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探測片的制作方法

時間:2023-10-27    作者: 管理員

專利名稱:探測片的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種探測片。
背景技術
以往,公知有如下結構的探測片并列配置的多個探針從基板突出,其前端與檢測體的電極接觸。在專利文獻1所記載的探測片中,因為細微的探針從基板突出,故在檢體的電極上不施加大力,使探測片過激勵,能夠可靠地導通多個探針和多個電極。
但是,在探針的前端附著不能去除的雜質,或探針的前端發生破損、磨耗時,由于不能僅替換探針,故必須整體替換探測片。
專利文獻1特開平08-015318號公報實用新型內容本實用新型的目的在于使產生了缺陷的探測片的再生成為可能。
本實用新型第一方面是一種探測片的再生方法,探測片包括基板;探測導體,其配置在所述基板上延伸至基板端部并具有與檢測體的電極接觸的接觸部。其再生方法包括檢測工序,其使所述接觸部與檢測體的電極接觸,進行檢測體的檢查;去除工序,其將所述探測導體的前端與所述基板一同去除。
本實用新型的另一方面提供一種探測片,其包括基板;探測導體,其配置在所述基板上延伸至基板端部,具有與檢測體的電極接觸并進行檢查的接觸部。
通過去除磨損、破損、被污染而不能正常工作的探測導體的前端,形成新的前端,能夠使檢測片再生。


圖1(A)、圖1(B)、圖1(C)是檢測片的平面圖、正面圖、側面圖;
圖2(A)、圖2(B)、圖2(C)是表示對使用了檢測片的檢測體進行檢查的平面圖、正面圖、側面圖;圖3(A)、圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)是表示檢測片的缺陷例的示意側面圖;圖4(A)、圖4(B)、圖4(C)、圖4(D)是表示檢測片再生的側面圖;圖5(A)、圖5(B)是表示探測導體6的前端8的去除方法之一例的側面圖;圖6(A)、圖6(B)、圖6(C)是表示檢測片再生的側面圖;圖7(A)、圖7(B)是表示其他方式的檢測組合及其使用方式的側面圖;圖8(A)、圖8(B)、圖8(C)是表示圖7(A)、圖7(B)所示的檢測組合再生的側面圖;圖9(A)、圖9(B)是表示其他方式的檢測組合及其使用方式的側面圖;圖10(A)、圖10(B)、圖10(C)、圖10(D)是表示圖9(A)、圖9(B)所示的檢測組合再生的側面圖;圖11(A)、圖11(B)是表示其他方式的檢測片的平面圖;圖12(A)、圖12(B)是表示其他方式的檢測片的平面圖;圖13(A)、圖13(B)是表示其他方式的檢測片的平面圖;圖14(A)、圖14(B)、圖14(C)是表示其他方式的檢測片的平面圖、正面圖、側面圖;圖15(A)、圖15(B)是表示圖14所示的檢測片的使用方式和發生缺陷的方式之一例的側面圖、正面圖;圖16(A)、圖16(B)、圖16(C)、圖16(D)是表示圖15(A)、圖15(B)所示的檢測組合再生的正面圖、側面圖;圖17(A)、圖17(B)、圖17(C)是表示其他方式的檢測片的平面圖、正面圖、側面圖;圖18(A)、圖18(B)、圖18(C)是表示其他方式的檢測片的平面圖、正面圖、側面圖;圖19(A)、圖19(B)、圖19(C)、圖19(D)是表示在基板上發生有缺陷的檢測片再生的側面圖;圖20(A)、圖20(B)、圖20(C)是表示檢測片再生中切除的其他方式的側面圖;圖21(A)、圖21(B)、圖21(C)是表示檢測片再生中切除的其他方式的側面圖;圖22(A)、圖22(B)是表示檢測片再生中切除的其他方式的側面圖;圖23(A)、圖23(B)是表示檢測片再生中切除的其他方式的側面圖;圖24(A)、圖24(B)是表示檢測片再生中磨削的其他方式的側面圖;圖25是表示檢測片的其他方式的平面圖;圖26(A)、圖26(B)是表示圖25所示的檢測片的使用例的平面圖、側面圖;圖27(A)、圖27(B)是表示圖25所示的檢測片再生的平面圖、側面圖;圖28是表示檢測片的其他方式的平面圖;圖29(A)、圖29(B)是表示圖28所示的檢測片的使用方式的平面圖、側面圖;圖30(A)、圖30(B)是表示圖29(A)、圖29(B)所示的檢測單元再生的平面圖、側面圖。
具體實施方式
下面參照附圖說明本實用新型的實施例。在各圖中相同的符號表示相同的結構要素。
圖1(A)、圖1(B)、圖1(C)表示作為再生對象的檢測片的平面圖、正面圖、側面圖;圖2(A)、圖2(B)、圖2(C)表示在檢測體上配置檢測片,進行檢查的狀態的平面圖、正面圖、側面圖。
檢測片1用于檢測液晶屏等檢測體的電氣特性。檢測片1具有可撓性的基板2及形成在其表面上并延伸至基板端部的探測導體6。在該結構中構成接觸部,其使并列地延伸至基板端部的多個配線狀探測導體的端部與檢測體的電極電接觸。多個配線相對于基板端部大致垂直地配置。在基板端部與配線都形成一定寬度的缺口時,能夠形成與形成缺口前相同的探測導體端部。
基板2由陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃、硅、具有絕緣膜的金屬板、聚酰亞胺等高分子膜等的無機物或有機物等構成。作為陶瓷,理想的是例如氧化鋯、氧化鋁、莫來石、氮化鋁、氮化硅、添加氧化鋁的氧化鋯、MACOR(SiO2、MgO、Al2O3、K2O)等?;?的厚度理想的是大于或等于10μm和小于或等于300μm。作為具有絕緣膜的金屬板使用由高分子絕緣膜覆蓋不銹鋼、硬鋼、鈹銅、黃銅等金屬板的表面的部件。
作為探測導體6的材料,理想的是鎳、鎳-鐵合金、鎳-鈷合金。探測導體6的厚度理想的是0.5μm~300μm。探測導體6具有對應于檢測體80的電極90的間距而配置的部分。
如圖2(B)所示,在檢測時將探測片1翻過來的狀態下,使前端8向下傾斜,配置在檢測體80的上方,并使探測導體6的前端8與檢測體80的電極90接觸。探測導體6的前端8延伸至基板2的前端面102,不從前端面102突出。另外,100以上的部件編號表示1之后的數字表示部件的端面。例如,102是基板2的端面。
探測導體6通過鍍敷等薄膜制造工序形成在基板2的表面上。例如,在基板2的整個表面上形成鍍敷基礎層。僅使對應于要形成的探測導體6部分的鍍敷基礎層露出,并由抗蝕劑覆蓋其之外的部分,在已露出的鍍敷基礎層的表面實施金屬鍍敷。最后,除去被鍍敷的導電膜以外部分的抗蝕劑以及鍍敷基礎層。也可以利用由光致蝕刻形成圖案,且向基板上印刷導電性膠等公知的圖案形成方法,預先在探測導體的圖案上形成鍍敷基礎層,然后進行金屬鍍敷。
探測導體6在基端部與柔性印制電路板10的配線11連接。柔性印制電路板10的配線11與檢測設備本體的印制基板連接。另外,本實用新型表示了探測導體6遍及全長平行配置的情況,也可以在印制電路板10側擴展間隔。
如圖2(A)、圖2(B)所示,探測片1從固定夾具12的端面112突出規定長度,被固定夾具12固定。探測片1的探測導體6被過激勵時與基板2一同彈性變形。通過由固定夾具限制彈性變形的部分,能夠提高探測導體6和檢測體80的電極90的接觸壓。因此,在檢測時,能夠可靠地電連接探測導體6和電極90。后文中將探測片1和固定夾具12合稱為探測組合201;將從固定夾具12的端面112突出的探測片1的探測導體6及基板2稱為突出部204。固定夾具12在檢測時固定在探測片上,但根據需要可以從探測片取下。
圖3(A)、圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)是表示作為再生對象的探測片1不能正常工作的狀態的示意側面圖。
圖3(A)表示探測導體6的前端8被污染的狀態。粒子等不能除去的雜質200附著在前端8上時,不能夠可靠地導通前端8和檢測體80的電極90。
圖3(B)表示探測導體6的前端8磨損后的狀態。探測導體6由比基板2更軟的原料構成,故與檢測體80的電極90的摩擦引起磨損。前端8磨損時不能夠可靠地導通前端8和檢測體80的電極90。
圖3(C)表示探測導體6的前端8破損后的狀態。
圖3(D)表示基板2磨損后的狀態。基板2破損時,探測導體6不能與基板2一起彈性變形,故探測導體6的前端8不能與探測體80的電極90可靠地導通。
圖4(A)、圖4(B)、圖4(C)、圖4(D)是表示發生有缺陷的探測片再生的示意側面圖。
圖4(A)表示不能正常工作的探測組合201。探測片1的探測導體6的前端8a發生磨損等不良狀況,成為具有缺陷的狀態。
如圖4(B)所示,從固定夾具12取下有缺陷的探測片1。
如圖4(C)所示,利用與基板2一起切除或切削而去除有缺陷的前端8a。剩余的探測導體6的端部為正常狀態。
圖5(A)、圖5(B)表示切除或切削的具體方法的一例。例如,如圖5(A)所示,從基板2側與刀片202接觸,連同基板2一起切除有缺陷的前端8a。由此,可以使除去有缺陷的前端8a后的前端8b與探測體80的電極90接觸。探測導體6以均勻厚度分布形成在基板2的一面上,故去除前端8a時,即使對探測導體6施力,探測導體6也難以變形。如圖5(B)所示,也可以從探測導體6側接觸刀片202,切除突出部204。這樣,刀片202首先切斷探測導體6,然后在切斷基板2的工序中不對探測導體6施力,故探測導體6難以變形并且難以從基板2剝離。
如圖4(D)所示,在固定夾具12上固定探測片1。此時,理想的是突出部204成為與再生前相同的規定長度,在固定夾具12上固定探測片1。若突出部204的長度在再生前后相等,則探測片1的探測導體6發生與再生前同樣特性的彈性變形。因此,無需在再生后調整過激勵。
根據以上說明的探測片的再生,能夠與基板2一同去除有缺陷的前端8a。并且,在去除有缺陷的前端8a時,因為與基板2一同切除或切削探測導體6,故線狀的探測導體6很少發生破損或變形。通過使去除了有缺陷的前端8a后的前端8b與檢測體80的電極90接觸,前端8b與檢測體80的電極90的導通回復到正常狀態。即能夠再生檢測片1。
圖6(A)、圖6(B)、圖6(C)是表示探測片再生的變形例的剖面圖;圖6(A)表示與圖5(A)相同的狀態,表示在探測片1的探測導體6的前端8a發生缺陷的狀態。
圖6(B)表示在固定夾具12上安裝探測片1的狀態下,去除有缺陷的前端8a,形成新的前端8b的工序。關于前端的去除方法,例如與圖5(A)同樣地進行。若使用保持用夾具,則也可以使用圖5(B)的方法。也可以代替切斷而進行磨削。
圖6(C)表示再生后的狀態。另外,在固定夾具12上安裝探測片1的狀態下,通過去除有缺陷的前端8a,再生后的突出部204的長度比再生前短。這樣,因為再生后的突出部204的剛性比再生前高,故探測導體6可能會以過大的接觸壓與檢測體80的電極90接觸。但是,與有缺陷的前端8a一同去除的部分的長度相對于再生前的突出部204的長度短的話,無須進行過激勵的調整和位置調整等。
圖7(A)、圖7(B)是表示探測片1的固定方法的變形例的示意剖面圖。圖7(A)表示施加過激勵之前的狀態,圖7(B)表示施加過激勵之后的狀態。
如圖7(A)所示,在固定夾具12的安裝面上配置有合成橡膠、彈簧等彈性體14介由彈接體14將探測片1固定在固定夾具12上。
如圖7(B)所示,施加過激勵時,突出部204與彈性體14一起彈性變形。
圖8(A)、圖8(B)、圖8(C)是表示使用圖7(A)、圖7(B)的固定方法時的探測片再生的剖面圖;圖8(A)表示與圖7(A)相同的狀態。介由彈性體14將探測片1固定在固定夾具12上。
如圖8(B)所示,在探測片1安裝于固定夾具12上的狀態下,去除有缺陷的前端8a,形成新的前端8b。
圖8(C)表示再生后的探測片。在探測片1安裝于固定夾具12上的狀態下,去除有缺陷的前端8a,再生后的突出部204的剛性比再生前高。然而,突出部204如上所述,利用過激勵與彈性體14共同彈性變形,并且在整體剛性的大部分上對彈性體14的剛性有作用。因此,在將探測片1安裝在固定夾具12上的狀態下,即使去除有缺陷的前端8a,由此而引起的探測導體6以過大的接觸壓與檢測體80的電極90接觸,整體的剛性也不提高。因此即使連同有缺陷的前端8a一起去除的部分的長度變長,例如多次再生探測片1,也能夠如上所述那樣地在將探測片1安裝在固定夾具12上的狀態下再生探測片1。
在比較硬的基板上形成探測片,利用基板的彈性向探針施加接觸壓力時,基板整體彈性變形,很少發生局部的彈性變形。檢測體表面具有凹凸時,探針難以與凹部的電極接觸。也有希望在檢測體表面即使具有凹凸探針也能夠良好進行接觸的探測片的情況。
圖9(A)、圖9(B)表示介由彈性體將探測導體6固定在固定夾具12上,不從固定夾具12的端面112突出而使用的探測片1。
如圖9(A)所示,探測片1將探測導體6的前端面106和固定夾具12的端面112對齊固定在固定夾具12上。在固定夾具12的探測片1的安裝面上配置有彈性材料、彈簧等彈性體14。基板2可由具有適度柔軟性的材料,例如有機樹脂形成。
如圖9(B)所示,施加過激勵時,探測導體6與彈性體14一同彈性變形。因此,在檢測體80的電極90的配列的起伏和電極90表面的凹凸上能夠使各自的前端8隨動。
圖10(A)、圖10(B)、圖10(C)、圖10(D)表示產生了缺陷的探測片的再生的剖面圖。
圖10(A)表示在探測導體6的前端8a上產生缺陷的狀態。
如圖10(B)所示,從固定夾具12取下探測片1。
如圖10(C)所示,與基板2一起去除有缺陷的前端8a,并形成新的前端8b。
如圖10(D)所示,將探測導體6的前端面106和固定夾具12的端面112對齊,將探測片1固定在固定夾具12上。
根據以上說明的再生,在再生前后,不改變前端8與固定夾具12的相對位置。因此,在再生后無需調整過激勵。
探測片的結構能夠進行各種改變。以下說明探測片的結構的變形例。
圖11(A)、圖11(B)是探測片42的正面圖、側面圖。
如圖11(A)所示,在探測片42上,形成于基板2上的探測導體6埋入絕緣膜16,只有表面從絕緣膜16露出。
如11(B)所示,在探測導體6的端部外側也形成絕緣膜16,探測導體6和絕緣膜16形成同一的表面。
由樹脂等形成絕緣膜16。在基板2上形成探測導體6之后,形成絕緣膜16,去除上部而使探測導體6的表面露出就可以。利用絕緣膜16固定探測導體6的側面,故在去除探測導體6的前端8的工序中,可以抑制探測導體6變形或從基板2剝離。
圖12(A)、圖12(B)是探測片40的正面圖、側面圖。
在圖12(A)、圖12(B)所示的探測片40中,在基板2和探測導體6之間存在有絕緣膜16??梢匀缣摼€所示,首先在基板2上形成絕緣膜16的下部,在其上形成探測導體16,然后形成絕緣膜16的上部。也可以在上部和下部改變材料。在基板2和探測導體6的緊密性差的情況下,能夠在絕緣層16的下部提高緊密性。絕緣膜16由樹脂等形成。利用絕緣膜16固定基板2和探測導體6,故在去除探測導體6的前端8的工序中能夠抑制探測導體6變形或從基板2剝離。
圖13(A)、圖13(B)是探測片44的正面圖、側面圖。
在圖13(A)、圖13(B)所示的探測片44中,介由貫通基板2的多個導線中繼部18,將探測導體6引出至基板2背面,在基板2背面與柔性印制電路板10電連接。在與探測片的檢測體相對的一側不存在印制基板,能夠提高配置的自由度。
圖14(A)、圖14(B)、圖14(C)是探測片46的平面圖、正面圖、側面圖。
如圖14(A)、圖14(C)所示,在探測片46的配線6b上形成有與配線6b的縱向并列的多個導電性突部20。導電性突部20形成與檢測體接觸的接觸部。配線6b和導電性突部20形成探測導體。
在圖14(B)中,表示突部20具有與印制電路基板10的配線11相同厚度的情況,兩者的厚度能夠根據需要而任意選擇。
圖15(A)、圖15(B)是表示圖14(A)、圖14(B)、圖14(C)所示的探測片46的使用方式和發生缺陷的方式的側面圖及正面圖;與圖9(A)、圖9(B)所示的方式相同,由彈性體14將探測片46與固定夾具12結合,并將它們的前端對齊。因為在配線6b上導電性突部20突出,故探測片46即使不傾斜,或不大傾斜,也可以有選擇地將導電性突部20壓接在檢測體80的電極90上。
若導電性突部20發生損傷,則損傷后的突部20a不能與檢測體80的電極90接觸。在圖15(B)的狀態下從右起第二個導電性突部20缺落,不能接觸。
圖16(A)、圖16(B)、圖16(C)、圖16(D)是表示再生探測片的順序的正面圖、側面圖。
圖16(A)表示在圖15(A)、圖15(B)所示的導電性突部20上發生缺陷的狀態。在導電性突部20a上產生有缺陷。導電性突部20b正常。
如圖16(B)、圖16(C)所示,從固定夾具12取下探測片,與配線6b?;?一同去除具有受損的導電性突部20的一列導電性突部。在前端配置有具有受損的導電性突部20a的一列導電性突部后面的導電性突部20。
如圖16(D)所示,在再生的探測片上再次安裝固定夾具12。
因為在配線6b的縱向上形成有多個導電性突部20,故即使將產生缺陷的一列導電性突部去除,也能夠使去除后剩余的導電性突部20與檢測體80的電極90接觸。
具有導電性突部的探測片也可以進行各種變形。
圖17(A)、圖17(B)、圖17(C)是變形探測片48的平面圖、正面圖、側面圖。
如圖17(B)、圖17(C)所示,在探測片48中形成有填埋配線6b和導電性突部20的配線6b側的一部分的絕緣膜16。對應于圖11(A)、圖11(B)的變形例。配線6b和柔性印制電路板10的配線11利用與導電性突部20同樣的貫通絕緣膜16的導電性中繼部18而電連接。利用絕緣膜16固定基板2和探測導體6,故在去除載置有導電性突部20的配線6b的前端的工序中,能夠抑制配線6b變形或從基板2剝離。
圖18(A)、圖18(B)、圖18(C)是變形探測片50的平面圖、正面圖、側面圖。
如圖18(B)所示,在探測片50中,在絕緣膜16上埋設配線6b,在各自的配線6b上形成有多個貫通絕緣膜16的導電性突部20。這一點與在圖17(A)、圖17(B)、圖17(C)所示的探測片48相同。在探測片50中,還形成貫通基板2的導電性中繼部18,配線6b利用導電性中繼部18引出至基板背面。柔性印制電路板10的配線11在基板2的背面電連接于導電性中繼部18。與圖13(A)、圖13(B)所述的探測片44相同。
以上說明了在探測片的探針上產生缺陷的情況,但也可以同樣地再生基板2損傷的探測片。
圖19(A)、圖19(B)、圖19(C)、圖19(D)是表示再生在基板上產生缺陷的探測片的側面圖。
圖19(A)表示不能正常工作的探測組合201。在探測片1的基板2上產生裂紋等不良狀況,探針不能正常工作。
如圖19(B)所示,從固定夾具12取下有缺陷的探測片1。
如圖19(C)所示,通過與探測導體6一同切除或切削而去除有缺陷的基板2的前端。也可以切斷或切削至能夠去除基板2的損傷部分的位置。切削方法例如為圖5(A)、圖5(B)所示的方法。
如圖19(D)所示,在固定夾具12上固定再生后的探測片1。
如以上說明,通過與基板一同切除探測片的探測導體,能夠再生探測片。有由陶瓷等硬材料形成基板的情況,也有時在基板切斷時在配線上施加過度的負荷。
圖20(A)、圖20(B)、圖20(C)是表示去除能夠減輕探測導體上承受的負荷的一例的側面圖。
如圖20(A)所示,從探測導體6側接觸刀片202。而完全切斷探測導體6。此時,在盡量不切削基板2的狀態下停止切斷。刀片202工作的時間短,施加在探測導體6上的負荷低。
如圖20(B)所示,使刀片202的位置移動至探測片1的前端側,再進行切斷動作。在剩余的探測導體6的端部與刀片202之間形成開口22,探測導體6不與刀片202接觸。在探測導體6上不施加負荷。能夠減少由過度的負荷而造成的探測導體6變形或從基板2剝離。
圖20(C)表示切斷后的狀態?;?的上側稍微突出,但若突出量減少,則不產生實際應用上的問題。
圖21(A)、圖21(B)、圖21(C)是表示其他切斷方法的側面圖。
圖21(A)與圖20(A)同樣,表示由刀片202a切斷基板2上的探測導體6的工序。
如圖21(B)所示,從與探測導體6相反的一側接觸刀片202b切斷基板2。與由圖21(A)的切斷工序形成的切斷槽24重合。第二次與切斷槽重合時切斷終止。若刀片202b比刀片202a寬,則與圖示同樣也能夠容易引入基板的上部。即使使用最相同的刀片,也可以實現相同的形狀。切斷的方式可以進行各種變更。例如,可以將切斷探測導體6的工序或切斷基板2的工序分別分成多個工序進行實施。
在切斷探測導體6時盡量不切削基板2,在切斷基板2時刀片不與探測導體6接觸而去除探測片1的前端。因此,在切斷硬的基板2的過程中能夠降低探測導體6承受的負荷。因此,能夠降低由在切斷硬基板2的過程中產生的負荷而引起的探測導體6變形或損傷。對于切斷形成了導電性突部的配線,也可以得到相同的效果。
圖22(A)、圖22(B)是表示探測片再生用切斷的其他例的側面圖。
如圖22(A)所示,在基板2上形成覆蓋探測導體6的保護層26。保護層26可以通過涂敷樹脂、蠟等有機材料形成,或同時實施由銅、鐵、鉛等金屬引起的無電解鍍敷或電解鍍敷形成,或者由將有機材料或金屬熔融注型等方法而形成。
然后刀片202接觸在保護層26上開始切削探測片1。切斷保護層26、探測導體6、基板2,與基板2及保護層26一起切除有缺陷的探測導體6的前端8a。
如圖22(B)所示,也可以從基板2側接觸刀片202切削探測片1。另外,保護層26也可以形成僅覆蓋由刀片202切削的部位。
切斷后去除探測片1上的保護層26。在探測片1的切削開始前由保護層26覆蓋探測導體6,從而可以降低由切削在探測導體6上施力造成的探測導體6變形或從基板2剝離。
圖23(A)、圖23(B)是表示進一步強化保護后的切斷方法的探測片的側面圖。
如圖23(A)所示,在基板2及探測導體6上固定安裝有覆蓋探測導體6的支承板28。基體來說,例如在支承板28和基板2之間通過填充粘著劑、蠟等有機材料或低熔點合金等金屬形成固定層38,在基板2及探測導體6上固定安裝支承板28。
從探測導體6側切削探測片1,與探測導體6一同切斷支承板28、基板2。這樣,與基板2及保護層26一同切除有缺陷的前端8a。
如圖23(B)所示,也可以從基板2側切削探測片1。
切斷后,通過涂敷溶劑或加熱,熔化填充在支承板28和基板2之間的有機材料和金屬,去除固定在探測片1上的支承板28。
通過在探測片1的切削開始前由支承板28覆蓋探測導體6,可以降低由切削而施加在探測導體6上的力造成的探測導體6變形或從基板2剝離。
圖24(A)、圖24(B)是表示由磨削再生探測片的方法的側面圖。
如圖24(A)所示,與圖23(A)、圖23(B)的情況相同,介由利用由粘接劑、蠟等有機材料和低熔點合金等金屬形成的固定層38把覆蓋探測導體6的支承板28固定安裝在基板2及探測導體6上。
如圖24(B)所示,在從一方向受力時,可以在與基板2的探測導體6相反側的面上固定安裝支承板28。
與基板2的前端面102一同切削探測導體6的前端面106。例如,在從探測導體6向基板2的方向(箭頭標記X的方向)上施加摩擦力,由研磨片、研磨盤等研磨探測導體6、固定層以及基板2。支承板28可以抑制基板變形,能夠降低探測導體6從基板2剝離等問題。
研磨后,去除固定于探測片1上的支承板28。
在與支承板28及基板2的前端面128、102一同切削探測導體6的前端面106的工序中,在基板2上施加僅在按壓探測導體6的方向的摩擦力。能夠降低探測導體6從基板2剝離。
更加理想的是,通過切除前端能夠再生的探測基板謀求對切除工序的對策。
圖25是謀求再生工序的對策后的探測片的一例的平面圖。在探測片52上設有去除標記30(30a、30b等的總稱)和安裝孔32(32a、32b等的總稱)。以相同間隔形成去除標記30、安裝孔32。
圖26(A)、圖26(B)是表示將固定夾具12安裝在探測片52上的狀態的平面圖、側面圖。
在安裝孔32上嵌合用于將探測片1固定在固定夾具12上的銷34。在圖示的狀態下在最下面的安裝孔32a上插入銷34。從安裝孔32a到下一個安裝孔32b的間隔與從基板2的下端到第一個去除標記30b的距離相等。
圖27(A)、圖27(B)是表示再生探測片52后的狀態的平面圖、側面圖。沿去除標記30b-30b,與探測導體6一同切除基板2,使用安裝孔32b安裝固定夾具12。探測片與固定夾具的關系保持為與切除前同樣。其他的去除標記、安裝孔也具有相同的關系。
通過使用去除標記30,能夠去除有缺陷的探測導體6的前端8a,以使在相對于探測導體6的縱向垂直的方向上整齊排列多個探測導體6的前端面106。
另外,因為由去除標記30決定的再生后的探測片52的前端面重合來設置多個安裝孔32,所以能夠將再生后的探測片52安裝在固定夾具12上,以使探測片52的特性與再生前相同。例如,在探測片52從固定夾具12的端面112突出而使用的情況下,突出部204的長度能夠在再生前后準確地相等。另外,將探測片52的前端面106和固定夾具12的端面112對齊而使用時,即使在再生之后也能夠準確地對齊探測片52的前端面106和固定夾具12的端面112。
探測片的切除不僅在已決定的位置,也可以在任意位置進行。
圖28是表示能夠在任意位置再生的探測片54的平面圖。在探測片54上設置有沿探測導體6的縱向延伸的長孔36。
如圖29所示,在長孔36上嵌合銷34,在固定夾具12上固定探測片54。
圖30是用于說明表示探測片54再生的模式圖。
通過在任意位置去除探測片54,去除探測片54有缺陷的前端154。
以與由去除前端154的工序去除的寬度相等的寬度相對固定夾具12在探測片54的前端面106的方向移動,將銷34卡合在長孔36上,在固定夾具12上固定再生后的探測片54。
因為在探測導體6的縱向上設有較長的長孔36,故能夠將再生后的探測片54安裝在固定夾具12上,以使去除至任意位置而再生的探測片54的特性與再生前相同。
另外,與長孔一起,可以形成一定間距的去除標記及銷安裝標記。
由以上實施例說明本實用新型,但本實用新型并不限于此。例如,對于本領域技術人員來說能夠進行各種變形、改良、變換以及組合等是顯而易見的。
以下說明本實用新型的特點。
可以在去除工序之前在基板上形成至少覆蓋探測導體的一部分的保護層。此時,在去除工序中,能夠連同保護層一起去除探測導體的前端。通過在去除工序之前由保護層覆蓋探測導體,可以降低在去除工序中因施加在探測導體上的力而使探測導體變形或從基板剝離。
另外,也可以在去除工序之前在基板及探測導體上固定安裝支承板。此時,在去除工序中能夠連同支承板一起去除探測導體的前端。通過在去除工序之前固定支承板,能夠降低在去除工序中因施加在探測導體上的力而使探測導體變形或從基板剝離。
在去除工序中,可以從導電膜側向基板側同基板一起切斷探測導體。通過從導電膜側向基板側同基板一起切斷探測導體,能夠降低探測導體從基板剝離。
去除工序可以包括第一工序,其不切斷基板而是從探測導體側切斷探測導體;第二工序,其在不切斷由第一工序切斷的探測導體的基端側的位置切斷基板。
在由第二工序切斷基板時,因為由第一工序切削的探測導體的基端側和刀片不接觸,故能夠降低在切斷硬的基板的過程中產生并傳遞給探測導體的負荷。可以降低由于在切斷硬的基板的過程中產生的負荷而引起的探測導體變形或損傷。
在去除工序中,可以與基板的前端面一同切削探測導體的前端面,以使從導電膜向基板方向的摩擦力施加在探測導體上。
在與基板的前端面一同切削探測導體的前端面的過程中,因為施加將探測導體按壓在基板側的方向的摩擦力,故能夠減少探測導體從基板剝離。
在去除工序中,可以在檢查時將固定于所述探測片上的部件固定在探測片上的狀態下,去除探測導體的前端。
例如,在探測導體再生后無需調整探測片的位置時,可以在將用于調整探測片位置的部件固定在探測片上的狀態下,切除或切削探測導體的前端。
探測片可以包括基板;形成在所述基板上的導電膜,其具有位于所述基板上并與檢測體的電極接觸的線狀探測導體;標記,其在將所述探測導體的前端切除或切削至規定位置的工序中,用于特定所述規定位置而形成在所述基板上。通過在基板上的規定位置形成標記,由切除或切削來去除探測導體的前端而再生探測片時,能夠使用標記而容易判斷切除探測導體的前端至何處為好。
基板可以具有定位部,其位于分別從所述探測導體的前端和由所述標記特定的所述規定位置離開在所述探測導體的縱向基端側上相互相等距離的位置上。在分別從探測導體的前端和由標記特定的所述規定位置離開在所述探測導體的縱向基端側上相互相等距離的位置上具有定位部時,若將探測導體的前端去除至由標記特定的位置,則從再生前的探測導體的前端到定位部的距離和從再生后的探測導體的前端到定位部的距離相等。因此,在分別從探測導體的前端和由標記特定的規定位置離開在探測導體的縱向基端側上相互相等距離的位置上形成定位部,從而,能夠使再生前后探測片的使用狀態相同。
探測片的所述基板可以具有在所述探測導體的縱向上延伸的長孔。在使用探測片時,能夠在沿探測導體縱向延伸的長孔上插入銷等定位部件在檢測裝置主體上將探測片定位固定。
通過將定位使用的孔形成沿探測導體縱向延伸的長孔,能夠根據探測導體的去除量任意地調整再生后的探測片的位置。
權利要求1.一種探測片,其包括基板、配置在所述基板上延伸至基板端部的探測導體,其特征在于,所述探測導體具有與檢測體的電極接觸而進行檢查的接觸部。
2.如權利要求1所述的探測片,其特征在于,所述探測導體具有多個并列形成在所述基板上的配線。
3.如權利要求2所述的探測片,其特征在于,所述探測導體還具有分別形成在所述多個配線上的多個突部。
4.如權利要在1~3中任一項所述的探測片,其特征在于,還具有形成于所述基板上的標記,其用于在將所述探測導體的前端去除至規定位置時,特定所述規定的位置。
5.如權利要求4所述的探測片,其特征在于,所述基板具有定位部,其對應于所述探測導體的前端和由所述標記特定的所述規定位置而相互分離開規定距離。
6.如權利要求1~3中任一項所述的探測片,其特征在于,所述基板具有沿所述探測導體的縱向延伸的長孔。
專利摘要一種能夠再生產生的缺陷的探測片。該探測片包括基板和配置在上述基板上并與檢測體的電極接觸的探測導體。
文檔編號G01R1/067GK2821578SQ20052000275
公開日2006年9月27日 申請日期2005年3月3日 優先權日2004年3月3日
發明者澤田修一, 吉野俊隆 申請人:山一電機株式會社

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