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制造單片集成在半導(dǎo)體芯片處的磁傳感器元件的制作方法
【專利摘要】描述了一種制造磁傳感器模塊的方法，所述磁傳感器模塊具有在半導(dǎo)體芯片(110)處單片集成的磁傳感器元件。所述方法包括：設(shè)置復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(105)，所述復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括(i)半導(dǎo)體芯片(110)，(ii)針對(duì)集成電路的接觸元件(112)，所述接觸元件形成于半導(dǎo)體芯片上，以及(iii)在半導(dǎo)體芯片(110)上和接觸元件(112)上形成的介電層(120)；形成磁傳感器層，所述磁傳感器層在介電層(120)上單片地設(shè)置用于磁傳感器元件的材料；通過去除位于接觸元件(112)上方的那部分介電層(120)來暴露接觸元件(112)；以及在所形成的磁傳感器層或者暴露出的接觸元件(112)上形成導(dǎo)電保護(hù)層。還描述了一種通過上述方法制造的磁傳感器模塊。
【專利說明】制造單片集成在半導(dǎo)體芯片處的磁傳感器元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及磁傳感器模塊的【技術(shù)領(lǐng)域】，所述磁傳感器模塊包括磁傳感器元件，所述磁傳感器元件單片集成到包括集成電路的有源半導(dǎo)體芯片。具體地，本發(fā)明涉及一種制造這種磁傳感器模塊的方法、以及一種通過這種方法制造的磁傳感器模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]磁傳感器在各種工業(yè)中越來越重要。例如在汽車工業(yè)中，諸如可以在現(xiàn)在車輛中找到停車傳感器、例如節(jié)流閥中的角距傳感器、ABS(防抱死制動(dòng)系統(tǒng))傳感器和胎壓傳感器，用于改進(jìn)舒適度和安全性。因?yàn)榇艌鋈菀状┩复蠖鄶?shù)材料，磁傳感器在汽車應(yīng)用中尤其重要。與例如光傳感器不同，磁傳感器對(duì)于灰塵高度不敏感。
[0003]幾種不同的磁傳感器技術(shù)是當(dāng)前可用的，例如基于霍爾效應(yīng)的傳感器和基于磁阻效應(yīng)的傳感器，所述磁阻效應(yīng)例如是各向異性磁阻(AMR)、隧穿磁阻(TMR)和巨磁阻(GMR)傳感器。
[0004]對(duì)于下一代磁性汽車傳感器，計(jì)劃將相應(yīng)磁性元件的結(jié)構(gòu)單片集成到有源硅(即，已經(jīng)在集成電路中實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體芯片)的頂部，以便減小封裝成本，減小接合焊盤的個(gè)數(shù)，并且更加容易/更加精確地實(shí)現(xiàn)磁性/電子元件的匹配。這種集成要求在集成電路的頂部金屬層上的磁傳感器元件的新處理程序，例如在CMOS后端工藝中。
[0005]在依賴于AMR效應(yīng)的磁傳感器模塊的情況下，磁傳感器元件由坡莫合金材料制成，坡莫合金材料是具有20%鐵成分和80%鎳成分的鎳-鐵磁性合金。需要互連將構(gòu)成薄坡莫合金帶的磁傳感器元件連接至下覆的集成電路。單片集成的主要挑戰(zhàn)是在不損壞彼此的情況下執(zhí)行坡莫合金帶的構(gòu)圖和互連的形成，所述互連用作與下面的有源硅(例如，專用集成電路(ASIC))的電連接。具體地，在形成互連之前執(zhí)行磁傳感器元件構(gòu)圖的情況下，需要在暴露互連的工藝期間防止磁傳感器元件受到任何損壞。反之亦然，如果在磁傳感器元件的構(gòu)圖之前執(zhí)行互連形成，坡莫合金構(gòu)圖工藝不得損壞互連的暴露金屬。
[0006]具體地，如果先形成磁傳感器元件，在用于形成互連的接觸孔的刻蝕之后的抗微波帶和側(cè)壁聚合物去除步驟以及在接觸金屬的沉積之前的濺射刻蝕可能會(huì)損壞磁傳感器元件。這是因?yàn)樵谶@些步驟期間暴露了坡莫合金。反之亦然，如果至少部分地在磁傳感器元件之前形成互連，磁傳感器元件的構(gòu)圖可能損壞互連區(qū)域。具體地，如果將磁傳感器元件的材料進(jìn)行濕法刻蝕，互連的暴露金屬可能受到酸的損壞，或者由于受到干法刻蝕工藝的離子轟擊受到損壞。
[0007]需要提供一種針對(duì)具有單片集成到半導(dǎo)體芯片處或半導(dǎo)體芯片上的磁傳感器元件的磁傳感器模塊的有效和可靠制造程序，使得顯著地減小損壞磁傳感器元件或者損壞互連的風(fēng)險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]這需要通過獨(dú)立權(quán)利要求的主題來滿足。通過從屬權(quán)利要求描述了本發(fā)明的有利實(shí)施例。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出了一種制造具有在半導(dǎo)體芯片處或者優(yōu)選地在半導(dǎo)體芯片上單片集成的磁傳感器元件的磁傳感器模塊的方法，所述半導(dǎo)體芯片包括集成電路。所提出的方法包括:(a)設(shè)置復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括(i)半導(dǎo)體芯片，(?)針對(duì)集成電路的接觸元件，所述接觸元件形成于半導(dǎo)體芯片上，以及(iii)在半導(dǎo)體芯片上和接觸元件上形成的介電層，(b)形成磁傳感器層，所述磁傳感器層在介電層上單片地設(shè)置用于磁傳感器元件的材料，(C)通過去除位于接觸元件上方的那部分介電層來暴露接觸元件，以及(d)在形成的磁傳感器層或者暴露出的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層，以便防止在(i)形成由磁傳感器層產(chǎn)生的磁傳感器元件的步驟和(ii)暴露接觸元件的步驟之間的不利相互作用。
[0010]所述制造方法基于這樣的思想:通過在形成的磁傳感器層上或者暴露出的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層，當(dāng)分別形成或暴露磁傳感器元件和接觸元件中的一個(gè)時(shí)，可以有效地防止(i)形成的磁傳感器層和(ii)暴露出的接觸元件中另一個(gè)的損壞。
[0011]具體地，在已經(jīng)在磁傳感器層上形成導(dǎo)電保護(hù)層之后，可以暴露接觸元件，而沒有損壞磁傳感器層的風(fēng)險(xiǎn)。替代地，在已經(jīng)在暴露的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層之后，磁傳感器元件的形成不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞暴露出的接觸元件。
[0012]應(yīng)該注意，不必按照描述的順序執(zhí)行上述的步驟(a)至(d)。具體地，可以反轉(zhuǎn)所述步驟(b)和(C)的順序，使得在步驟(b)之前執(zhí)行步驟(C)。
[0013]所述制造方法可以提供這樣的優(yōu)勢:使用導(dǎo)電保護(hù)層不要求任何附加的掩模層，這將工藝復(fù)雜度和制造成本保持在最小級(jí)別。
[0014]所述制造方法還可以提供這樣的優(yōu)勢:其適用于不同類型的磁傳感器概念。具體地，所述磁傳感器元件可以是各向異性磁阻(AMR)傳感器元件、巨磁阻(GMR)傳感器元件或者隧道磁阻(TMR)傳感器元件。
[0015]具體地，接觸元件可以用于將集成電路與磁傳感器元件電連接。因此，接觸元件也可以稱作互連元件或短路互連。
[0016]接觸元件可以由適用于在互連復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的不同電子部分的半導(dǎo)體制造工藝中使用的任意材料制成。具體地，所述接觸元件可以包括元素金(Au)、銅(Cu)和鋁(Al)的至少一個(gè)。
[0017]在使用公知的AMR效應(yīng)的情況下，磁傳感器元件可以由所謂的坡莫合金制成，坡莫合金是具有與20%鐵成分和80%鎳成分的鎳-鐵磁性合金。
[0018]磁傳感器模塊可以是單片形成的復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。這意味著例如四個(gè)磁傳感器元件(可以按照惠斯通電橋形式彼此互連)的磁傳感器結(jié)構(gòu)分別與半導(dǎo)體芯片的集成電路電連接，而不需要諸如接合引線之類的互連。代替使用引線互連，集成電路的接觸元件通過適當(dāng)形成并且構(gòu)造的導(dǎo)電層與磁傳感器結(jié)構(gòu)相連。
[0019]集成電路可以表示所謂的專用集成電路(ASIC)。利用ASIC，可以實(shí)現(xiàn)磁傳感器結(jié)構(gòu)的控制和/或評(píng)估電子裝置的功能的至少一些。
[0020]應(yīng)該注意的是術(shù)語“上”或“上方”并不一定意味著一個(gè)元件直接設(shè)置在另一個(gè)元件上，而是包括在兩個(gè)元件之間設(shè)置了附加的層或元件的情況。例如，特征“在介電層上單片地形成磁傳感器元件”包括將磁傳感器元件直接設(shè)置在介電層上，還包括將附加的層設(shè)置在磁傳感器元件和介電層之間。
[0021]另外，應(yīng)該注意的是在本文件中，術(shù)語“上”或“上方”不必參考重力來使用。具體地，當(dāng)復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的朝向上下顛倒時(shí)，“上”可以意味著“下”、并且“上方”可以意味著“下方”。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，介電層包括在半導(dǎo)體芯片上形成的第一介電子層和在第一介電子層上形成的第二介電子層。
[0023]使用兩個(gè)介電子層來形成介電層可以提供這樣的優(yōu)勢:一方面，可以實(shí)現(xiàn)由磁傳感器元件給出的磁傳感器結(jié)構(gòu)和在接觸元件外部的半導(dǎo)體芯片的區(qū)域之間的良好總體電學(xué)隔離。另一方面，可以實(shí)現(xiàn)⑴磁傳感器元件和(ii)半導(dǎo)體芯片(主體)之間減小的機(jī)械應(yīng)力。
[0024]第一介電子層和/或第二介電子層可以由諸如氧化硅材料之類的氧化物材料制成。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所述方法還包括:(e)在暴露出的接觸元件上方的區(qū)域中形成暴露出的接觸元件上的導(dǎo)電阻擋層；以及(f)在暴露出的接觸元件上方的區(qū)域中形成導(dǎo)電阻擋層上的接觸材料。這可以提供這樣的優(yōu)勢:可以避免具體地在接觸材料和接觸元件之間不必要的原子擴(kuò)散。另外，可以實(shí)現(xiàn)磁傳感器元件和相應(yīng)接觸元件之間的良好且可靠的電連接。
[0026]根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，所述方法還包括:(g)在磁傳感器元件和接觸材料上形成非金屬鈍化層。這可以提供這樣的優(yōu)勢:可以有效地保護(hù)得到的磁傳感器模塊免受外部環(huán)境效應(yīng)影響，例如灰塵、污垢和/或濕氣。例如可以通過氮化硅(SiN)或者氮氧化硅(S1N)實(shí)現(xiàn)非金屬鈍化層。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，所述方法還包括:(h)通過在接合焊盤上方的區(qū)域中去除鈍化層和介電層，暴露在半導(dǎo)體芯片的表面處設(shè)置的接合焊盤。
[0028]通過暴露在半導(dǎo)體芯片的表面處設(shè)置的至少一個(gè)接合焊盤，可以將所得到的包括磁傳感器結(jié)構(gòu)和相應(yīng)電路的磁傳感器模塊容易地與其他電子裝置接觸，具體地通過一個(gè)或多個(gè)接合引線。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，導(dǎo)電保護(hù)層包括以下材料中的至少一個(gè):TiW、TiffN,Ta、TaN、T1、TiN、W、WN 和 NiFe。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，在暴露接觸元件的步驟之前完成形成磁傳感器層的步驟，并且在所形成的磁傳感器層上形成導(dǎo)電保護(hù)層。這可能意味著在已經(jīng)形成磁傳感器層之后并且已經(jīng)暴露接觸元件之前完成了形成導(dǎo)電保護(hù)層的步驟。
[0031]應(yīng)該注意的是在該上下文中，可以在暴露接觸元件的步驟之前執(zhí)行來自磁傳感器層的磁傳感器元件的構(gòu)圖或構(gòu)造。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，所述方法還包括:通過構(gòu)造磁傳感器層來形成磁傳感器元件。另外，在形成的磁傳感器元件上和接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層，并且暴露接觸元件的步驟包括在接觸元件上方的區(qū)域中去除介電層和導(dǎo)電保護(hù)層兩者。這可以提供這樣的優(yōu)勢:當(dāng)形成接觸元件時(shí)，先前形成的磁傳感器元件將被導(dǎo)電保護(hù)層完全封裝。具體地，當(dāng)暴露接觸元件時(shí)，將不僅保護(hù)磁傳感器元件的頂部表面，還保護(hù)磁傳感器元件的側(cè)表面。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，在暴露接觸元件之前，通過在除已經(jīng)形成或?qū)⒁纬纱艂鞲衅髟膮^(qū)域上方的區(qū)域之外的所有區(qū)域中去除導(dǎo)電保護(hù)層來構(gòu)造導(dǎo)電保護(hù)層。
[0034]因此，通過使用適當(dāng)?shù)难谀?gòu)造磁傳感器層，從而在優(yōu)選使用相同的掩模構(gòu)造導(dǎo)電保護(hù)層之前形成磁傳感器元件。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，在形成的磁傳感器層上形成導(dǎo)電保護(hù)層，其中還沒有對(duì)所形成的磁傳感器層進(jìn)行構(gòu)造以便形成磁傳感器元件。另外，將構(gòu)造的導(dǎo)電保護(hù)層用作硬掩模，用于去除磁傳感器元件的區(qū)域外部的磁傳感器層。
[0036]這可以提供這樣的優(yōu)勢:與在一個(gè)構(gòu)造步驟內(nèi)構(gòu)造導(dǎo)電保護(hù)層一起，也可以按照相同的方式構(gòu)造磁傳感器層以便也形成磁傳感器元件。由于將構(gòu)造的導(dǎo)電保護(hù)層用作自動(dòng)正確定位的掩模，所述程序?qū)⒎浅？煽俊?br> [0037]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，在形成磁傳感器元件的步驟之前完成暴露接觸元件的步驟，并且在暴露出的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層。這意味著可以在已經(jīng)暴露了接觸元件之后并且已經(jīng)形成磁傳感器元件之前完成形成導(dǎo)電保護(hù)層的步驟。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，導(dǎo)電保護(hù)層的材料與磁傳感器元件的材料相同。這可以提供這樣的優(yōu)勢:可以在一個(gè)公共的沉積步驟和后續(xù)的構(gòu)圖步驟內(nèi)形成磁傳感器元件和導(dǎo)電保護(hù)層。因此利用所述方法，可以按照有效的方式實(shí)現(xiàn)具有單片集成到有源半導(dǎo)體芯片的磁傳感器元件的磁傳感器模塊。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，通過在接觸元件上方的區(qū)域中去除介電層來完成暴露接觸元件的步驟。這可以提供這樣的優(yōu)勢:為了暴露接觸元件，例如通過刻蝕電介質(zhì)材料只去除接觸元件上的介電層。不需要去除要在已經(jīng)完全暴露了接觸元件之后沉積的磁傳感器元件的材料的相應(yīng)導(dǎo)電保護(hù)層的材料。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例，通過在接觸元件上方的區(qū)域中形成穿過介電層的通孔、并且用導(dǎo)電材料填充所述通孔來完成暴露接觸元件的步驟。
[0041]通過填充形成的通孔，形成插塞(plug)以便將接觸元件延伸或升高到與介電層的上表面相對(duì)應(yīng)的水平。因此，為了接觸位于半導(dǎo)體芯片的上表面的接觸元件，不需要通過去除位于接觸元件上方的所有電介質(zhì)材料來暴露或挖出接觸元件。
[0042]用于填充通孔的導(dǎo)電材料可以是例如鎢(W)。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提出了一種磁傳感器模塊，包括:(a)容納集成電路的半導(dǎo)體芯片，(b)集成電路的接觸元件，所述接觸元件在半導(dǎo)體芯片上形成，(C)至少在半導(dǎo)體芯片上位于接觸元件上方的區(qū)域外部的區(qū)域處形成的介電層，以及(d)在介電層上單片集成地形成的磁傳感器元件。通過如上所述的任一個(gè)示例方法的制造所述磁傳感器模塊。
[0044]磁傳感器模塊基于這樣的思想:通過執(zhí)行上述方法可以有效且可靠地制造磁傳感器模塊。具體地，通過在所形成的磁傳感器模塊上或者在暴露出的接觸元件上形成接觸保護(hù)層，當(dāng)分別形成所形成的磁傳感器元件或者暴露暴露出的接觸元件中的一個(gè)時(shí)，可以有效地防止磁傳感器元件和接觸元件中另一個(gè)的損壞。
[0045]必須注意的是:已經(jīng)參考不同的主題描述了本發(fā)明的實(shí)施例。具體地，
[0046]具體地，已經(jīng)參考方法類型權(quán)利要求描述了一些實(shí)施例，而已經(jīng)參考設(shè)備類型權(quán)利要求描述了另一個(gè)實(shí)施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員從以上和以下描述中獲悉:除非另有說明，除了屬于一種類型的主題特征的任意組合之外，涉及不同主題的特征之間(具體地，在方法類型的權(quán)利要求的特征和設(shè)備類型的權(quán)利要求的特征之間)的任意組合看作是被本申請公開。
[0047]本發(fā)明的以上限定的方面和其他方面根據(jù)下文中將要描述的實(shí)施例的示例變得清楚明白，并且參考實(shí)施例的示例進(jìn)行解釋。下文中將參考實(shí)施例的示例更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0048]圖1a至Ig示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第一變體的磁傳感器模塊的制造，其中在暴露集成電路的接觸元件之前，通過構(gòu)造坡莫合金材料的相應(yīng)層形成了磁傳感器元件。
[0049]圖2a至2g示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第二變體的磁傳感器模塊的制造。
[0050]圖3a至3f示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的第一變體的制造磁傳感器模塊的制造，在通過構(gòu)造坡莫合金材料的相應(yīng)層來形成磁傳感器元件之前，暴露集成電路的接觸元件。
[0051]圖4a至4f示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的第二變體的磁傳感器模塊的制造。

【具體實(shí)施方式】
[0052]附圖中的說明是示意性的。應(yīng)該注意的是在不同的圖中，類似或相同的元件或特征配置有相同的參考符號(hào)、或者只是在第一個(gè)數(shù)字內(nèi)的相應(yīng)參考符號(hào)不同的參考符號(hào)。為了避免不必要地重復(fù)已經(jīng)參考前述實(shí)施例說明元件或者特征，在后面的描述位置不再進(jìn)行說明。
[0053]在以下詳細(xì)描述中，參考圖1a至Ig和圖2a至2g描述了本發(fā)明第一實(shí)施例的兩個(gè)變體。根據(jù)第一實(shí)施例的兩個(gè)變體，在暴露集成電路的接觸元件之前，通過構(gòu)造坡莫合金材料的相應(yīng)層來形成磁傳感器元件。
[0054]具體地，根據(jù)第一實(shí)施例的兩個(gè)變體，導(dǎo)電保護(hù)層在互連形成期間保護(hù)坡莫合金，并且用作坡莫合金和接觸金屬之間的粘附層和擴(kuò)散阻擋層。在對(duì)接觸金屬進(jìn)行構(gòu)圖之后，使用接觸金屬作為硬掩模，至少部分地去除了有源磁傳感器元件上方的這種導(dǎo)電保護(hù)層，從而避免了任何附加的掩模層。需要去除有源磁傳感器元件上方的導(dǎo)電保護(hù)層，因?yàn)槿绻嬖趯?dǎo)電保護(hù)層會(huì)導(dǎo)致有源磁傳感器元件被導(dǎo)電保護(hù)層短路。導(dǎo)電保護(hù)層僅殘留在接觸金屬的下方。導(dǎo)電保護(hù)層可以包括例如TiW、TiffN, Ta、TaN, T1、TiN、W或WN或者其組合的材料。
[0055]如果對(duì)于導(dǎo)電保護(hù)層和擴(kuò)散阻擋層使用相同的材料，則不需要除導(dǎo)電保護(hù)層的沉積之外的附加制造步驟。在本文中，相應(yīng)的工藝流稱作第一實(shí)施例的第一變體，并且參考圖1a至Ig進(jìn)行說明。
[0056]根據(jù)第一實(shí)施例的第二變體，使用附加的擴(kuò)散阻擋層/導(dǎo)電保護(hù)層作為坡莫合金的干法(或濕法)刻蝕的硬掩模，在坡莫合金構(gòu)圖之后不去除硬掩模，但是在接觸金屬的構(gòu)圖之后(或期間)去除硬掩模。參考圖2a至2g說明第一實(shí)施例的第二變體的相應(yīng)工藝流程。
[0057]圖1a示出了復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105，復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105表示根據(jù)第一實(shí)施例的第一變體的制造磁傳感器模塊的方法的起始基礎(chǔ)。復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105包括(i)容納磁傳感器模塊的預(yù)制ASIC(專用集成電路)的半導(dǎo)體芯片110，(ii)在半導(dǎo)體芯片110上形成的針對(duì)集成電路的接觸元件112，以及(iii)在半導(dǎo)體芯片110上和接觸元件112上形成的介電層120。復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105還包括接合焊盤114，如根據(jù)下面描述清楚的是，接合焊盤可以用于具體地通過一個(gè)或多個(gè)接合引線將磁傳感器模塊與沒有描述的其他電子裝置電接觸。
[0058]根據(jù)這里描述的實(shí)施例，介電層120包括兩個(gè)子層，第一介電子層122和第二介電子層124。
[0059]圖1b示出了制造磁傳感器模塊的下一個(gè)處理狀態(tài)，其中已經(jīng)在第二介電子層124上形成了磁傳感器元件130。可以通過(a)在第二介電子層124上沉積坡莫合金材料的層，(b)在沉積的坡莫合金材料層頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(c)構(gòu)造光致抗蝕劑材料，(d)干法或濕法構(gòu)圖坡莫合金材料，以及(e)剝離剩余光致抗蝕劑材料，按照已知和未描述的方式完成磁傳感器兀件130的形成。
[0060]圖1c示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中已經(jīng)在磁傳感器元件130、接合焊盤114和第二介電子層124的周圍區(qū)域上沉積了導(dǎo)電保護(hù)層140。導(dǎo)電保護(hù)層140可以由例如材料TiW或上述任意其他材料制成。
[0061]在圖1d所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)形成了用于接觸元件112的凹槽142。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這些凹槽:(a)在導(dǎo)電保護(hù)層140的頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(b)對(duì)沉積的光致抗蝕劑材料進(jìn)行構(gòu)造，(c)刻蝕導(dǎo)電保護(hù)層140，(d)刻蝕兩個(gè)介電子層122、124，以及(e)剝離剩余的光致抗蝕劑材料、并且去除側(cè)壁聚合物。在這些步驟期間，導(dǎo)電保護(hù)層140防止了侵害或者損壞坡莫合金材料。
[0062]圖1e示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在位于兩個(gè)相鄰的磁傳感器元件130之間的接觸元件112上和導(dǎo)電保護(hù)層140上，已經(jīng)首先形成了金屬擴(kuò)散阻擋層152和接觸材料層154。可以通過圖中未示出的以下方式形成這種構(gòu)造結(jié)構(gòu):(a)沉積擴(kuò)散阻擋層152，(b)沉積接觸材料154, (c)在接觸材料154的頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(d)構(gòu)造沉積的光致抗蝕劑材料，(e)刻蝕接觸材料154，(f)剝離剩余的光致抗蝕劑材料，(g)刻蝕擴(kuò)散阻擋層152，以及(h)刻蝕磁傳感器元件上的導(dǎo)電保護(hù)層140。由于通過導(dǎo)電保護(hù)層140保護(hù)了磁傳感器元件130，例如可以在步驟(a)之前使用濺射刻蝕工藝。
[0063]可以在一個(gè)單獨(dú)的步驟中組合步驟(g)和(h)。另外，對(duì)于步驟(g)和(h)中的刻蝕，可以將先前構(gòu)造的接觸材料154用作硬掩模。
[0064]在圖1f所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)沉積了鈍化層160。在沉積鈍化層160期間、之前和/或之后，可以對(duì)接觸元件112進(jìn)行退火。可以按照例如等離子沉積工藝(PECVD)的已知方式來形成由例如氮化硅(SiN)或氮氧化硅(S1N)制成的鈍化層160。
[0065]如示出了所得到的磁傳感器模塊100的圖1g所示，已經(jīng)形成了接合焊盤114上的開口或凹槽162。這種開口或凹槽162允許磁傳感器模塊100例如通過接合引線與其他電子裝置電連接。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種開口或凹槽162: (a)沉積光致抗蝕劑材料，(b)構(gòu)造光致抗蝕劑材料，(c)刻蝕鈍化層160和層間金屬介電層120，根據(jù)這里描述的實(shí)施例，層間金屬介電層包括第一介電子層122和第二介電子層124，以及(d)剝離光致抗蝕劑材料。
[0066]圖2a至2g示出了根據(jù)第一實(shí)施例的第二變體的磁傳感器模塊的制造工藝。如圖2a和2b所示，相應(yīng)的處理狀態(tài)分別與圖1a和Ib中所示的處理狀態(tài)相同。為了簡明起見，將不再描述這些處理狀態(tài)。而是參考以上給出的描述。
[0067]圖2c示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在磁傳感器元件130上排他地形成導(dǎo)電保護(hù)層240。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種構(gòu)造結(jié)構(gòu):(a)沉積例如由TiW構(gòu)成的導(dǎo)電保護(hù)層240，(b)在導(dǎo)電保護(hù)層240上沉積光致抗蝕劑材料，(c)適當(dāng)?shù)貥?gòu)造光致抗蝕劑材料，(d)刻蝕導(dǎo)電保護(hù)層240，使得只有磁傳感器元件130上方殘留有一部分導(dǎo)電保護(hù)層240，以及(e)剝離剩余的光致抗蝕劑材料。
[0068]為了實(shí)現(xiàn)圖2c所示的構(gòu)造結(jié)構(gòu)，不必分離地刻蝕磁傳感器元件130和導(dǎo)電保護(hù)層240。相反，可以省略圖2b所示的處理狀態(tài)，并且可以連續(xù)地或者在一個(gè)單獨(dú)的刻蝕步驟內(nèi)刻蝕導(dǎo)電保護(hù)層240和磁傳感器元件130的AMR坡莫合金材料。按照這種方式，可以將構(gòu)圖或構(gòu)造的導(dǎo)電保護(hù)層用作刻蝕AMR坡莫合金材料的硬掩模。
[0069]在圖2d所示的另一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)形成了用于接觸元件112的凹槽226。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這些凹槽226: (a)沉積光致抗蝕劑材料，(b)構(gòu)造沉積的光致抗蝕劑材料，(c)刻蝕兩個(gè)介電子層122、124，以及(d)例如通過微波等離子剝離剩余的光致抗蝕劑材料并且去除側(cè)壁聚合物。在這些步驟期間，導(dǎo)電保護(hù)層240防止了侵害或損壞磁傳感器元件130的AMR坡莫合金材料。
[0070]圖2e示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在位于兩個(gè)相鄰磁傳感器元件130之間的區(qū)域中的接觸元件112上和第二介電質(zhì)子層124上已經(jīng)首先形成了金屬擴(kuò)散阻擋層252和接觸材料層254。可以通過圖中未示出的以下方式形成這樣構(gòu)造的結(jié)構(gòu):(a)沉積擴(kuò)散阻擋層252，(b)沉積接觸材料254，(c)在接觸材料254的頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(d)構(gòu)造沉積的光致抗蝕劑材料，(e)刻蝕接觸材料254，(f)剝離剩余的光致抗蝕劑材料，(g)刻蝕擴(kuò)散阻擋層252，以及(h)刻蝕磁傳感器元件130上的導(dǎo)電保護(hù)層240。由于通過導(dǎo)電保護(hù)層240保護(hù)了磁傳感器元件130，例如可以在步驟(a)之前使用濺射刻蝕工藝
[0071]可以在一個(gè)單獨(dú)的步驟中組合步驟(g)和(h)。另外，對(duì)于步驟(g)和(h)中的刻蝕，可以將先前構(gòu)造的接觸材料254用作硬掩模。
[0072]在圖2f所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)沉積了鈍化層260。在沉積鈍化層260期間、之前和/或之后，可以將磁傳感器元件130的坡莫合金材料進(jìn)行退火。可以通過例如等離子沉積工藝按照已知方式形成由例如氮化硅(SiN)或氮氧化硅(S1N)制成的鈍化層160。
[0073]如示出了所得到的磁傳感器模塊200的圖2g所示，已經(jīng)形成了接合焊盤114上的開口或凹槽262。這種開口或凹槽262允許磁傳感器模塊200例如通過接合引線與其他電子裝置電連接。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種開口或凹槽262:(a)沉積光致抗蝕劑材料，(b)構(gòu)造光致抗蝕劑材料，(c)刻蝕鈍化層260和層間金屬介電層120，根據(jù)這里描述的實(shí)施例，所述層間金屬介電層包括第一介電子層122和第二介電子層124，以及(d)剝離光致抗蝕劑材料。
[0074]圖3a至3f和圖4a至4f示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例的兩個(gè)變體。根據(jù)第二實(shí)施例的兩個(gè)變體，在通過構(gòu)造坡莫合金材料的相應(yīng)層來形成磁傳感器元件之前暴露了針對(duì)集成電路的接觸元件。在這種表述“先接觸”集成體系結(jié)構(gòu)中，沉積導(dǎo)電保護(hù)層在坡莫合金的構(gòu)圖期間保護(hù)了接觸孔中ASIC的暴露頂部金屬。因此，在接觸孔內(nèi)沉積了導(dǎo)電保護(hù)層。優(yōu)選地，磁傳感器元件的坡莫合金層本身用作導(dǎo)電保護(hù)層。這具有這樣的優(yōu)勢:不要求附加的制造步驟，保持了制造成本處于最小級(jí)別。
[0075]根據(jù)第二實(shí)施例的第一變體，導(dǎo)電保護(hù)層殘留在ASIC的頂部金屬和接觸金屬之間。
[0076]根據(jù)第二實(shí)施例的第二變體，在沉積坡莫合金材料層之前，已經(jīng)通過所謂的插塞形成了穿過層間金屬介電層的接觸。可以在坡莫合金材料層的構(gòu)圖期間，按照與接觸孔中ASIC的接觸元件的暴露頂部金屬相同的方式保護(hù)這些插塞。
[0077]圖3a示出了復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105，復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表示根據(jù)第二實(shí)施例第一變體的制造磁傳感器模塊300的方法的起始基礎(chǔ)。為了簡明起見，將不再描述已經(jīng)參考圖1a描述的這種復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105。而是參考圖1a的描述。
[0078]在圖3b所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)形成了用于接觸元件112的凹槽326。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這些凹槽326: (a)在第二介電子層124的頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(b)對(duì)沉積的光致抗蝕劑材料進(jìn)行構(gòu)造，(c)刻蝕兩個(gè)介電子層122、124，以及(e)剝離剩余的光致抗蝕劑材料、并且去除側(cè)壁聚合物。
[0079]圖3c示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在與磁傳感器元件330相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的接觸元件112上和第二介電子層124上，已經(jīng)形成了坡莫合金層，坡莫合金層用作磁傳感器元件130的材料并且用作導(dǎo)電保護(hù)層340。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這樣構(gòu)造的結(jié)構(gòu):(a)沉積坡莫合金材料，(b)在沉積的坡莫合金材料的頂部沉積光致抗蝕劑材料，(C)構(gòu)造沉積的光致抗蝕劑材料，以便去除位于磁傳感器元件330和凹槽326附近的坡莫合金材料，(d)例如通過濕法或干法刻蝕工藝適當(dāng)?shù)貥?gòu)圖坡莫合金材料，以及(e)剝離剩余的光致抗蝕劑材料。由于通過坡莫合金材料340對(duì)接觸元件112的保護(hù)，在步驟(d)期間不會(huì)侵害或損壞接觸元件112。
[0080]圖3d示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在位于磁傳感器元件330附近的(i)接觸元件112上和(ii)第二介電子層124的區(qū)域上，已經(jīng)首先形成了金屬擴(kuò)散阻擋層352和接觸材料層354。可以通過圖中未示出的以下方式形成這樣構(gòu)造的結(jié)構(gòu)(a)沉積擴(kuò)散阻擋層352，(b)沉積接觸材料354, (c)在接觸材料354的頂部上沉積光致抗蝕劑材料，(d)適當(dāng)?shù)臉?gòu)造光致抗蝕劑材料，(e)刻蝕接觸材料354，(f)剝離剩余的光致抗蝕劑材料，以及(g)例如通過使用所構(gòu)造的接觸材料354作為硬掩模來刻蝕擴(kuò)散阻擋層352。
[0081]在圖3e所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)沉積了鈍化層360。在沉積鈍化層360期間、之前和/或之后，可以對(duì)磁傳感器元件130進(jìn)行退火。可以通過例如等離子沉積工藝按照已知的方式形成鈍化層360。
[0082]如示出了所得到的磁傳感器模塊300的圖3f所示，已經(jīng)形成了接合焊盤114上的開口或凹槽362。這種開口或凹槽362允許磁傳感器模塊300例如通過結(jié)合引線與其他電子裝置電連接。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種開口或凹槽362:(a)沉積光致抗蝕劑材料，(b)適當(dāng)?shù)臉?gòu)造光致抗蝕劑材料，(c)刻蝕鈍化層360和層間金屬介電層120，以及(d)剝離光致抗蝕劑材料。
[0083]圖4a至4f示出了根據(jù)第二實(shí)施例的第二變體的磁傳感器模塊的制造工藝。
[0084]圖4a示出了復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105，復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表示根據(jù)第二實(shí)施例的第二變體的制造磁傳感器模塊400的方法的起始基礎(chǔ)。該復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105與圖1a中所示的復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同。因此為了簡明起見，將不再描述圖4a的復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)105。而是參考圖1a的描述。
[0085]在圖4b所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，在接觸元件112的上表面上形成接觸插塞412a。這有效地使得接觸元件112升高或延伸至與第二介電子層124的上表面相對(duì)應(yīng)的高度級(jí)別。按照已知方式實(shí)現(xiàn)插塞，例如可以通過用鎢(W)填充相應(yīng)的通孔。
[0086]圖4c示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在與磁傳感器元件430相對(duì)應(yīng)區(qū)域中的插塞412上和第二介電子層124上，已經(jīng)形成了坡莫合金層，坡莫合金層用作磁傳感器元件430的材料并且用作插塞412a的導(dǎo)電保護(hù)層440。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這樣構(gòu)造的結(jié)構(gòu)(a)沉積坡莫合金材料，(b)在沉積的坡莫合金材料的頂部沉積光致抗蝕劑材料，(c)構(gòu)造光致抗蝕劑材料，以便去除位于磁傳感器元件430附近和插塞412a附近的坡莫合金材料，(d)例如通過濕法或干法刻蝕工藝適當(dāng)?shù)貥?gòu)圖坡莫合金材料，以及(e)剝離剩余的光致抗蝕劑材料。由于通過坡莫合金材料440保護(hù)插塞412，在步驟(d)期間不會(huì)侵害或損壞插塞412。
[0087]圖4d示出了下一個(gè)處理狀態(tài)，其中在位于磁傳感器元件430附近的(i)插塞412上和(ii)第二介電子層124上，已經(jīng)首先形成了金屬擴(kuò)散阻擋層452和接觸材料層454。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種構(gòu)造結(jié)構(gòu):(a)沉積擴(kuò)散阻擋層452，(b)沉積接觸材料454, (c)在接觸材料454的頂部沉積光致抗蝕劑材料，(d)適當(dāng)?shù)臉?gòu)造光致抗蝕劑材料，(e)刻蝕接觸材料454，(f)剝離剩余的光致抗蝕劑材料，以及(g)例如通過使用所構(gòu)造的接觸材料454作為硬掩模來刻蝕擴(kuò)散阻擋層452。
[0088]在圖4e所示的下一個(gè)處理狀態(tài)中，已經(jīng)沉積了鈍化層460。在沉積鈍化層460期間、之前和/或之后，可以對(duì)磁傳感器元件430進(jìn)行退火。可以通過例如等離子沉積工藝的已知方式形成由例如氮化硅(SiN)或氮氧化硅(S1N)制成的鈍化層460。
[0089]如示出了所得到的磁傳感器模塊400的圖4f所示，已經(jīng)形成了接合焊盤114上的開口或凹槽462。這種開口或凹槽462允許磁傳感器模塊400例如通過接合引線與其他電子裝置電連接。可以通過圖中未示出的以下方式來形成這種開口或凹槽462: (a)沉積光致抗蝕劑材料，(b)適當(dāng)?shù)臉?gòu)造光致抗蝕劑材料，(c)刻蝕鈍化層460和層間金屬介電層120，以及(d)剝離光致抗蝕劑材料。
[0090]在構(gòu)造的鈍化層460的頂部，可以沉積用作機(jī)械應(yīng)力緩沖的晶片涂覆材料。在接合焊盤114上方必須去除的這種晶片涂覆材料可以是photo-1mide材料。在進(jìn)一步處理磁傳感器模塊400之前，例如將磁傳感器模塊400與接合弓I線接觸，可以通過適當(dāng)?shù)臒崽幚韥砉袒鼍扛膊牧稀?yīng)該指出，還可以將晶片涂覆材料涂覆至分別在圖lg、2g和3f中示出的鈍化層160、260和360。
[0091]為了概括本發(fā)明的上述實(shí)施例，可以聲明:
[0092]在本文件中，描述了用于磁傳感器元件的材料或者用于ASCI的接觸元件的保護(hù)層，以便允許利用例如CMOS工藝單片集成磁傳感器元件。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的變體，保護(hù)層導(dǎo)電并且不要求額外的掩模層，從而將工藝復(fù)雜度和制造成本保持在最小級(jí)別。因?yàn)檫@種保護(hù)層在凹槽的形成和填充期間保護(hù)了磁傳感器元件(需要凹槽將優(yōu)選地包括四個(gè)磁傳感器元件的結(jié)構(gòu)(具體地，惠斯通電橋結(jié)構(gòu))與位于有源半導(dǎo)體芯片下方的ASIC相連)，這種保護(hù)層增加了工藝魯棒性和產(chǎn)量。在沉積鈍化層之前的工藝中隨后去除了有源磁傳感器元件上方的保護(hù)層，從而確保了磁傳感器元件的關(guān)鍵(坡莫合金)材料的最大保護(hù)。所述保護(hù)層只殘留于接觸區(qū)域中。
[0093]根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的變體，在沉積磁傳感器元件的關(guān)鍵材料(坡莫合金)之前完成了凹槽的形成。通過使用用于凹槽或用于例如鎢插塞的保護(hù)層，在磁傳感器元件的構(gòu)圖期間防止相應(yīng)的接觸免受任何損壞，從而增加了工藝魯棒性和產(chǎn)量。如果將磁傳感器元件的材料(例如，坡莫合金)也用于保護(hù)，不要求附加的制造步驟，從而將工藝復(fù)雜度和制造成本保持在最小級(jí)別。
[0094]應(yīng)該注意的是，術(shù)語“包括”不排除其他元件或步驟的存在，“一”或“一個(gè)”不排除多個(gè)。可以對(duì)與不同實(shí)施例相關(guān)聯(lián)的描述的元件進(jìn)行組合。還應(yīng)該注意的是權(quán)利要求中的參考符號(hào)不應(yīng)該解釋為限制權(quán)利要求的范圍。
[0095]參考數(shù)字:
[0096]100磁傳感器模塊
[0097]105復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0098]110半導(dǎo)體芯片
[0099]112接觸元件
[0100]114接合焊盤
[0101]120介電層
[0102]122第一介電子層
[0103]124第二介電子層
[0104]130磁傳感器元件
[0105]140導(dǎo)電保護(hù)層
[0106]142接觸元件的開口 /凹槽
[0107]152擴(kuò)散阻擋層
[0108]154接觸材料
[0109]160鈍化層
[0110]162接合焊盤的開口 /凹槽
[0111]200磁傳感器模塊
[0112]226接觸元件的開口 /凹槽
[0113]240導(dǎo)電保護(hù)層
[0114]252阻擋層
[0115]254接觸材料
[0116]260鈍化層
[0117]262接合焊盤的開口 /凹槽
[0118]300磁傳感器模塊
[0119]326接觸元件的開口 /凹槽
[0120]330磁傳感器元件
[0121]340導(dǎo)電保護(hù)層
[0122]352阻擋層
[0123]354接觸材料
[0124]360鈍化層
[0125]362接合焊盤的開口 /凹槽
[0126]400磁傳感器模塊
[0127]412a通孔、接觸插塞
[0128]430磁傳感器元件
[0129]440導(dǎo)電保護(hù)層
[0130]452阻擋層
[0131]454接觸材料
[0132]460鈍化層
[0133]462接合焊盤的開口 /凹槽
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造磁傳感器模塊的方法，所述磁傳感器模塊具有在半導(dǎo)體芯片處單片集成的磁傳感器元件，所述半導(dǎo)體芯片包括集成電路，所述方法包括: 設(shè)置復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括(i)半導(dǎo)體芯片，(ii)針對(duì)集成電路的接觸元件，所述接觸元件形成于半導(dǎo)體芯片上，以及(iii)在半導(dǎo)體芯片上和接觸元件上形成的介電層， 形成磁傳感器層，所述磁傳感器層在介電層上單片地設(shè)置用于磁傳感器元件的材料，通過去除介電層的位于接觸元件上方的部分來暴露接觸元件，以及在所形成的磁傳感器層或者暴露出的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層，以防止在(i)形成由磁傳感器層產(chǎn)生的磁傳感器元件的步驟和(ii)暴露接觸元件的步驟之間的不利相互作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電層包括: 在半導(dǎo)體芯片上形成的第一介電子層；以及 在第一介電子層上形成的第二介電子層。
3.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，還包括: 在暴露出的接觸元件上方的區(qū)域中形成暴露出的接觸元件上的導(dǎo)電阻擋層；以及 在暴露出的接觸元件上方的區(qū)域中形成在導(dǎo)電阻擋層上的接觸材料。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法，還包括: 在磁傳感器元件和接觸材料上形成非金屬鈍化層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法，還包括: 通過在接合焊盤上方的區(qū)域中去除鈍化層和介電層，暴露在半導(dǎo)體芯片的表面處設(shè)置的接合焊盤。
6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中 所述導(dǎo)電保護(hù)層包括以下材料中的至少一個(gè):TiW、TiffN, Ta、TaN, T1、TiN, W、WN和NiFe。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法，其中 在暴露接觸元件的步驟之前完成形成磁傳感器層的步驟，并且 在形成的磁傳感器層上形成導(dǎo)電保護(hù)層。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 通過構(gòu)造磁傳感器層來形成磁傳感器元件， 其中，在形成的磁傳感器元件上和接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層，并且 其中暴露接觸元件的步驟包括:在接觸元件上方的區(qū)域中去除介電層和導(dǎo)電保護(hù)層兩者。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求7所述的方法，其中 在暴露接觸元件之前，通過在除已經(jīng)形成或?qū)⒁纬纱艂鞲衅髟膮^(qū)域上方的區(qū)域之外的所有區(qū)域中去除導(dǎo)電保護(hù)層來構(gòu)造導(dǎo)電保護(hù)層。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求9所述的方法，其中 在形成的磁傳感器層上形成導(dǎo)電保護(hù)層，其中還沒有對(duì)所述形成的磁傳感器層進(jìn)行構(gòu)造以形成磁傳感器元件；以及 將構(gòu)造的導(dǎo)電保護(hù)層用作硬掩模，用于去除磁傳感器元件的區(qū)域外部的磁傳感器層。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法，其中 在形成磁傳感器元件的步驟之前完成暴露接觸元件的步驟，并且 在暴露出的接觸元件上形成導(dǎo)電保護(hù)層。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求11所述的方法，其中 導(dǎo)電保護(hù)層的材料與磁傳感器元件的材料相同。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求11至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中 通過在接觸元件上方的區(qū)域中去除介電層來完成暴露接觸元件的步驟。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求11至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中 通過在接觸元件上方的區(qū)域中形成穿過介電層的通孔、并且用導(dǎo)電材料填充所述通孔來完成暴露接觸元件的步驟。
15.—種磁傳感器模塊,包括: 容納集成電路的半導(dǎo)體芯片， 集成電路的接觸元件，所述接觸元件在半導(dǎo)體芯片上形成， 半導(dǎo)體芯片上至少在位于接觸元件上方的區(qū)域外部的區(qū)域處形成的介電層，以及 在介電層上單片集成地形成的磁傳感器元件， 其中通過根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法制造所述磁傳感器模塊。
【文檔編號(hào)】G01R33/07GK104241520SQ201410257970
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月12日
【發(fā)明者】馬克·艾斯勒, 弗雷德里克·威廉·莫瑞蒂斯·萬赫爾蒙特 申請人:恩智浦有限公司