90b的一端整體地形成,連接部分90a用作支撐梁,用于在主體部分90b的一個彎曲端連接到基板時支撐主體部分90b;及尖部分90c,與所述主體部分90b的另一個彎曲端整體地形成,尖部分90c直接接觸待測試元件的墊。
如在圖7a到7d中所示的上述優選實施例中,圖9中所示的探頭90可作為主探頭來制備,而輔助探頭可附著到探頭90的一側。可替換地,兩個輔助探頭可分別附著到探頭90的兩側。詳細描述及其附圖將不給出。
圖10是圖9中所示的探頭90的橫截面視圖。圖10的參考符號D1指示從探頭91的水平主體部分91b的一端到尖部分91c的端部的高度,圖10的參考符號D2指示水平主體部分91b的長度,而圖10的參考符號D3指示從水平主體部分91b的另一端到連接部分91a的高度。對應于所述參考符號D1、D2及D3的主體部分91b的部分被稱作第一豎直部、水平部及第二豎直部。
在提供具有不同D1、D2及D3值,即主體部分91b的第一豎直部、水平部及第二豎直部的各種探頭的情況下,如在圖8所示的探頭中,有可能制造提供有附著到基板各種探頭、對應于復雜或密集墊的設置的探測卡。當D2增加時,由于彈性劇烈變化,需要增加探頭的厚度。通過以曲線圖的形式示出從實驗獲得的關系,恒定維持探頭彈性所必要的D2和探頭厚度之間的比例關系可應用于探頭的設計。
圖12a到12c是說明圖90所示探頭90的應用的視圖。圖12a是探測卡的局部透視圖,而圖12b是圖12a所示探測卡的平面圖。實施所述探測卡上的探頭的設置以在如圖5a中所示的晶片上的墊設置上執行測試,如背景技術中所述。從以上附圖可以看出,附著于每個單元基板125上的探頭必須設置在所述單元基板125的區域中。如圖12a中所示,具有如參考圖10所述的不同D1、D2及D3值的各種探頭附著在所述單元基板上。具體地,在所述單元基板上附著有第一探頭121,每個具有大于D1的D1H和小于D3的D3L;第二探頭122,每個具有小于D1的D1L和大于D3的D3H;及第三探頭123,每個具有小于D1的D1L及分別大于D2和D3的D2H和D3H。所述第一、第二和第三探頭具有與圖12c中所示的標準探頭120相同的總高度。所述第一、第二和第三探頭如以下附著在所述單元基板上第二探頭122沿單元基板125的一邊附著,而第一探頭121沿單元基板125的相鄰邊附著,如圖12a中所示。在所述單元基板的相鄰邊之間的拐角,附著了第一探頭121。由于每個第一探頭121的水平部的高度小于每個第二探頭122的水平部的高度,在探頭之間沒有造成干擾。在其中第一探頭121附著在所述單元基板的拐角處的空間不足的情況下,如圖12a中所示,從單元基板125內附著第三探頭123。所述探頭的附著在圖12b中示出,該圖是示出所述探頭的附著的平面圖。所述探頭的附著借助于激光束手工完成。
現在將參考圖13a到13f來描述根據本發明的一個優選實施例的制造探頭的方法,所述圖是示出制造所述探頭的主要步驟的基板橫截面視圖。本發明的探頭制造方法被提供用于制造圖7b中所示的探頭。
如圖13a中所示,將銅層131施加到硅晶片130的整個上表面,該銅層是犧牲層。在其上表面以光刻膠132來涂覆銅層131。在光刻膠132的上表面上附著具有所需探頭的形狀圖案的第一掩模133。第一掩模133具有如圖14a中所示的形狀。如從圖14a的放大部分可見,所述掩模的間隔部分(space part)133a的形狀對應于圖7b中所示的主探頭72的形狀。借助于第一掩模133來曝光及顯影光刻膠132。隨后,去除第一掩模133,如圖13b中所示。在具有借助于所述曝光及顯影而固定的圖案的銅層131的上表面上執行電解鍍。如圖13c中所示,研磨所述銅層的所鍍的上表面以形成具有主探頭72(圖7b)形狀的第一金屬膜134。
如圖13d中所示,在其上表面以光刻膠135來涂覆光刻膠132和第一金屬膜134。在光刻膠135的上表面上附著具有所需探頭的形狀圖案的第二掩模136。第二掩模136具有圖14b中所示的形狀。如從圖14b的放大部分可見,所述掩模的間隔部分136a的形狀對應于圖7b中所示的輔助探頭73的形狀。借助于圖13d的第二掩模136來曝光及顯影光刻膠135。隨后,去除第二掩模136,如圖13e中所示。在具有借助于所述曝光及顯影而固定的圖案的第一金屬膜134的上表面上執行電解鍍。如圖13f中所示,研磨所述第一金屬膜的所鍍的上表面以形成具有輔助探頭73(圖7b)形狀的第二金屬膜137。
最后,去除圖13f的光刻膠132和135,然后借助于濕蝕刻方法來蝕刻圖13f的所述銅層131,使得第一金屬膜134和第二金屬膜137從硅晶片130分離。結果,制造了如圖13s中所示的探頭140。
可借助于上述探頭制造方法來制造根據本發明的其它優選實施例的探頭。圖7a的探頭70可通過僅形成所述第一金屬膜134(圖13c)來獲得。圖7c的探頭74可通過實施涉及第二掩模136(圖13d)的步驟然后實施涉及第一掩模133(圖13a)的步驟來獲得。圖7d的探頭77可通過如下來獲得在圖7c的探頭74的制造過程完成之前,進一步實施涉及第二掩模136(圖13d)的步驟以進一步形成另一個第二金屬膜137(圖13f)。
同樣,可借助于如上述的相同步驟來制造圖9的探頭90和類似于圖7b到7d中所示探頭的其它探頭(未示出)。但是,在這種情況下,需要掩模的間隔部分根據探頭的形狀來變形。
工業適用性如從以上描述顯而易見的,本發明提供了一種具有微小節距的探頭,利用該探頭來制造一種探測卡,其對應于在晶片上以密集形狀或其他各種形狀形成的墊的設置。
盡管為了說明的目的已公開了本發明的優選實施例,本領域的技術人員將理解,如所附權利要求中所公開的本發明的精神和范圍內的各種修改、添加及替換是可能的。
權利要求
1.一種探頭,具有規定厚度并以平板形狀形成,所述探頭包括主體部分,在其中部彎曲,使得當張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時,所述主體部分被彈性地張緊或壓縮;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,所述連接部分固定到基板;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,所述尖部分接觸元件的墊。
2.如權利要求1的探頭,其中所述主體部分包括水平部;第一豎直部,從所述水平部的一端豎直向下彎曲,所述第一豎直部整體地連接到所述連接部分;及第二豎直部,從所述水平部的另一端豎直向上彎曲,所述第二豎直部整體地連接到所述尖部分。
3.如權利要求1或2的探頭,其中所述尖部分形成為使接觸所述元件墊的所述尖部分的端部在水平方向上設置在所述探頭的最外側。
4.如權利要求3的探頭,進一步包括具有規定厚度并以平板形狀形成的輔助探頭,其中所述輔助探頭包括主體部分,與所述探頭的主體部分相同;及連接部分,與所述探頭的連接部分相同,并且所述輔助探頭未提供有與所述探頭的尖部分相同的尖部分,所述輔助探頭固定地附著到所述探頭的一側。
5.如權利要求4的探頭,其中所述輔助探頭進一步固定地附著到所述探頭的另一側。
6.如權利要求1或2的探頭,進一步包括具有規定厚度并以平板形狀形成的輔助探頭,其中所述輔助探頭包括主體部分,與所述探頭的主體部分相同;及連接部分,與所述探頭的連接部分相同,并且所述輔助探頭未提供有與所述探頭的尖部分相同的尖部分,所述輔助探頭固定地附著到所述探頭的一側。
7.如權利要求6的探頭,其中所述輔助探頭進一步固定地附著到所述探頭的另一側。
8.一種包括探頭的探測卡,每個所述探頭具有規定厚度并以平板形狀形成,其中所述探頭包括主體部分,在其中部彎曲,使得當張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時,所述主體部分被彈性地張緊或壓縮;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,所述連接部分固定到基板;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,所述尖部分接觸元件的墊,其中所述主體部分包括水平部;及第一豎直部,從所述水平部的一端豎直向上彎曲,所述第一豎直部整體地連接到所述尖部分;第二豎直部,從所述水平部的另一端豎直向下彎曲,所述第二豎直部整體地連接到所述連接部分,其中所述主體部分的水平部、第一豎直部及第二豎直部的長度被改變以形成多于兩種的探頭,并且其中所述多于兩種的探頭固定地附著在所述探測卡的基板上。
9.一種制造探頭的方法,包括步驟1,施加犧牲層于硅晶片的整個上表面上,以光刻膠在其上表面涂覆所述犧牲層,并將具有探頭形狀圖案的第一掩模附著到所述光刻膠的上表面;步驟2,借助于所述第一掩模來曝光并顯影所述光刻膠,并去除所述第一掩模;步驟3,在所述犧牲層的上表面上執行電解鍍以形成第一金屬膜,所述犧牲層具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案;及步驟4,去除所述光刻膠并蝕刻所述犧牲層以從所述硅晶片分離所述第一金屬膜。
10.如權利要求9的方法,在所述步驟3和所述步驟4之間,進一步包括步驟3-1,以第二光刻膠在其上表面涂覆所述光刻膠和所述第一金屬膜,并將第二掩膜附著到所述第二光刻膠的上表面;步驟3-2,借助于所述第二掩模來曝光并顯影所述第二光刻膠,并去除所述第二掩模;及步驟3-3,在所述第一金屬膜的上表面上執行電解鍍以形成第二金屬膜,所述第一金屬膜具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案。
11.如權利要求10的方法,在所述步驟3-3和所述步驟4之間,進一步包括步驟4-1,以第三光刻膠在其上表面涂覆所述第二光刻膠和所述第二金屬膜,并將第三掩膜附著到所述第三光刻膠的上表面;步驟4-2,借助于所述第三掩模來曝光并顯影所述第三光刻膠,并去除所述第三掩模;及步驟4-3,在所述第二金屬膜的上表面上執行電解鍍以形成第三金屬膜,所述第二金屬膜具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案。
12.如權利要求9的方法,其中所述第一掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成。
13.如權利要求9或10的方法,其中所述第一掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,并且其中所述第二掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;及連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成。
14.如權利要求9到11的任何一個的方法,其中所述第一掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;及連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,其中所述第二掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,并且其中所述第三掩膜具有間隔部分,所述間隔部分包括主體部分,在其中部彎曲;及連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成。
全文摘要
在此公開了一種探頭及其制造方法,且更具體地,一種具有微小節距的探頭及其制造方法,利用所述探頭來制造一種探測卡,其對應于在晶片上以集結的形狀或其他各種形狀形成的墊的設置。所述探頭具有規定厚度并以平板形狀形成。所述探頭包括主體部分,在其中部彎曲,使得當張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時,所述主體部分被彈性地張緊或壓縮;連接部分,與所述主體部分的下端整體地形成,所述連接部分固定到基板;及尖部分,與所述主體部分的上端整體地形成,所述尖部分接觸元件的墊。
文檔編號G01R1/073GK1762050SQ200480007020
公開日2006年4月19日 申請日期2004年3月16日 優先權日2003年3月17日
發明者李億基, 李廷勛 申請人:飛而康公司, 李億基