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專(zhuān)利名稱(chēng)：電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法及裝置、以及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各像素中具有電致發(fā)光元件的顯示裝置的電致發(fā)光元件 所引起的缺陷、或?qū)﹄娭掳l(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的晶體管所引起的缺陷的檢 查。
背景技術(shù)：
在各像素的顯示元件中采用了作為自發(fā)光元件的電致發(fā)光元件(以下
稱(chēng)為EL元件)的EL顯示裝置，作為下一代平面顯示裝置而被期待，正 在進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)。
這種EL顯示裝置，在作成了于玻璃或塑料等的基板上形成EL元件 以及按每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)該EL元件用的薄膜晶體管(TFT)等的EL面板之后， 經(jīng)過(guò)幾次檢查，作為產(chǎn)品出廠。在目前的EL顯示裝置中，成品率的提高 非常重要，在要求EL元件和TFT等的制造工序的改良、和材料的改良等 的同時(shí)，還要求實(shí)現(xiàn)檢査工序中的效率化。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2005-149768號(hào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)2005-149769號(hào)
在對(duì)目前的EL顯示裝置進(jìn)行的檢查中，例如，使其顯示分別針對(duì)RGB 的光柵圖像或單像管圖形(monoscopepattern,千乂7n八。夕一y)，來(lái)檢 查顯示缺陷等的不良項(xiàng)目。作為不良項(xiàng)目，包括顯示不均、滅點(diǎn)、亮點(diǎn)等。
對(duì)于亮點(diǎn)而言，大多因相應(yīng)像素電路的短路等引起，在該情況下，采 用通過(guò)激光照射等使像素電路絕緣化而滅點(diǎn)化等方法。
另一方面，對(duì)于顯示不均(DIM)和滅點(diǎn)而言，逐漸發(fā)現(xiàn)存在各種原 因。在表面上是同樣的顯示缺陷但其產(chǎn)生原因不同的情況下，需要確定其 原因后進(jìn)行與原因相應(yīng)的修正。但是，尚未確立與產(chǎn)生原因相應(yīng)的有效的 檢査方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，正確且高效地進(jìn)行EL顯示裝置的缺陷檢査。
本發(fā)明是一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯示裝置在各 像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連 接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，向各像素供給使所述電致發(fā) 光元件為發(fā)光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且，使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管 在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，觀察所述電致發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)，將發(fā)光 亮度小于基準(zhǔn)亮度的像素檢測(cè)為異常顯示缺陷像素，向各像素供給使所述 電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且，使所述元件驅(qū)動(dòng) 晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，觀察所述電致發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)， 將不發(fā)光像素檢測(cè)為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺陷像素，將被檢測(cè) 為所述異常顯示缺陷像素的像素中的未被檢測(cè)為所述滅點(diǎn)缺陷像素的像 素，檢測(cè)為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
本發(fā)明的另一方式是一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯 示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管， 其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，向各 像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且， 使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，檢測(cè)所述電 致發(fā)光元件的陰極電流，在該陰極電流的值比規(guī)定值大時(shí)，將該像素判定 為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺陷像素。
此外，在本發(fā)明中，在上述缺陷檢查方法中，在對(duì)各像素的所述電致 發(fā)光元件施加反向偏壓之后，執(zhí)行所述滅點(diǎn)缺陷像素的檢測(cè)，從而能在使 滅點(diǎn)明顯化之后執(zhí)行該滅點(diǎn)缺陷檢查。
本發(fā)明的另一方式是一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯 示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管， 其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，向各 像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且， 使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，檢測(cè)所述電致發(fā)光元 件的陰極電流，在該陰極電流的值比規(guī)定值小時(shí)，將該像素檢測(cè)為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
本發(fā)明的另一方式是一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置，所述電 致發(fā)光顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件驅(qū) 動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的 電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置包括電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生 在缺陷檢查時(shí)向各像素供給的電源；檢查用信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢查用的
定時(shí)信號(hào)以及檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)；電流檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元 件的陰極電流；和缺陷判定部。
這里，在本發(fā)明的方式中，根據(jù)所述電源以及所述定時(shí)信號(hào)，使各像 素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，并且，向該像素供 給使所述電致發(fā)光元件為不發(fā)光程度的檢査用截止顯示信號(hào)和使其為發(fā) 光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述電流檢測(cè)部對(duì)所述檢查用截止顯示信 號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元件的陰極電流、與所述檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)所 對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元件的陰極電流的導(dǎo)通截止電流差進(jìn)行檢査，缺陷判 定部將所述導(dǎo)通截止電流差與基準(zhǔn)值比較，當(dāng)該導(dǎo)通截止電流差比所述基 準(zhǔn)值大時(shí)，可將該像素判定為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺陷像素。
另外，在本發(fā)明的另一方式中，如上述的檢查裝置根據(jù)所述電源以及 所述定時(shí)信號(hào)，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng) 作，并且，向該像素供給使所述電致發(fā)光元件為不發(fā)光程度的檢査用截止 顯示信號(hào)、和使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所 述電流檢測(cè)部對(duì)所述檢查用截止顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元件的 陰極電流、與所述檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元件的陰極 電流的導(dǎo)通截止電流差進(jìn)行檢查，缺陷判定部將所述導(dǎo)通截止電流差與基 準(zhǔn)值比較，當(dāng)該導(dǎo)通截止電流差比所述基準(zhǔn)值小時(shí)，可將該像素判定為由 所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。 (發(fā)明效果)
根據(jù)本發(fā)明者的研究可明確，當(dāng)使設(shè)置在各像素中的、對(duì)EL元件進(jìn) 行驅(qū)動(dòng)的元件驅(qū)動(dòng)晶體管在線性區(qū)域動(dòng)作，并使EL元件發(fā)光時(shí)，若EL 元件中發(fā)生短路，則可觀察到不發(fā)光像素即滅點(diǎn)，并且與未發(fā)生短路時(shí)的 正常情況相比，該EL元件中流動(dòng)的電流值大。另外，當(dāng)使元件驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和區(qū)域動(dòng)作，并使EL元件發(fā)光時(shí)，在發(fā)生了上述EL元件的短路 以及TFT的特性變動(dòng)的情況下，該像素變?yōu)楫惓ｏ@示(發(fā)光亮度比正常時(shí) 低或不發(fā)光)。也可明確此時(shí)的EL元件中流動(dòng)的電流值比正常時(shí)小。
因此，如本發(fā)明所述，使元件驅(qū)動(dòng)晶體管在線性區(qū)域動(dòng)作，通過(guò)觀察 EL元件或?qū)L元件的陰極電流值進(jìn)行測(cè)定，可高精度地檢測(cè)由EL元件 的短路引起的滅點(diǎn)缺陷。
另外，使元件驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和區(qū)域動(dòng)作，通過(guò)觀察EL元件，可檢 測(cè)由該元件驅(qū)動(dòng)晶體管的特性偏差引起的異常顯示、和由EL元件的短路 引起的異常顯示。因此，如上所述，通過(guò)將使晶體管在線性區(qū)域動(dòng)作時(shí)觀 察到的滅點(diǎn)缺陷像素從判定為該異常顯示缺陷像素的像素中除去，可簡(jiǎn)單 地將元件驅(qū)動(dòng)晶體管的特性偏差所引起的異常顯示像素確定為暗點(diǎn)缺陷 像素。另外，若測(cè)定EL元件的陰極電流值，則在因EL元件的短路而產(chǎn) 生異常顯示時(shí)，與正常時(shí)的陰極電流值之差小，但在因元件驅(qū)動(dòng)晶體管的 特性偏差而EL元件中的發(fā)光亮度降低時(shí)，其陰極電流值比正常情況下小。 因此，通過(guò)測(cè)定陰極電流值，能迅速且可靠地檢測(cè)由元件驅(qū)動(dòng)晶體管的特 性變動(dòng)引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
另外，由于根據(jù)檢查結(jié)果能立即確定缺陷的產(chǎn)生原因，因此將顯示裝 置送到與原因?qū)?yīng)的適當(dāng)?shù)男拚ば蛑校商岣咝拚省?br> 進(jìn)而，在使元件驅(qū)動(dòng)晶體管在線性區(qū)域或飽和區(qū)域動(dòng)作的情況下，對(duì) EL元件供給檢査用的截止顯示信號(hào)和導(dǎo)通顯示信號(hào)，通過(guò)測(cè)定施加各信 號(hào)時(shí)的陰極電流值，可將與截止顯示信號(hào)對(duì)應(yīng)的陰極電流值作為基準(zhǔn)，檢 測(cè)與導(dǎo)通顯示信號(hào)對(duì)應(yīng)的陰極電流值，從而易于高速地執(zhí)行利用了缺陷檢 測(cè)裝置的自動(dòng)判定。
通過(guò)按每個(gè)像素執(zhí)行檢査但按每個(gè)像素使元件驅(qū)動(dòng)晶體管以及EL元 件連續(xù)多次動(dòng)作，從而，易于降低在控制信號(hào)等上疊加了噪聲等后的結(jié)果 對(duì)誤判定的影響。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的EL顯示裝置的概略電路構(gòu)成的等效電 路圖；圖2是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的滅點(diǎn)顯示缺陷像素的特性的圖； 圖3是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的暗點(diǎn)(DIM)顯示缺陷像素的特性的圖； 圖4是表示詳U(kuò)用了 EL元件的發(fā)光狀態(tài)的滅點(diǎn)/暗點(diǎn)顯示缺陷檢查裝置 的概略構(gòu)成的圖5是表示利用了圖4的檢查裝置的發(fā)光狀態(tài)檢查過(guò)程的一例圖； 圖6是表示EL元件的短路的原理以及短路(滅點(diǎn))的明顯化原理的
圖； 圖8是表示用于使滅點(diǎn)明顯化的驅(qū)動(dòng)方法的圖； 圖9是說(shuō)明用于滅點(diǎn)明顯化的裝置構(gòu)成的圖IO是說(shuō)明用于暗點(diǎn)缺陷修正的UV修復(fù)中的偏壓條件與發(fā)光亮度的 關(guān)系的一例圖11是說(shuō)明用于暗點(diǎn)缺陷修正的UV修復(fù)中的偏壓條件與動(dòng)作閾值
Vth的偏移量之間的關(guān)系的一例圖12是表示利用了 EL元件的陰極電流lev的滅點(diǎn)/暗點(diǎn)顯示缺陷檢査
裝置的概略構(gòu)成的圖13是表示利用了陰極電流的滅點(diǎn)顯示缺陷的檢查過(guò)程的一例圖； 圖14是表示利用了陰極電流的暗點(diǎn)顯示缺陷的檢查過(guò)程的一例圖； 圖15是表示具備利用了陰極電流的滅點(diǎn)以及暗點(diǎn)二者的檢查功能的
檢查裝置的電源以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)切換部的構(gòu)成的圖16是表示用于執(zhí)行利用了陰極電流的高速檢査的驅(qū)動(dòng)波形的圖； 圖17是表示包括本發(fā)明實(shí)施方式的EL顯示裝置的缺陷檢査以及修正
工序的整體制造過(guò)程的一例圖。
圖中100—EL面板；200、 300—缺陷檢査裝置；210、 310—控制部；
220—電源電路；222、 322—電源切換部；230、 330 —檢查用信號(hào)產(chǎn)生電
路；240、 340—缺陷檢測(cè)部；250 —發(fā)光檢測(cè)部；350—陰極電流檢測(cè)部。
具體實(shí)施例方式
下面，利用附圖，對(duì)該發(fā)明的最佳的實(shí)施的方式(以下稱(chēng)為實(shí)施方式)進(jìn)行說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，顯示裝置具體為有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置，在
EL面板100上形成有具備多個(gè)像素的顯示部。圖1是表示該實(shí)施方式中 的有源矩陣型顯示裝置的等效電路結(jié)構(gòu)的圖，圖2以及圖3表示了本實(shí)施 方式中采用的EL顯示裝置的各像素的缺陷檢查原理。在EL面板100的 顯示部中，多個(gè)像素配置成矩陣狀，在矩陣的水平掃描方向(行方向)上， 形成有依次輸出選擇信號(hào)的選擇線GL，在垂直掃描方向(列方向)上， 形成有輸出數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線DL、和用于向被驅(qū)動(dòng)元件即有機(jī)EL元件 (以下簡(jiǎn)稱(chēng)EL元件)供給驅(qū)動(dòng)鬼源PVDD的電源線VL。
各像素大致配置在由這些線劃分的區(qū)域內(nèi)，各像素具備有機(jī)EL元件 作為被驅(qū)動(dòng)元件，另外，設(shè)置有由n溝道TFT構(gòu)成的選擇晶體管Trl (以 下稱(chēng)選擇Trl )、保持電容Cs、由p溝道TFT構(gòu)成的元件驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2 (以下稱(chēng)元件驅(qū)動(dòng)Tr2)。
選擇Trl其漏極與向垂直掃描方向上排列的各像素供給數(shù)據(jù)電壓 (Vsig)的數(shù)據(jù)線DL連接，柵極與選擇在一條水平掃描線上排列的像素 用的柵極線GL連接，其源極與元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極連接。
另外，元件驅(qū)動(dòng)Tr2的源極與電源線VL連接，漏極與EL元件的陽(yáng)極 連接。EL元件的陰極在各像素中公共地形成，與陰極電源CV連接。
EL元件為二極管構(gòu)造，在下部電極與上部電極之間具備發(fā)光元件層。 發(fā)光元件層例如具備至少包括有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光層，根據(jù)發(fā)光元件層中 使用的材料特性等，可采用單層構(gòu)造、2層、3層或4層以上的多層構(gòu)造。 在本實(shí)施方式中，下部電極按像素而被圖案化為個(gè)別形狀，起到上述陽(yáng)極 的作用，與元件驅(qū)動(dòng)Tr2連接。另外，上部電極在多個(gè)像素中公共地起到 陰極的作用。
在按每個(gè)像素具備如上電路構(gòu)成的有源矩陣型EL顯示裝置中，在EL 元件的陽(yáng)極與陰極之間發(fā)生短路(short)的情況、以及在元件驅(qū)動(dòng)Tr2的 特性降低的情況下的任一像素中，EL元件變?yōu)椴话l(fā)光或變?yōu)槠浒l(fā)光亮度 比正常像素低，出現(xiàn)稱(chēng)為滅點(diǎn)或暗點(diǎn)(DIM)的顯示缺陷。
EL元件的發(fā)光元件層非常薄，另外其膜厚會(huì)產(chǎn)生偏差等，從而存在陽(yáng)
極與陰極之間發(fā)生短路的缺陷。若發(fā)生短路，則即使向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵 極施加發(fā)光(導(dǎo)通)顯示信號(hào)，向EL元件供給電流，空穴以及電子也不 會(huì)注入到發(fā)光元件層中，EL元件不發(fā)光，出J見(jiàn)滅點(diǎn)缺陷。
圖2表示了發(fā)生這種EL元件短路后的像素的電路構(gòu)成、和此時(shí)的元 件驅(qū)動(dòng)Tr2以及EL元件的IV特性。在EL元件中發(fā)生了短路的情況下， 如圖2 (b)所示，在電路上等效于元件驅(qū)動(dòng)Tr2的漏極側(cè)與陰極電源CV 連接。因此，在用陰極電流Icv評(píng)價(jià)EL元件中流動(dòng)的電流時(shí)，該電流Icv 相對(duì)于PVDD-CV電壓的特性如圖2 (a)所示，發(fā)生了短路的EL元件的 電流特性比正常EL元件的電流特性?xún)A斜度更大。
這里，在施加到元件驅(qū)動(dòng)Tr2的電壓滿(mǎn)足Vgs—Vth<Vds、柵極源極間 電壓小、漏極和源極間(PVDD和CV)電壓大的情況下(在本實(shí)施方式 中，為與通常顯示模式同樣的條件)，元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作。此 時(shí)，發(fā)生短路的像素的EL元件變?yōu)椴话l(fā)光(滅點(diǎn))。另外，發(fā)生短路的像 素與正常像素的EL元件的電流特性的傾斜度差異較大，但由于相當(dāng)于元 件驅(qū)動(dòng)Tr2的源極漏極間電流Ids特性的傾斜度小的區(qū)域，因此EL元件 中流動(dòng)的電流lev之差A(yù)I小。
另一方面，在施加到元件驅(qū)動(dòng)Tr2的電壓滿(mǎn)足Vgs—Vth>Vds、柵極源 極間電壓大、漏極和源極間(PVDD和CV)電壓小的情況下，該元件驅(qū) 動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作。在該線性區(qū)域，在發(fā)生短路的像素(滅點(diǎn)像素) 與正常像素中，與飽和區(qū)域同樣EL元件的電流特性的傾斜度不同。進(jìn)而， 在該線性區(qū)域，元件驅(qū)動(dòng)Tr2的Ids特性的傾斜度陡，滅點(diǎn)像素的EL元 件的陰極電流lev與正常像素的EL元件的陰極電流lev之差A(yù)I非常大。 而且，在該線性區(qū)域的動(dòng)作中，發(fā)生短路的像素的EL元件仍為短路狀態(tài)， 因此為不發(fā)光(滅點(diǎn))，與正常像素的發(fā)光亮度差異較大。因此，在由EL 元件的短路引起的缺陷中，關(guān)于發(fā)光亮度，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域或 飽和區(qū)域動(dòng)作，都能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于EL元件中流動(dòng)的電流而言，通過(guò)在 線性區(qū)域使元件驅(qū)動(dòng)Tr2動(dòng)作來(lái)進(jìn)行測(cè)定，能以高精度進(jìn)行檢測(cè)。
下面，對(duì)EL元件正常、但元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性存在偏差而比正常晶 體管特性劣化的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖3表示了在產(chǎn)生這樣的元件驅(qū)動(dòng)Tr2的 特性偏差(電流供給特性的偏差。例如，動(dòng)作閾值Vth降低)的情況下的
像素的等效電路、和元件驅(qū)動(dòng)Tr2以及EL元件的IV特性。在元件驅(qū)動(dòng) Tr2中發(fā)生了動(dòng)作閾值Vth降低的情況下，如圖3 (b)所示，從電路上可 視作在元件驅(qū)動(dòng)Tr2的漏極側(cè)連接了比正常情況大的電阻。因此，EL元 件中流動(dòng)的電流(在本實(shí)施方式中為陰極電流lev)特性與正常像素相比 沒(méi)有變化，但實(shí)際上，EL元件中流動(dòng)的電流根據(jù)元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏 差而變化。
首先，在施加到元件驅(qū)動(dòng)Tr2的電壓滿(mǎn)足Vgs_Vth<Vds的情況下， 與上述同樣，元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作。如圖3 (a)所示，此時(shí)，在 元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性比正常情況下低的像素中，該晶體管的漏極源極間電 流Ids比正常的晶體管小，向EL元件供給的電流量、即EL元件中流動(dòng)的 電流比正常像素小(AI大)。另外，結(jié)果，元件驅(qū)動(dòng)Tr2中產(chǎn)生了特性偏 差的像素比正常像素發(fā)光亮度低，被識(shí)別為暗點(diǎn)。此外，當(dāng)元件驅(qū)動(dòng)Tr2 的特性劣化明顯時(shí)，EL元件幾乎為不發(fā)光的狀態(tài)。
另一方面，在施加到元件驅(qū)動(dòng)Tr2的電壓滿(mǎn)足Vgs—Vth>Vds的情況 下，該元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作，在該線性區(qū)域，在特性降低的元件 驅(qū)動(dòng)Tr2和正常的元件驅(qū)動(dòng)Tr2中，Ids—Vds特性之差小，因此，向EL 元件供給的電流量之差(AI)也小。所以，EL元件無(wú)論元件驅(qū)動(dòng)Tr2有無(wú) 特性偏差，都表現(xiàn)大致同樣的發(fā)光亮度，在線性區(qū)域，難以檢測(cè)到由特性 偏差引起的暗點(diǎn)。但是，如上所述，通過(guò)使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作， 從而對(duì)于該元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷，從電流值以及EL 發(fā)光亮度的任意觀點(diǎn)出發(fā)均能檢測(cè)。
此外，在以上的像素電路中，作為元件驅(qū)動(dòng)晶體管，采用了p溝道TFT， 但也可采用n溝道TFT。進(jìn)而，在以上的像素電路中，對(duì)于1像素，作為 晶體管以采用了具備選擇晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管這兩個(gè)晶體管的構(gòu)成為例 進(jìn)行了說(shuō)明，但晶體管并不限定于兩種類(lèi)型以及上述電路構(gòu)成。
在任一情況下，在所采用的像素電路中，通過(guò)使向EL元件供給電流 的元件驅(qū)動(dòng)晶體管在線性區(qū)域動(dòng)作，觀察EL元件或測(cè)定EL元件的陰極 電流值，從而能高精度地檢測(cè)由EL元件的短路引起的滅點(diǎn)缺陷。
另外，在任一情況下，通過(guò)使元件驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和區(qū)域動(dòng)作，檢測(cè) EL元件的發(fā)光亮度或陰極電流等，可檢測(cè)由元件驅(qū)動(dòng)晶體管的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷。 [缺陷檢查]
接著，對(duì)于基于上述原理的缺陷檢查而言，分別說(shuō)明作為EL元件的 特性而利用了其發(fā)光狀態(tài)的檢查以及利用了陰極電流的檢査。 (發(fā)光狀態(tài)檢査)
圖4是表示根據(jù)發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)的觀察(亮度檢測(cè))，來(lái)檢測(cè) 滅點(diǎn)/暗點(diǎn)缺陷用的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)的一例圖。
檢查裝置200具備控制部210，其對(duì)裝置內(nèi)的各部分進(jìn)行控制；電 源電路220，其產(chǎn)生元件驅(qū)動(dòng)Tr2的飽和區(qū)域檢查模式、線性區(qū)域檢査模 式各自所需的電源；電源切換部222，其根據(jù)上述檢查模式來(lái)切換向EL 面板供給的電源；以及檢査用信號(hào)產(chǎn)生電路230，其產(chǎn)生檢查時(shí)所使用的 檢查用信號(hào)。另外，裝置200還具備發(fā)光檢測(cè)部250，其可采用CCD照 相機(jī)等，觀察EL面板的各像素的發(fā)光狀態(tài)；以及檢測(cè)部240，其利用來(lái) 自發(fā)光檢測(cè)部250的檢測(cè)結(jié)果，來(lái)檢測(cè)缺陷。
在采用了這樣的檢查裝置200的情況下，執(zhí)行顯示亮度在正常值以下 的異常顯示像素的檢測(cè)、以及EL元件的短路所引起的滅點(diǎn)像素的檢測(cè)， 進(jìn)而，根據(jù)異常顯示像素和滅點(diǎn)像素的比較來(lái)判斷元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏 差所引起的暗點(diǎn)一致或不一致，從而可判定暗點(diǎn)像素、滅點(diǎn)像素。
以下，參照?qǐng)D5，對(duì)檢測(cè)方法的一例進(jìn)行具體說(shuō)明。在圖5的例子中， 首先，進(jìn)行元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差(電流供給特性偏差。例如，動(dòng)作閾 值的偏差)所引起的異常顯示像素的檢測(cè)。元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引 起的缺陷，通過(guò)使該元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作，將EL元件控制為發(fā) 光狀態(tài)來(lái)檢測(cè)。
作為使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作的條件，如上所述，使 Vgs-VtlKVds即可，但當(dāng)采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動(dòng)Tr2時(shí)，作為一 例，電源電路220產(chǎn)生8.5V的驅(qū)動(dòng)電源PVDD、 -3.0V的陰極電源CV， 供給到EL面板100的對(duì)應(yīng)的端子IOOT，檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路230生成OV 的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，作為顯示信號(hào)Vsig。另外，檢査用信號(hào)產(chǎn)生電路 230生成為了驅(qū)動(dòng)各像素所需的定時(shí)信號(hào)，這些檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)以及 定時(shí)信號(hào)從端子100T供給到EL面板100。
此外，在本實(shí)施方式中，該元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域的動(dòng)作由于采用 了與通常顯示動(dòng)作相同的條件，因此，驅(qū)動(dòng)電源PVDD、陰極電源CV不 僅可從檢査裝置的電源電路220供給，還可從EL面板100的通常時(shí)的驅(qū) 動(dòng)用各種電源電路供給。
在如上條件下，電源電路220向EL面板100供給規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電源 PVDD、陰極電源CV，并且，檢査用信號(hào)產(chǎn)生電路230依次選擇各像素
(使選擇Trl導(dǎo)通)，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作(飽和動(dòng)作模式)， 另外，供給使EL元件發(fā)光用的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)(Sl)。
發(fā)光檢測(cè)部250如上述那樣使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作，對(duì)使EL 元件發(fā)光時(shí)的該發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)進(jìn)行拍攝(S2)。亮度信息被供給 的到缺陷檢測(cè)部240，缺陷檢測(cè)部240判斷各像素的發(fā)光亮度是否比規(guī)定 基準(zhǔn)值低(S3)。該基準(zhǔn)值是正常像素中的發(fā)光亮度的允許最小閾值，可 設(shè)定在與要求精度相對(duì)應(yīng)的灰度以上的亮度偏差所對(duì)應(yīng)的值(例如，相當(dāng) 于1灰度 30灰度量的偏差)。
當(dāng)發(fā)光亮度的判斷的結(jié)果是作為檢査對(duì)象的像素的發(fā)光亮度不小于 基準(zhǔn)值時(shí)(否)，判定相應(yīng)像素是正常像素(S4)。反之，當(dāng)作為檢査對(duì)象 的像素的發(fā)光亮度小于基準(zhǔn)值時(shí)(是)，判斷該像素為比正常像素亮度低 的異常顯示(暗點(diǎn))像素(S5)。另外，被判斷為異常顯示像素的像素在 檢査裝置200中存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部(未圖示)。
對(duì)于各像素，當(dāng)使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作而執(zhí)行了異常顯示檢 査之后，檢査裝置轉(zhuǎn)移到使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作的模式。使元件 驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作的條件如上所述，需要滿(mǎn)足Vgs-Vth〉Vds，當(dāng)采 用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動(dòng)Tr2時(shí)，作為一例，向EL面板100供給8.0V 的驅(qū)動(dòng)電源PVDD、 3V的陰極電源CV，供給到各像素的檢查用導(dǎo)通顯示 信號(hào)采用OV的信號(hào)。在這樣的條件下，電源電路220向EL面板100供 給規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電源PVDD、陰極電源CV，并且，檢査用信號(hào)產(chǎn)生電路230 依次選擇各像素，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作，并且，經(jīng)由該元件驅(qū) 動(dòng)Tr2供給用于使EL元件發(fā)光的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)(S6)。
發(fā)光檢測(cè)部250使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作，并拍攝使EL元件 發(fā)光時(shí)的發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光亮度)(S7)。亮度信息被供給到缺陷檢測(cè)部240，缺陷檢測(cè)部240判斷各像素的發(fā)光亮度是否比基準(zhǔn)值低(S8)。該基準(zhǔn)值 是判定是否為所謂的不發(fā)光的基準(zhǔn)值，與上述飽和模式下的測(cè)定時(shí)同樣， 可設(shè)為正常像素中的發(fā)光亮度的允許最小閾值。
當(dāng)發(fā)光亮度的判斷的結(jié)果是作為檢查對(duì)象的像素的發(fā)光亮度不小于 基準(zhǔn)值時(shí)(否)，判定該像素是正常像素(S9)。反之，當(dāng)作為檢查對(duì)象的 像素的發(fā)光亮度小于基準(zhǔn)值時(shí)(是)，判斷該像素為不發(fā)光的滅點(diǎn)缺陷像 素(SIO)。
接著，缺陷檢測(cè)部240判斷在飽和區(qū)域模式下被檢測(cè)為異常顯示像素 的像素、與在線性區(qū)域模式下被檢測(cè)為滅點(diǎn)缺陷像素的像素是否一致 (Sll)。由EL元件短路引起的滅點(diǎn)缺陷如上所述，在線性區(qū)域和飽和區(qū) 域任一個(gè)區(qū)域?qū)υ?qū)動(dòng)Tr2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下其均不發(fā)光，被檢測(cè)為滅 點(diǎn)。另一方面，由元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷，在線性區(qū)域 對(duì)元件驅(qū)動(dòng)Tr2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)觀察不到，只有在飽和區(qū)域進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)可觀察 到。因此，當(dāng)在飽和區(qū)域模式下被檢測(cè)為異常顯示像素的像素、與在線性 區(qū)域模式下被檢測(cè)為滅點(diǎn)缺陷像素的像素不一致時(shí)(否)，判定該像素為 暗點(diǎn)缺陷(S12)。另外，當(dāng)二者一致時(shí)(是)，判定為滅點(diǎn)缺陷(S13)。
通過(guò)以上方法，根據(jù)發(fā)光狀態(tài)能分別區(qū)別地判定暗點(diǎn)缺陷和滅點(diǎn)缺 陷。進(jìn)而，在根據(jù)缺陷的產(chǎn)生數(shù)量、產(chǎn)生位置和要求品質(zhì)判斷為可修正時(shí)， 對(duì)判定為暗點(diǎn)缺陷的像素執(zhí)行UV修復(fù)(S14)，而對(duì)判定為滅點(diǎn)缺陷的像 素執(zhí)行激光修復(fù)(S15)。
此外，在圖5中，在執(zhí)行了元件驅(qū)動(dòng)Tr2的飽和區(qū)域檢查模式之后， 執(zhí)行線性區(qū)域檢查模式，但模式的順序可以是任意順序，可以首先執(zhí)行線 性區(qū)域檢查模式，存儲(chǔ)被檢測(cè)為滅點(diǎn)缺陷的像素，在判斷其是否與被檢測(cè) 為異常顯示像素的像素一致或不一致后判定暗點(diǎn)結(jié)果。
在此，通過(guò)本發(fā)明者們的研究可以明確，滅點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生大多情況下 不穩(wěn)定。因此，在經(jīng)過(guò)多個(gè)階段的檢查工序中，可能在后面的階段中產(chǎn)生 滅點(diǎn)或滅點(diǎn)消失等，導(dǎo)致檢查效率或修正效率降低。因此，在圖5中，如 步驟S0所示，優(yōu)選至少在滅點(diǎn)缺陷的檢査開(kāi)始前(在S6之前即可，也可 在S1之前)執(zhí)行滅點(diǎn)缺陷的明顯化處理(滅點(diǎn)篩選(screening))。
下面，參照?qǐng)D6、圖7，對(duì)滅點(diǎn)缺陷的明顯化原理進(jìn)行說(shuō)明。圖6的
狀態(tài)A表示正常EL元件的發(fā)光狀態(tài)，狀態(tài)B表示向EL元件的陽(yáng)極與陰 極之間施加了反向偏壓時(shí)的狀態(tài)。狀態(tài)A是在采用作為導(dǎo)電性透明金屬氧 化物的IZO (Indium Zinc Oxide)作為陽(yáng)極、采用Al作為陰極的構(gòu)成中， 向該陽(yáng)極與陰極之間施加了正向偏壓時(shí)的狀態(tài)。向有機(jī)層(發(fā)光元件層) 從陽(yáng)極注入空穴，從陰極注入電子，在電路上從二極管的陽(yáng)極向陰極流動(dòng) 電流，根據(jù)如圖7 (a)所示的二極管特性，發(fā)光元件層中的發(fā)光材料以與 電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。
即使向這樣的EL元件的陽(yáng)極與陰極之間施加反向偏壓，正常EL元件 的發(fā)光元件層從原理上為絕緣性(整流性)，如圖7 (a)所示反向耐性高， 因而也不會(huì)流動(dòng)電流。作為一例，陽(yáng)極陰極間電壓達(dá)到-30V左右的反向偏 壓，該EL元件也不會(huì)擊穿(breakdown),因而不流動(dòng)電流。
另一方面，如圖6的狀態(tài)C所示，在形成發(fā)光元件層等時(shí)異物導(dǎo)入到 陽(yáng)極與陰極之間的情況下，形成為薄膜的發(fā)光元件層有時(shí)無(wú)法完全覆蓋該 異物，在未完全覆蓋的區(qū)域存在陽(yáng)極與陰極短路等情況。但是，這種短路 不會(huì)穩(wěn)定地發(fā)生，另外，若短路的程度小，則同一EL元件內(nèi)未短路的區(qū) 域會(huì)發(fā)光，根據(jù)檢查定時(shí)而發(fā)光或不發(fā)光，動(dòng)作不確定。如圖7 (b)所示， 若未短路則該EL元件與正常像素同樣地發(fā)光，但若短路則不發(fā)光。當(dāng)施 加正向偏壓時(shí)，反復(fù)地發(fā)生該短路或不發(fā)生該短路，例如，在一次檢查中 被判定為滅點(diǎn)，但在后面的二次檢查中未檢測(cè)到，然而在產(chǎn)品出廠后可能 會(huì)變?yōu)闇琰c(diǎn)。相對(duì)于此，由于異物等混入部分不能獲得如正常時(shí)的發(fā)光元 件層的高耐壓性，因此，如圖6的狀態(tài)D所示，若對(duì)不穩(wěn)定的EL元件施 加規(guī)定值以上的高反向偏壓，則認(rèn)為如圖7(b)所示，與正常EL元件相 比以更小的反向偏壓就會(huì)發(fā)生擊穿(遷移效果)。另外，若陽(yáng)極與陰極之 間一旦擊穿，則即使對(duì)該EL元件施加正向偏壓，也會(huì)穩(wěn)定地處于短路模 式，始終為不發(fā)光的缺陷(滅點(diǎn)缺陷)。
因此，在檢查EL元件短路所引起的滅點(diǎn)缺陷之前，通過(guò)施加這種反 向偏壓，執(zhí)行滅點(diǎn)的明顯化(篩選，screening),能可靠地找出存在滅點(diǎn)可 能性的像素。
向EL元件施加反向偏壓如圖8所示，例如，可按如下方式執(zhí)行將 驅(qū)動(dòng)電源PVDD從通常顯示電壓(8.0V)切換為-5V，將陰極電源CV從通常顯示電壓(-3.5V)變更為13.0V，將與元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極連接的保 持電容Cs電位固定，經(jīng)選擇Trl向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極施加任意的顯示 信號(hào)(Vsig)。
示，可通過(guò)^用如下構(gòu)成來(lái)執(zhí)行 在篩4裝置中:按照會(huì)^i過(guò)外部電源選
擇性供給篩選用電源的方式設(shè)置開(kāi)關(guān)，取代向EL面板100供給顯示用的 內(nèi)部電源而供給上述外部電源。另外，該篩選裝置可內(nèi)置如圖4所示的檢 查裝置。在該情況下，電源電路220不僅產(chǎn)生如上述的檢査用電源，還產(chǎn) 生篩選用電源，另外，檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路230可生成篩選用信號(hào)，將這 些信號(hào)選擇性提供給EL面板100。此外，在篩選時(shí)，對(duì)于像素的選擇和 驅(qū)動(dòng)定時(shí)，與通常顯示同樣地控制即可，另外，反向電壓的施加時(shí)間極短 就能獲得效果，例如10sec左右即可。
接著，對(duì)元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷的修復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。 根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明者們的研究可以明確，對(duì)于產(chǎn)生元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差 的動(dòng)作閾值Vth，可通過(guò)在規(guī)定條件下向該元件驅(qū)動(dòng)Tr2照射UV光來(lái)修 正。
具體地說(shuō)，向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極施加所希望的電壓，并且，對(duì)元件 驅(qū)動(dòng)Tr2的源極電壓和漏極電壓采用相等的偏壓Vbias。此外，通過(guò)使驅(qū) 動(dòng)電源PVDD為Vbias，使陰極電源CV同樣為Vbias，可向元件驅(qū)動(dòng)Tr2 的源極以及漏極施加相等的偏壓Vbias。此時(shí)，將用于施加元件驅(qū)動(dòng)Tr2 的柵極/溝道間所需的電壓的任意電壓(EL截止顯示信號(hào))施加到元件驅(qū) 動(dòng)Tr2的柵極即可，例如，施加使由p溝道TFT構(gòu)成的元件驅(qū)動(dòng)Tr2截止 的所希望的截止顯示電壓(Vsig=VblaCk)。當(dāng)然，并不限定于截止顯示電 壓，也可施加導(dǎo)通顯示信號(hào)(Vsig=Vwhite)。
然后，根據(jù)成為元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值Vth的目的的偏移量來(lái)設(shè)定 該偏壓Vbias，向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的由多晶硅等構(gòu)成的有源層(溝道區(qū)域) 照射UV光，由此可修正動(dòng)作閾值Vth。
此外，元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值偏移所需的UV光的波長(zhǎng)大致在295nm 以下，按照能將這樣的波長(zhǎng)的UV光照射到元件驅(qū)動(dòng)TV2的溝道區(qū)域的方 式，選擇EL面板IOO的面板材料(采用針對(duì)相應(yīng)波長(zhǎng)具有透過(guò)性的面板
材料)，另外，設(shè)定在透過(guò)上述面板材料等后到達(dá)溝道區(qū)域所需的希望的 功率。
圖10表示施加到上述元件驅(qū)動(dòng)Tr2的源極漏極間的偏壓Vbias、和在 各偏壓條件下修復(fù)后的EL元件的發(fā)光狀態(tài)的一例，圖11表示上述偏壓 Vbias與動(dòng)作閾值Vth的關(guān)系的一例。
在圖10中，像素的電路構(gòu)成采用如圖1所示的等效電路，向元件驅(qū) 動(dòng)Tr2的柵極例如施加8.0V，對(duì)特性相等的元件驅(qū)動(dòng)Tr2，分別施加了-lV、 -2V、 -3V、 -4V、 -5V、 -6V、 -7V、 -8V的偏壓Vbias。并且，在以同一條 件照射UV光時(shí)，如圖10所示，根據(jù)所施加的偏壓Vbias而EL元件的發(fā) 光亮度會(huì)產(chǎn)生差異。更具體地說(shuō)，隨著偏壓Vbias的絕對(duì)值增大而發(fā)光亮 度提高，元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值Vth的絕對(duì)值向減小的方向偏移，結(jié)果， 可以理解通過(guò)對(duì)應(yīng)的EL元件供給較多電流，因而發(fā)光亮度上升。
如圖11所示，元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值Vth的絕對(duì)值隨著實(shí)際施加的 偏壓Vbias的絕對(duì)值增大而減小(圖11的縱軸上方向?yàn)閂th的OV方向)。
這樣，通過(guò)在對(duì)元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極、源極漏極之間施加所希望的大 電壓Vg-Vbias的情況下照射UV光，可調(diào)整元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值Vth。 因此，若按照達(dá)到對(duì)EL元件要求的發(fā)光亮度的方式設(shè)定偏壓Vbias,則可 修正由元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷。此外，為了高精度地修 正暗點(diǎn)缺陷，例如，在上述圖5所示的發(fā)光亮度與基準(zhǔn)值的比較步驟(S3) 中，按每個(gè)像素來(lái)存儲(chǔ)與基準(zhǔn)值的差，在UV修復(fù)步驟(S14)中，可通 過(guò)施加與基準(zhǔn)值的差相對(duì)應(yīng)的偏壓Vbias進(jìn)行修正來(lái)應(yīng)對(duì)。
接著，說(shuō)明對(duì)滅點(diǎn)缺陷像素執(zhí)行的激光修復(fù)(S14)。該激光修復(fù)是通 過(guò)向滅點(diǎn)缺陷像素的EL元件的短路發(fā)生區(qū)域選擇性照射所希望的波長(zhǎng)和 功率的激光，來(lái)燒斷該短路區(qū)域(切斷電流供給路徑，使其絕緣化)，從 而消除陽(yáng)極與陰極的短路狀態(tài)的方法。作為修復(fù)用的激光，例如可采用 355nm 1064nm左右的波長(zhǎng)并具有所希望的功率的激光。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，不僅檢測(cè)為發(fā)光亮度低的缺陷，而且能正確 地檢測(cè)出該缺陷的類(lèi)別是暗點(diǎn)缺陷還是滅點(diǎn)缺陷，并能立即進(jìn)入到與暗點(diǎn) 以及滅點(diǎn)的修正相應(yīng)的修正步驟，從而可高效地執(zhí)行檢查以及修正。 (陰極電流檢查)接著，說(shuō)明根據(jù)EL元件的陰極電流lev來(lái)檢查暗點(diǎn)缺陷、滅點(diǎn)缺陷
的裝置以及檢查方法。圖12表示了測(cè)定陰極電流來(lái)檢測(cè)暗點(diǎn)/滅點(diǎn)缺陷的
檢査裝置的概略構(gòu)成。
圖12所示的檢査裝置不具備在根據(jù)發(fā)光亮度執(zhí)行缺陷檢査的上述裝 置中采用的發(fā)光檢測(cè)部250，而具備對(duì)陰極電流lev進(jìn)行檢測(cè)的陰極電流 檢測(cè)部350，這一點(diǎn)變化較大。控制部310、電源電路320、電源切換部 322和檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路330與上述利用了發(fā)光亮度的缺陷檢查裝置同 樣，產(chǎn)生檢查所需的電源、檢査用的定時(shí)信號(hào)和顯示信號(hào)等供給到EL面 板100。缺陷檢測(cè)部340基于陰極電流檢測(cè)部350所檢測(cè)到的陰極電流lev 來(lái)檢測(cè)滅點(diǎn)缺陷和暗點(diǎn)缺陷。
在該例中，由于對(duì)EL元件中流動(dòng)的電流(在此為陰極電流Icv)進(jìn)行 測(cè)定，因此對(duì)于滅點(diǎn)缺陷而言，如圖2所示，通過(guò)測(cè)定使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在 線性區(qū)域動(dòng)作時(shí)的EL元件的陰極電流來(lái)判別。對(duì)于暗點(diǎn)缺陷而言，如圖 3所示，通過(guò)測(cè)定使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作時(shí)的EL元件的陰極電 流來(lái)判別。
圖13表示了 EL元件的短路所引起的滅點(diǎn)顯示缺陷的檢查過(guò)程。優(yōu)選 在滅點(diǎn)缺陷的檢查之前，首先使不穩(wěn)定的EL元件的短路明顯化，如上所 述，向EL元件的陰極陽(yáng)極之間施加反向偏壓來(lái)執(zhí)行滅點(diǎn)篩選(S20)。
接著，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作，使選擇Trl導(dǎo)通，并且，經(jīng) 由對(duì)應(yīng)的像素的選擇Trl向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極施加檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào) (S21)。
此外，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作的條件如上所述，設(shè)定為滿(mǎn)足 Vgs-Vth>Vds。采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動(dòng)Tr2時(shí)的電壓與發(fā)光亮度 檢測(cè)時(shí)同樣，作為一例，設(shè)驅(qū)動(dòng)電源PVDD為8.0V，設(shè)陰極電源CV為 3V，供給到各像素的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)采用OV的信號(hào)。
陰極電流檢測(cè)部350例如與EL面板100的外部連接端子IOOT中的陰 極端子連接，檢測(cè)在該陰極端子獲得的陰極電流Icv。在此，EL元件的陰 極如上所述在多個(gè)像素中公共地形成，因此對(duì)像素依次進(jìn)行選擇，將與其 選擇期間對(duì)應(yīng)的期間內(nèi)在陰極端子處獲得的陰極電流lev作為針對(duì)該像素 的陰極電流Icv。此外，可將陰極電流Icv作為與該電流值對(duì)應(yīng)的電壓進(jìn)行檢測(cè)。
接著，缺陷檢測(cè)部340判斷由陰極電流檢測(cè)部350獲得的各像素的陰
極電流Icv是否大于滅點(diǎn)基準(zhǔn)遒(S23)。在EL元件中發(fā)生短路時(shí)，如上 所述，由于EL元件的IV特性的傾斜度增大，因此當(dāng)使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線 性區(qū)域動(dòng)作時(shí)的陰極電流Icv比正常EL元件的陰極電流Icv大。因此，作 為滅點(diǎn)基準(zhǔn)值，設(shè)定與正常EL元件的陰極電流值相應(yīng)的值，當(dāng)檢測(cè)出的 陰極電流Icv在該滅點(diǎn)基準(zhǔn)值以下時(shí)(否)，判斷為正常像素(S24)。另外， 當(dāng)檢測(cè)出的陰極電流lev大于滅點(diǎn)基準(zhǔn)值時(shí)，判斷該像素為滅點(diǎn)缺陷像素 (S25)。
被檢測(cè)到滅點(diǎn)缺陷的面板100進(jìn)入到用于修正滅點(diǎn)的激光修復(fù)工序， 在此接受修正(S26)。
圖14表示了元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷的檢測(cè)過(guò)程。 對(duì)于元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷而言，如上所述，使元件 驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作，使選擇Trl導(dǎo)通，并且，經(jīng)由對(duì)應(yīng)的像素的選 擇Trl向元件驅(qū)動(dòng)Tr2的柵極施加檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)(S30)。
使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作的條件如上所述，設(shè)定為滿(mǎn)足 Vgs-Vth<Vds。采用p溝道型TFT作為元件驅(qū)動(dòng)Tr2時(shí)的電壓與發(fā)光亮度 檢測(cè)時(shí)同樣，作為一例，設(shè)驅(qū)動(dòng)電源PVDD為8.0V，設(shè)陰極電源CV為-3V， 供給到各像素的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)采用OV的信號(hào)。
陰極電流檢測(cè)部350使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作，對(duì)使EL元件 發(fā)光時(shí)的陰極電流Icv進(jìn)行檢測(cè)(S31)。另外，缺陷檢測(cè)部340判斷檢測(cè) 到的陰極電流Icv是否小于暗點(diǎn)基準(zhǔn)值(S32)。元件驅(qū)動(dòng)Tr2的動(dòng)作閾值 比正常值低的像素的陰極電流Icv如上所述，在元件驅(qū)動(dòng)Tr2的飽和區(qū)域， 比正常像素中的陰極電流Icv小。因此，例如，通過(guò)將產(chǎn)生對(duì)正常像素允 許的灰度以上(作為一例，相當(dāng)于l灰度 30灰度)的偏差的陰極電流Icv 作為基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，可區(qū)分正常像素和暗點(diǎn)缺陷像素。
當(dāng)比較的結(jié)果是檢測(cè)出的陰極電流lev不小于基準(zhǔn)值時(shí)(否)，判定該 像素為正常像素(S33)，當(dāng)比基準(zhǔn)值小時(shí)(是)，判定該像素為暗點(diǎn)缺陷 像素(S34)。這樣，基于陰極電流Icv的檢測(cè)結(jié)果，可檢測(cè)由元件驅(qū)動(dòng)Tr2 的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷像素。并且，對(duì)于該元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差，
如上所述，進(jìn)入到UV修復(fù)工序，修正元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差(S35)。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2分別在其線性區(qū)域和飽 和區(qū)域動(dòng)作，對(duì)此時(shí)的陰極電流Icv進(jìn)行檢測(cè)，從而對(duì)EL元件的短路所 引起的滅點(diǎn)缺陷和元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷均能區(qū)別檢 測(cè)。這樣的檢査都可通過(guò)圖12所示的裝置構(gòu)成執(zhí)行。
在將圖12的裝置作為滅點(diǎn)檢查專(zhuān)用裝置時(shí)，采用如下構(gòu)成即可電 源電路320以及檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路330使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作， 生成使EL元件發(fā)光所需的電源、驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并施加給對(duì)應(yīng)的像素。此外， 在兼用作滅點(diǎn)篩選裝置時(shí)，電源電路320產(chǎn)生如圖8以及圖9所示的篩選 用的驅(qū)動(dòng)電源PVDD以及陰極電源CV，將這些鬼源通過(guò)切換部322選擇 性地施加給各像素，并且，檢査用信號(hào)產(chǎn)生電路330產(chǎn)生任意的篩選用顯 示信號(hào)作為數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig，將其供給到各像素。
在將圖12的裝置作為暗點(diǎn)檢查專(zhuān)用裝置時(shí)，采用如下構(gòu)成即可使 元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作，生成使EL元件發(fā)光所需的電源、驅(qū)動(dòng)信 號(hào)，并施加給對(duì)應(yīng)的像素。
在滅點(diǎn)檢査專(zhuān)用、暗點(diǎn)檢査專(zhuān)用的裝置中，對(duì)驅(qū)動(dòng)電源PVDD、陰極 電源CV分別產(chǎn)生單一的檢査用電源即可，因此，由圖12的電源電路320 產(chǎn)生專(zhuān)用電源，可省略電源切換電路322。在執(zhí)行通常顯示動(dòng)作的基于目 測(cè)的顯示檢查用的裝置、和兼用作滅點(diǎn)檢查裝置的情況下，由于在通常顯 示時(shí)，在飽和區(qū)域?qū)υ?qū)動(dòng)Tr2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此在滅點(diǎn)檢査時(shí)需要切換 電源。
另外，利用了陰極電流lev的滅點(diǎn)檢查裝置以及暗點(diǎn)檢査用裝置也可 構(gòu)成為單一裝置，在該情況下，圖12所示的檢査裝置的各部分通過(guò)控制 部310的控制，根據(jù)檢查模式(滅點(diǎn)檢查模式、暗點(diǎn)檢查模式)，執(zhí)行各 自的檢查所需的動(dòng)作。即，電源電路320、電源切換部322和檢查用信號(hào) 產(chǎn)生電路330產(chǎn)生各模式所需的電源、檢査用信號(hào)，缺陷檢測(cè)部340比較 與模式相應(yīng)的基準(zhǔn)值和陰極電流Icv，進(jìn)行滅點(diǎn)判定、暗點(diǎn)判定。
圖15表示了在執(zhí)行多個(gè)模式或不同的檢查時(shí)，圖12所示的檢査裝置 中可采用的電源以及顯示信號(hào)的切換構(gòu)成的一例。切換電路322、 332通 過(guò)圖12的控制部310而被切換控制。另外，電源電路320產(chǎn)生與模式對(duì)
應(yīng)的多種電源，并通過(guò)切換電路322例如在滅點(diǎn)檢査模式下，經(jīng)端子(i) 向各電源線供給PVDD1、 CV1。同樣，檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路330生成與 模式對(duì)應(yīng)的多種檢査用顯示信號(hào)，并通過(guò)切換電路322經(jīng)端子(i)向數(shù)據(jù) 線DL供給Vsigl。在其他模式(例如，暗點(diǎn)檢査模式)下，切換電路322、 332經(jīng)對(duì)應(yīng)的端子(ii)，分別供給電源(PVDD2、 CV2)以及顯示信號(hào) (Vsig2)。
(高速檢查方法)
圖16表示了利用陰極電流Icv，高速地檢査滅點(diǎn)缺陷、暗點(diǎn)缺陷時(shí)的 EL面板100的驅(qū)動(dòng)波形。在圖16所示的檢查方法中，在選擇l像素的期 間中(1水平時(shí)鐘信號(hào)的二分之一周期)，對(duì)相應(yīng)像素連續(xù)施加導(dǎo)通顯示信 號(hào)(EL發(fā)光)和截止顯示信號(hào)(EL不發(fā)光)，作為檢査用顯示信號(hào)Vsig。 此外，該檢查用顯示信號(hào)可由圖12的檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路330通過(guò)利用 水平起始信號(hào)STH、水平時(shí)鐘信號(hào)CKH等來(lái)生成。陰極電流檢測(cè)部350 分別對(duì)與導(dǎo)通顯示信號(hào)對(duì)應(yīng)的EL元件的陰極電流Icv。n、以及與截止顯示 信號(hào)對(duì)應(yīng)的EL元件的陰極電流Icv。ff進(jìn)行檢測(cè)(根據(jù)需要進(jìn)行電流放大)， 缺陷檢測(cè)部340求取導(dǎo)通和截止的陰極電流的差分AIcv，通過(guò)比較該差分 數(shù)據(jù)、與例如基于正常像素中的差分?jǐn)?shù)據(jù)的基準(zhǔn)值，分別執(zhí)行滅點(diǎn)缺陷判 定以及暗點(diǎn)缺陷判定。
另外，在圖16所示的檢查方法中還如上所述，在滅點(diǎn)缺陷檢查模式 下，按照使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作的方式設(shè)定驅(qū)動(dòng)電源PVDD以及 陰極電流CV，在暗點(diǎn)缺陷檢查模式下，按照使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域 動(dòng)作的方式設(shè)定驅(qū)動(dòng)電源PVDD以及陰極電流CV。另外，在圖16中， 垂直時(shí)鐘信號(hào)CKV是與垂直方向的像素?cái)?shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)，使能信號(hào) ENB是用于在1水平掃描期間的最初和最后，當(dāng)未確定顯示信號(hào)Vsig時(shí) 防止選擇信號(hào)輸出到各水平掃描線(柵極線GL)的禁止信號(hào)。
這樣，測(cè)定截止顯示信號(hào)時(shí)的陰極電流ICV。ff，將該Icv。ff作為基準(zhǔn)，
相對(duì)地把握導(dǎo)通顯示信號(hào)時(shí)的陰極電流Icv。n，從而，不需要準(zhǔn)確判斷導(dǎo)通
顯示信號(hào)時(shí)的陰極電流ICV。n的絕對(duì)值，也不需要測(cè)定成為其它基準(zhǔn)的截止 顯示信號(hào)時(shí)的陰極電流IcV。ff，能高精度地執(zhí)行高速的自動(dòng)檢査。
另外，在圖16所示的檢查方法中，確定向矩陣配置的像素的列方向、
即各數(shù)據(jù)線DL輸出顯示信號(hào)的期間的水平起始信號(hào)STH，被設(shè)定在兩列 的選擇期間內(nèi)。在本實(shí)施方式中，在通常顯示時(shí)，各水平掃描線上的像素 僅在對(duì)應(yīng)的1H期間內(nèi)被選擇，向此時(shí)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL上，按與將1H期 間用1水平掃描方向上的像素?cái)?shù)分割后的期間相當(dāng)?shù)钠陂g，輸出顯示信號(hào) Vsig。相對(duì)于此，在缺陷檢查時(shí)，通過(guò)使用檢查用的水平起始信號(hào)STH， 對(duì)1數(shù)據(jù)線DL在2像素份的顯示信號(hào)輸出期間供給檢查用顯示信號(hào)Vsig。 即，在同一水平掃描線上排列的像素中，鄰接的2像素同時(shí)成為檢查對(duì)象。 此外，該像素的同時(shí)檢查對(duì)象數(shù)并不限定于2，例如也可將每3像素作為 檢查對(duì)象。這樣，通過(guò)使1像素多次連續(xù)作為檢查對(duì)象，從而，即使在定 時(shí)信號(hào)或檢查用顯示信號(hào)Vsig等上疊加了噪聲而導(dǎo)致像素誤顯示的情況 下，由于這樣的噪聲疊加在多個(gè)期間連續(xù)發(fā)生的概率小，因此能降低由噪 聲引起的誤檢測(cè)。此外，對(duì)多個(gè)像素連續(xù)進(jìn)行選擇的方法不僅應(yīng)用在利用 了陰極電流的檢査方法中，還通過(guò)應(yīng)用在上述利用圖4以及圖5說(shuō)明的利 用了發(fā)光亮度的檢查方法中，從而同樣可降低噪聲的影響。
在此，對(duì)EL面板100的顯示部的各像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)用的驅(qū)動(dòng)電路中的 水平方向驅(qū)動(dòng)電路，具備與水平掃描方向的像素?cái)?shù)對(duì)應(yīng)級(jí)數(shù)的移位寄存 器，該移位寄存器根據(jù)水平時(shí)鐘信號(hào)CKH依次傳送水平起始信號(hào)STH， 并且，從寄存器的各級(jí)向采樣電路輸出采樣保持信號(hào)，該采樣保持信號(hào)確 定向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線DL輸出顯示信號(hào)Vsig的期間(采樣期間)。并且，該 采樣保持信號(hào)表示的采樣保持期間對(duì)應(yīng)于上述水平起始信號(hào)STH的期間
(在此為H電平期間)。因此，在缺陷檢查時(shí)，作為水平起始信號(hào)STH， 對(duì)EL面板100的水平方向驅(qū)動(dòng)電路供給由檢查用信號(hào)產(chǎn)生電路330生成 的如圖16所示的檢查用的水平起始信號(hào)STH，另外，若向經(jīng)采樣保持電 路與各數(shù)據(jù)線DL連接的視頻信號(hào)線輸出圖16所示的檢查用顯示信號(hào) Vsig，則按多個(gè)像素的每一個(gè)被供給檢查用顯示信號(hào)Vsig,可執(zhí)行檢查。
此外，圖16的驅(qū)動(dòng)方法與供給到數(shù)據(jù)線DL的顯示信號(hào)的驅(qū)動(dòng)波形的 切換定時(shí)連動(dòng)，在包括設(shè)定了元件驅(qū)動(dòng)Tr2的導(dǎo)通截止(EL元件的發(fā)光、 不發(fā)光)定時(shí)的像素電路的情況下有效，作為一例，可應(yīng)用于如圖l所示 的像素電路構(gòu)成。另外，在向用于控制各像素的保持電容Cs的電位的電 容線CL供給所希望的交流信號(hào)這樣的像素電路構(gòu)成中，通過(guò)在檢査時(shí)添加對(duì)電容線CL的電位進(jìn)行固定的電容電位控制開(kāi)關(guān)等，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2 根據(jù)供給到數(shù)據(jù)線DL的顯示信號(hào)的定時(shí)而動(dòng)作，從而也可采用如圖16 的檢查方法。
下面，進(jìn)一步參照?qǐng)D17，對(duì)EL顯示裝置的包括缺陷檢査、缺陷修正 的制造過(guò)程的一例進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于在面板基板上形成必要的電路元件、EL 元件等后完成的EL顯示裝置(EL面板)，首先執(zhí)行一次檢查(S40)。該 一次檢查涉及許多方面，例如顯示光柵圖像，通過(guò)目測(cè)或利用了CCD照 相機(jī)等的觀察(亮度檢測(cè))來(lái)實(shí)施顏色不均、由像素電路的短路等引起 的亮度缺陷、滅點(diǎn)缺陷、暗點(diǎn)缺陷的檢査。另外，顯示單像管圖形來(lái)執(zhí)行 顯示裝置的分辨率檢查等。此外，對(duì)于滅點(diǎn)缺陷、暗點(diǎn)缺陷而言，在本實(shí) 施方式中，如上所述，基于使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域、飽和區(qū)域動(dòng)作時(shí) 的EL元件的特性(發(fā)光亮度、陰極電流)進(jìn)行檢查，更優(yōu)選對(duì)滅點(diǎn)以及 暗點(diǎn)缺陷進(jìn)行檢測(cè)。
在一次檢查的滅點(diǎn)檢査中，判斷是否產(chǎn)生了滅點(diǎn)(S41)，結(jié)果，若未 產(chǎn)生(否)，則為良品(S42)。此外，在圖17中，為了便于圖示，該良品 是指在其他檢査項(xiàng)目中也被判定為良品的顯示裝置，該顯示裝置接下來(lái)進(jìn) 入后述的穩(wěn)定化老化(aging)工序(S53)。
在產(chǎn)生了滅點(diǎn)時(shí)(是)，例如根據(jù)該滅點(diǎn)缺陷數(shù)、滅點(diǎn)產(chǎn)生程度、或 產(chǎn)生位置等信息判斷接下來(lái)是否進(jìn)行滅點(diǎn)的修正(S43)。判斷的結(jié)果若由 于產(chǎn)生數(shù)多于允許規(guī)格值、或即使修正后也不能達(dá)到允許的程度這樣的理 由而判斷為不進(jìn)行修正時(shí)(否)，該顯示裝置將作為不良品而被廢棄(S44)。
在判斷為執(zhí)行滅點(diǎn)修正時(shí)(是)，接下來(lái)，作為用于修正所產(chǎn)生的滅 點(diǎn)的前置工序，執(zhí)行基于向EL元件施加反向偏壓的滅點(diǎn)篩選(S45)。通 過(guò)該滅點(diǎn)篩選，滅點(diǎn)明顯化，在下面的滅點(diǎn)缺陷檢查(二次檢查)時(shí)(S46), 能可靠地檢測(cè)滅點(diǎn)缺陷(特別是其產(chǎn)生位置)。
滅點(diǎn)缺陷檢查(S46)的結(jié)果，對(duì)確定了其產(chǎn)生位置的滅點(diǎn)缺陷接下 來(lái)執(zhí)行激光修復(fù)(S47)。該激光修復(fù)如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，是將EL元件的 短路所引起的滅點(diǎn)缺陷通過(guò)向該短路區(qū)域照射激光來(lái)絕緣化從而進(jìn)行修 正的方法。
這里，在一次檢查中被確認(rèn)的滅點(diǎn)缺陷但在其修正工序中消失的概 率，以往例如高至50%左右，但通過(guò)執(zhí)行滅點(diǎn)篩選，篩選后的滅點(diǎn)缺陷的
產(chǎn)生數(shù)例如能在500小時(shí)的可靠性試驗(yàn)之后為0個(gè)。另外，通過(guò)在激光修
復(fù)之前進(jìn)行滅點(diǎn)篩選，從而對(duì)于在一次檢查中并不明顯的滅點(diǎn)，也可檢測(cè) 為滅點(diǎn)缺陷來(lái)進(jìn)行修正。
接著，判斷在上述一次檢查中是否檢測(cè)到了暗點(diǎn)缺陷(S48)，在未產(chǎn) 生的情況下(否)，判斷為良品(S49)，轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定化老化工序(S53)。 在檢測(cè)到暗點(diǎn)缺陷的情況下(是)，判斷該暗點(diǎn)缺陷是否在可修正的亮度 偏差(灰度偏差)范圍內(nèi)，或根據(jù)其產(chǎn)生位置和產(chǎn)生數(shù)判斷是否執(zhí)行暗點(diǎn) 缺陷的修正(S50)。在判斷為不進(jìn)行修正的情況下(否)，該顯示裝置將 作為不良品而被廢棄(S51)。
在判斷為進(jìn)行暗點(diǎn)修正時(shí)(是)，如上所述，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在飽和區(qū) 域動(dòng)作，檢查由元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷，明確缺陷產(chǎn)生 位置，對(duì)缺陷照射UV光來(lái)執(zhí)行修復(fù)(S52)。通過(guò)這樣的UV光修復(fù)，修 正元件驅(qū)動(dòng)Tr2的特性偏差所引起的暗點(diǎn)缺陷。
如上所述，對(duì)在一次檢查中被判斷為良品的顯示裝置、或修正了滅點(diǎn) 和暗點(diǎn)后的顯示裝置，接下來(lái)實(shí)施穩(wěn)定化老化處理(S53)。該穩(wěn)定化老化 處理是使EL顯示裝置暴露在規(guī)定的高溫、高濕度環(huán)境中的處理。 一般， 由于EL元件的特性因熱、水、氧等而劣化，因此從原理上，未執(zhí)行這種 老化處理的顯示裝置可提供更高性能的EL顯示裝置作為產(chǎn)品。但是，由 于EL元件的初始劣化速度快，所以，即使特性稍微劣化，在使其特性穩(wěn) 定化之后作為產(chǎn)品提供也是恰當(dāng)?shù)模蚨捎蒙鲜隼匣幚怼?br> 該老化處理如上所述使EL顯示裝置暴露在高溫高濕環(huán)境中，因此通 過(guò)該老化處理，有時(shí)會(huì)新產(chǎn)生滅點(diǎn)缺陷或暗點(diǎn)缺陷等。所以，在本實(shí)施方 式中，在執(zhí)行穩(wěn)定化老化處理之后，再次進(jìn)行如上所述的使元件驅(qū)動(dòng)Tr2 在線性區(qū)域動(dòng)作的滅點(diǎn)缺陷檢査(二次檢查)(S54)，在未產(chǎn)生滅點(diǎn)缺陷 時(shí)(S55:否)，將該顯示裝置作為良品(S56)，進(jìn)而，依次執(zhí)行必要的組 裝工序、檢查工序等。在檢測(cè)到發(fā)生了滅點(diǎn)缺陷的情況下(S55:是)，為 了更可靠地使該滅點(diǎn)明顯化，執(zhí)行滅點(diǎn)篩選(S56)。
在執(zhí)行篩選之后，為了確定滅點(diǎn)缺陷位置而執(zhí)行缺陷檢查，并對(duì)確定
了位置的滅點(diǎn)缺陷，實(shí)施激光修復(fù)(S58)。
另外，在執(zhí)行老化處理之后，對(duì)暗點(diǎn)缺陷也再次如上述那樣使元件驅(qū)
動(dòng)Tr2在飽和區(qū)域動(dòng)作來(lái)執(zhí)行暗點(diǎn)缺陷檢查(S59)，在未檢測(cè)到暗點(diǎn)的情 況下(S60:否)，判定為良品(S61)。
在檢測(cè)到暗點(diǎn)缺陷的情況下(S60:是)，對(duì)檢測(cè)到的位置的暗點(diǎn)缺陷 執(zhí)行UV光修復(fù)(S62)，通過(guò)修復(fù)修正了缺陷后的顯示裝置作為良品添加 到出廠用的產(chǎn)品中(S63)。
如上所述，在一次檢查中檢測(cè)到滅點(diǎn)缺陷的情況下，在執(zhí)行滅點(diǎn)篩選 之后，作為二次檢査，使元件驅(qū)動(dòng)Tr2在線性區(qū)域動(dòng)作，執(zhí)行EL元件的 短路所引起的滅點(diǎn)缺陷的檢查，從而能確定存在滅點(diǎn)缺陷及其位置，并能 可靠地通過(guò)激光修復(fù)來(lái)修復(fù)，削減成為不良品的顯示裝置數(shù)，另外，能夠 實(shí)現(xiàn)高效的缺陷檢查，有助于削減制造成本。
此外，在上述一次檢查中，滅點(diǎn)缺陷通過(guò)將各像素的所述電致發(fā)光元 件控制在發(fā)光狀態(tài)，將其發(fā)光亮度相當(dāng)于小于基準(zhǔn)值的像素作為該滅點(diǎn)缺 陷進(jìn)行檢測(cè)。對(duì)于其發(fā)光亮度相當(dāng)于小于基準(zhǔn)值的像素而言，如上所述， 不僅是指根據(jù)使其顯示光柵圖像后測(cè)定的各像素的發(fā)光亮度的測(cè)定而被 判斷為亮度不充分的像素，還指如在本實(shí)施方式中說(shuō)明的使元件驅(qū)動(dòng)Tr2 在線性區(qū)域動(dòng)作來(lái)使EL元件為發(fā)光狀態(tài)時(shí)的發(fā)光亮度、或基于陰極電流 換算成發(fā)光亮度后小于基準(zhǔn)值的像素。
在此，在圖17所示的制造方法的例子中，對(duì)一次檢查或老化處理后 的滅點(diǎn)缺陷檢査的結(jié)果為檢測(cè)到了滅點(diǎn)缺陷的顯示裝置，執(zhí)行滅點(diǎn)篩選。 但是，例如也可在一次檢査時(shí)以及穩(wěn)定化老化處理之后，對(duì)所有顯示裝置 執(zhí)行滅點(diǎn)篩選。通過(guò)對(duì)所有顯示裝置執(zhí)行篩選，可大幅度降低在后面階段 產(chǎn)生滅點(diǎn)缺陷的可能性。但是，由于處理數(shù)增大會(huì)影響到制造時(shí)間、即制 造成本，因此通過(guò)僅對(duì)在如圖17所示那樣先進(jìn)行的滅點(diǎn)缺陷檢查中檢測(cè) 到滅點(diǎn)的顯示裝置執(zhí)行，從而可實(shí)現(xiàn)處理時(shí)間的削減。另外，也可以是 根據(jù)在后面階段產(chǎn)生滅點(diǎn)缺陷的概率，僅對(duì)在一次檢查或在老化處理后的 缺陷檢査中、檢測(cè)到了與可判斷為良品的產(chǎn)生容限接近數(shù)量的滅點(diǎn)缺陷的 顯示裝置執(zhí)行篩選。這是由于在已經(jīng)檢測(cè)到與產(chǎn)生容限接近數(shù)量的滅點(diǎn) 缺陷的情況下，當(dāng)在后面階段該顯示裝置中又產(chǎn)生了滅點(diǎn)缺陷時(shí)，在該時(shí)刻其成為不良品，到此為止的檢查、修正工序所花費(fèi)的時(shí)間和成本都變得 無(wú)用。
另外，滅點(diǎn)篩選也可在滅點(diǎn)缺陷和暗點(diǎn)缺陷都被檢測(cè)出規(guī)定數(shù)以上的 情況下對(duì)該顯示裝置執(zhí)行。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，所述顯示裝置在各像素中包括電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且，使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，觀察所述電致發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)，將發(fā)光亮度小于基準(zhǔn)亮度的像素檢測(cè)為異常顯示缺陷像素，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，并且，使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，觀察所述電致發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)，將不發(fā)光像素檢測(cè)為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺陷像素，將被檢測(cè)為所述異常顯示缺陷像素的像素中的未被檢測(cè)為所述滅點(diǎn)缺陷像素的像素，檢測(cè)為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
2. —種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢査方法，所述顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件 驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng) 的電流，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信 號(hào)，并且，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作， 檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的陰極電流，在該陰極電流的值比規(guī)定值大時(shí)，將該像素判定為由所述電致發(fā)光元 件引起的滅點(diǎn)缺陷像素。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，其 特征在于，在對(duì)各像素的所述電致發(fā)光元件施加反向偏壓之后，執(zhí)行所述滅點(diǎn)缺 陷像素的檢測(cè)。
4. 一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法， 所述顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件 驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng) 的電流，向各像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導(dǎo)通顯示信 號(hào)，并且，使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，檢測(cè)所述 電致發(fā)光元件的陰極電流，在該陰極電流的值比規(guī)定值小時(shí)，將該像素檢測(cè)為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶 體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
5. —種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，對(duì)根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的缺陷檢査方法檢測(cè)到的所述滅點(diǎn)缺陷像 素，向該像素的所述電致發(fā)光元件的陽(yáng)極與陰極的短路區(qū)域選擇性照射激 光，執(zhí)行切斷該短路區(qū)域的電流路徑的激光修正。
6. —種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，對(duì)根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的檢査方法檢測(cè)到的所述暗點(diǎn)缺陷像素， 在向該像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管施加規(guī)定的偏壓的狀態(tài)下照射紫外線 光，修正所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管的電流供給特性的偏差。
7. —種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置，所述電致發(fā)光顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元 件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光 元件中流動(dòng)的電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置包括 電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生在缺陷檢查時(shí)向各像素供給的電源； 檢查用信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢查用的定時(shí)信號(hào)以及檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)；電流檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的陰極電流；和 缺陷判定部，根據(jù)所述電源以及所述定時(shí)信號(hào)，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在 該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，并且，向該像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā) 光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述電流檢測(cè)部對(duì)根據(jù)所述檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)而動(dòng)作的所述電致 發(fā)光元件的陰極電流進(jìn)行檢測(cè)，缺陷判定部將該陰極電流與基準(zhǔn)值比較，當(dāng)比所述基準(zhǔn)值大時(shí)，將該 像素判定為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)鴃陷像素。
8. —種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢査裝置，所述電致發(fā)光顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元 件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光 元件中流動(dòng)的電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置包括 電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生在缺陷檢查時(shí)向各像素供給的電源； 檢査用驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢査用的定時(shí)信號(hào)以及檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)；電流檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的陰極電流；和 缺陷判定部，根據(jù)所述電源以及所述定時(shí)信號(hào)，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在 該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，并且，向該像素供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā) 光程度的檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述電流檢測(cè)部對(duì)根據(jù)所述檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)而動(dòng)作的所述電致 發(fā)光元件的陰極電流進(jìn)行檢測(cè)，缺陷判定部將該陰極電流與基準(zhǔn)值比較，當(dāng)比所述基準(zhǔn)值小時(shí)，將該 像素判定為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
9. 一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢査裝置，所述電致發(fā)光顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元 件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光 元件中流動(dòng)的電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置包括 電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生在缺陷檢查時(shí)向各像素供給的多個(gè)電源； 電源切換部，其為了根據(jù)缺陷檢查模式來(lái)切換并控制所述元件驅(qū)動(dòng)晶 體管在飽和區(qū)域的動(dòng)作和在線性區(qū)域的動(dòng)作，而切換向像素供給的電源； 檢查用信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢査用的定時(shí)信號(hào)以及檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)；發(fā)光檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)；和缺陷判定部，在異常顯示檢查模式下根據(jù)由所述電源切換部選擇的暗點(diǎn)檢查用的電源以及所述定時(shí)信號(hào)， 使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，并且，向?qū)?yīng)的像素 供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢査用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述發(fā)光檢測(cè)部檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的發(fā)光亮度，所述缺陷判定部將所述檢測(cè)到的發(fā)光亮度與基準(zhǔn)亮度比較，將該發(fā)光 亮度小于所述基準(zhǔn)亮度的像素判定為異常顯示缺陷像素， 在滅點(diǎn)檢査模式下根據(jù)由所述電源切換部選擇的滅點(diǎn)檢查用的電源以及所述定時(shí)信號(hào)， 使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，并且，向?qū)?yīng)的像素 供給使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的滅點(diǎn)檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述發(fā)光檢測(cè)部檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的發(fā)光亮度，所述缺陷判定部將所述檢測(cè)到的發(fā)光亮度與基準(zhǔn)亮度比較，將該發(fā)光 亮度小于所述基準(zhǔn)亮度的像素判定為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺 陷像素，在暗點(diǎn)檢査模式下，所述缺陷判定部將被檢測(cè)為所述異常顯示缺陷像 素的像素中的未被檢測(cè)為所述滅點(diǎn)缺陷像素的像素，判定為由所述元件驅(qū) 動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn)缺陷像素。
10. —種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置，所述電致發(fā)光顯示裝置在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元 件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置包括 電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生在缺陷檢査時(shí)向各像素供給的電源； 檢查用信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢査用的定時(shí)信號(hào)以及檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)；電流檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的陰極電流；禾口 缺陷判定部，根據(jù)所述電源以及所述定時(shí)信號(hào)，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在 該晶體管的線性區(qū)域動(dòng)作，并且，向該像素供給使所述電致發(fā)光元件為不 發(fā)光程度的檢查用截止顯示信號(hào)和使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢 查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述電流檢測(cè)部檢測(cè)所述檢査用截止顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā) 光元件的陰極電流和所述檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元 件的陰極電流之間的導(dǎo)通截止電流差，缺陷判定部將所述導(dǎo)通截止電流差與基準(zhǔn)值比較，當(dāng)該導(dǎo)通截止電流 差比所述基準(zhǔn)值大時(shí)，將該像素判定為由所述電致發(fā)光元件引起的滅點(diǎn)缺 陷像素。
11. 一種電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查裝置，所述電致發(fā)光顯示裝置 在各像素中包括二極管構(gòu)造的電致發(fā)光元件；和元件驅(qū)動(dòng)晶體管，其與 該電致發(fā)光元件連接，用于控制該電致發(fā)光元件中流動(dòng)的電流，所述電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢査裝置包括 電源產(chǎn)生部，其產(chǎn)生在缺陷檢査時(shí)向各像素供給的電源；檢査用信號(hào)產(chǎn)生部，其產(chǎn)生檢査用的定時(shí)信號(hào)以及檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)；電流檢測(cè)部，其檢測(cè)所述電致發(fā)光元件的陰極電流；和 缺陷判定部，根據(jù)所述電源以及所述定時(shí)信號(hào)，使各像素的所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管在 該晶體管的飽和區(qū)域動(dòng)作，并且，向該像素供給使所述電致發(fā)光元件為不 發(fā)光程度的檢查用截止顯示信號(hào)和使所述電致發(fā)光元件為發(fā)光程度的檢 查用導(dǎo)通顯示信號(hào)，所述電流檢測(cè)部檢測(cè)所述檢查用截止顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā) 光元件的陰極電流和所述檢查用導(dǎo)通顯示信號(hào)所對(duì)應(yīng)的所述電致發(fā)光元 件的陰極電流之間的導(dǎo)通截止電流差，缺陷判定部將所述導(dǎo)通截止電流差與基準(zhǔn)值比較，當(dāng)該導(dǎo)通截止電流 差比所述基準(zhǔn)值小時(shí)，將該像素判定為由所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管引起的暗點(diǎn) 缺陷像素。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢査裝置，其特征在于，所述檢查用驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部生成使所述元件驅(qū)動(dòng)晶體管以及對(duì)應(yīng)的 所述電致發(fā)光元件按每個(gè)像素多次連續(xù)動(dòng)作并且一個(gè)像素多次連續(xù)動(dòng)作 的定時(shí)信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置的缺陷檢查方法，使用于控制向EL元件供給的驅(qū)動(dòng)電流的元件驅(qū)動(dòng)晶體管(Tr2)在其線性區(qū)域動(dòng)作，基于使EL元件為發(fā)光程度時(shí)的發(fā)光亮度或陰極電流，檢測(cè)由EL元件的短路引起的滅點(diǎn)缺陷。使元件驅(qū)動(dòng)晶體管(Tr2)在其飽和區(qū)域動(dòng)作，根據(jù)使EL元件為發(fā)光程度時(shí)的陰極電流，可檢測(cè)由元件驅(qū)動(dòng)晶體管(Tr2)的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷，在根據(jù)發(fā)光亮度檢測(cè)異常顯示像素時(shí)，求出異常顯示像素中在滅點(diǎn)檢查時(shí)未被判定為滅點(diǎn)缺陷的像素，將該像素檢測(cè)為由元件驅(qū)動(dòng)晶體管(Tr2)的特性偏差引起的暗點(diǎn)缺陷。由此，能對(duì)EL顯示裝置的顯示缺陷根據(jù)其原因高精度地檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01N21/95GK101183079SQ20071014834
公開(kāi)日2008年5月21日 申請(qǐng)日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月4日
發(fā)明者小川隆司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社;三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社