專利名稱：氧化物半導體層的非破壞性測試方法和制造方法
技術領域：
本發明涉及用于以非接觸、非破壞性方式調查可用作薄膜晶體管等的活性層 (active layer)的非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性的測試方法，以及利用該測試方法 來制造非晶或多晶氧化物半導體層的方法。
背景技術：
被設計為薄膜晶體管(TFT)的場效應晶體管(FET)廣泛用作電子電路中的像素晶 體管，特別是圖像顯示裝置的有源矩陣電路中的像素晶體管。當前可用的TFT —般使用非 晶硅或多晶硅作為構成活性層的半導體材料，并且使用玻璃基底作為基底。
然而，玻璃基底重、受到沖擊容易破裂并且不具有柔性。因此，現在開始研究和開 發重量輕、不易破裂并且可以取代玻璃基底的柔性塑料基底。由于制造硅薄膜需要高溫熱 處理工藝，因此難以在耐熱性低的塑料基底上形成硅薄膜。這樣就聚焦到非晶或多晶金屬 氧化物半導體材料，這類材料可以在低溫下形成膜，并且可以用作替代硅的半導體材料。
例如，日本未經實質審查專利申請公布No. 2006-165529(' 529文獻)(第6-9、 16、21和22頁以及圖3)推薦了基于包含銦、鎵和鋅作為主要組成元素的In-Ga-Zn-0等的 非晶氧化物。該非晶氧化物的特征在于，其包括微晶，具有沿著層厚度方向變化的組成或者 包含至少一種預定元素，并且特征在于，其電子載流子濃度小于1018/cm3或者表現出電子遷 移率隨著電子載流子濃度而增大的趨勢。該文獻提供了下面的描述。 當由組成分子式ZnxGayInz0x+3y/2+3z/2等表示的非晶氧化物通過常規的濺射技術形 成膜時，容易形成氧缺欠并且產生大量的載流子電子。由此電子載流子濃度為1018/(^3或 更大并且電導率為10S/cm或更大。該氧化物是有用的導體，但是極少用于制造正常截止的 TFT，這是因為當在TFT的活性層中使用該氧化物時，在沒有柵電壓的情況下，大電流在源 電極和漏電極之間流動。此外，還難以提高導通/截止(ON/OFF)比率。
然而，在通過諸如脈沖激光沉積或濺射的氣相沉積技術將In-Ga-Zn-0基非晶氧 化物形成膜的情況下，通過將沉積氣氛中的氧分壓保持在預定水平或更高水平，可以減少 氧缺欠量，結果，電子載流子濃度可以被限制為小于1018/(^3，其中，所述氣相沉積技術是利 用由組成分子式InGaO"ZnO)m表示的多晶燒結物構成的靶材進行的。觀察到的電子遷移率 超過lcm7(V. sec)，從而發現了電子遷移率隨著導電電子的數量而增大的獨特特性。如果 柔性TFT的活性層可以使用該非晶氧化物來形成，則制成的柔性TFT可以具有所需特性并 且在可見光下是透明的。 在沉積之后，通過在含氧氣氛中處理氧化物膜，還可以控制非晶氧化物中的氧
缺欠量。在這個過程中，為了有效控制氧缺欠量，將含氧氣氛的溫度控制成優選的ot:至
300。C，更優選的25。C至250。C，并且最優選的IO(TC至200°C。 圖6是'529文獻中公開的曲線圖，示出了在通過濺射形成In-Ga-Zn-0非晶氧化 物半導體層的情況下氣氛中的氧分壓與氧化物半導體層的電導率之間的關系。圖6示出 了 假設足夠的電導率是10—6至10S/cm，需要將氧分壓控制在3X 10—2至5X 10—2Pa的這一
4窄范圍內。 當氧化物半導體層被用作FET的活性層時，氧化物半導體層中的載流子濃度是用 于確定成分特性的關鍵參數。然而，如圖6所示，氧化物半導體層中的載流子濃度對沉積條 件非常敏感。此外，由于氧化物半導體層中的載流子濃度不穩定，因此根據各階段的氣氛和 溫度以及沉積工藝之后的化學處理，載流子濃度會發生幾個數量級的大小變化。因此，通過 在受控氣氛下執行退火工藝來調節載流子濃度。 如果在沉積期間、在退火期間或者在制造完成后的氧化物半導體層的載流子濃度 可以通過非破壞性測試來快速檢查，則可以高成品率地制造氧化物半導體層和最終的半導 體元件(例如FET)。 通常，半導體層的載流子濃度是通過利用霍爾(Hall)效應的測量來確定的。然 而，霍爾效應測量不適于非破壞性地快速確定載流子濃度，這是因為要準備用于霍爾效應 測量的霍爾元件。 另一方面，日本未經實質審查專利申請公布No. 2000-28518 (' 518文獻)(第2-4 頁和圖1)報道了通過光致發光技術測量載流子濃度的例子。圖7是'518文獻中公開的 InGaAs外延膜的光致發光光譜。圖7示出了從單晶體發射的光致發光光譜在對應于帶隙能 (bandg即energy)的波長上具有峰值。通過分析峰的形狀，可以推導出載流子濃度。然而，在 對應于帶隙能的波長處，很少觀察到非晶或多晶氧化物半導體層的光致發光。因此，'518 文獻中公開的技術并不適用。
發明內容
需要提供一種測試方法，該測試方法可以快速、非破化性地調查可用作TFT等的 活性層的非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，并且提供一種使用該測試方法來制造非晶 或多晶氧化物半導體層的方法。 本發明的一個實施例提供了一種對氧化物半導體層的非破壞性測試方法。該方 法包括如下步驟向待測試的非晶或多晶目標氧化物半導體層施加激發光，并且測量從目 標氧化物半導體層發射的光之中、比對應于帶隙能的波長長的波長范圍內的光致發光的強 度；以及基于測量結果，估計目標氧化物半導體層的膜特性 本發明的另一個實施例提供了一種制造氧化物半導體層的方法。該方法包括如下 步驟在基底上沉積非晶或多晶氧化物半導體層；以及通過上述非破壞性測試方法，測試 該非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性。 可以容易并快速地執行上述對氧化物半導體層的非破壞性測試方法，這是因為該 方法涉及向待測試的非晶或多晶目標氧化物半導體層施加激發光，以測量從目標氧化物 半導體層發射的光致發光的強度。此外，如以下第一實施例中所描述的，通過非破壞性測試 方法測得的強度(即，比對應于帶隙的波長長的波長范圍內的光致發光的強度)與目標氧 化物半導體層的膜特性的關系緊密。因此，可以非破壞性并且非接觸性地可靠估計目標氧 化物半導體層的膜特性。 根據上述用于制造氧化物半導體層的方法，可以以良好的控制精度、以高產率和 高成品率來制造非晶或多晶氧化物半導體層，這是由于該方法包括如下步驟通過使用上 述對氧化物半導體層的非破壞性測試方法，測試非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性。
上述非破壞性測試方法還可以包括如下步驟采用與目標氧化物半導體層相同的 方式，測量非晶或多晶基準氧化物半導體層的光致發光強度，并且測量該基準氧化物半導 體層的膜特性，以得到光致發光強度和膜特性之間的關系，所述基準氧化物半導體層具有 與目標氧化物半導體層相同的元素組成，并且通過與目標氧化物半導體層相同的工藝且在 相同的沉積溫度下來制備。然后，可以基于該關系來估計目標氧化物半導體層的膜特性。
在這種情況下，基準氧化物半導體層的膜特性優選地為載流子濃度，并且優選地 根據基準氧化物半導體層的載流子濃度和光致發光強度之間的關系來估計目標氧化物半 導體層的載流子濃度?？梢岳没魻栃獊頊y量基準氧化物半導體層的載流子濃度。
該非破壞性測試方法可以非接觸性地測試用作半導體元件中包含的活性層的氧 化物半導體層。 在上述制造氧化物半導體層的方法中，通過非破壞性測試方法，現場監測沉積期 間非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，并且基于監測結果，優選地控制沉積條件，以便得 到所需的膜特性。更優選地，控制從沉積氣氛中的氧分壓、基底溫度和沉積速率中選出的至 少一個沉積條件。 用于制造氧化物半導體層的方法優選地包括對非晶或多晶氧化物半導體層進行 退火的步驟。優選地，在沉積之后，通過非破壞性測試方法，測試非晶或多晶氧化物半導體 層的膜特性，并且在測試之后，執行退火的步驟，并且基于非破壞性測試結果來設置退火條 件，以便得到所需的膜特性。 可供選擇地，該方法優選地還包括在沉積之后對非晶或多晶氧化物半導體層進行 退火的步驟，其中，通過非破壞性測試方法，現場監測退火期間非晶或多晶氧化物半導體層 的膜特性，并且基于監測結果來控制退火條件，從而得到所需的膜特性。在這種情況下，優 選地控制從退火氣氛中的氧分壓、退火溫度和退火時間中選出的至少一個退火條件。
用于制造氧化物半導體層的方法優選地是制造半導體元件的工藝中的一部分，所 述半導體元件包括用作活性層的非晶或多晶氧化物半導體層，并且優選地還包括在制造了 所述非晶或多晶氧化物半導體層之后、通過所述非破壞性測試方法來測試所述非晶或多晶 氧化物半導體層的膜特性的步驟。優選地，基于所述非破壞性測試的結果來選擇接下來要 采取的步驟。
圖1A是顯示根據第一實施例的用于測試氧化物半導體層的膜特性的非破壞性測 試方法的示意圖，并且圖1B是通過非破壞性測試方法得到的光致發光光譜；
圖2是顯示基準氧化物半導體層的載流子濃度和光致發光強度之間的關系的曲 線圖； 圖3A至圖3D是顯示根據第二實施例的制造場效應晶體管的工藝流程的局部剖視 圖； 圖4是顯示在沉積氧化物半導體層的步驟中對氧化物半導體層執行非破壞性測 試方法的例子的示意圖； 圖5是顯示在對氧化物半導體層進行退火的步驟中對氧化物半導體層執行非破 壞性測試方法的例子的示意 圖6是在日本未經實質審查專利申請公布No. 2006-165529中公開的曲線圖，示出
了在沉積期間的氣氛中的氧分壓與氧化物半導體層的電導率之間的關系；以及 圖7是在日本未經實質審查專利申請公布No. 2000-28518中公開的InGaAs外延
膜的光致發光光譜。
具體實施例方式
現在將參照附圖具體描述本發明的優選實施例。
第一實施例 在第一實施例中，主要描述用于氧化物半導體層的非破壞性測試方法的例子。
圖1A是顯示根據第一實施例的對氧化物半導體層的非破壞性測試方法的示意 圖。根據圖1A中所示的系統，激發光源1發出的激發光2施加到基底10上的氧化物半導 體層，并且用光電探測器5來探測光致發光(photoluminescence)4。該激發光源1優選地 是激光光源。希望激發光2的波長比對應于氧化物半導體層的帶隙能的波長短。
圖IB是通過照射在77K的溫度下用325nm的He-Cd激光光束(輸出1W/cm2)進 行濺射形成的In-Ga-Zn-O基氧化物半導體層得到的光致發光光譜。對于單晶體，在接近對 應于帶隙能的410nm波長處，光致發光最強。然而，對于非晶或多晶氧化物半導體層，在對 應于帶隙能的波長處的光致發光弱。因此，難以如'518文獻中那樣，根據在對應于帶隙能 的波長處的光致發光光譜來估計載流子濃度。 本發明的發明者已經發現，對于非晶或多晶氧化物半導體層，在比對應于帶隙能 的波長長的波長區域檢測到強的光致發光，并且該波長區域內的光致發光強度與非晶或多 晶氧化物半導體層的膜特性之間存在緊密聯系。 圖2是顯示光致發光的峰強度與非晶或多晶氧化物半導體層中的載流子濃度之 間關系的曲線圖。這里注意的是，在下面的第二實施例中描述了用于制造氧化物半導體層 的方法。每次進行測試時，利用相同光學系統測量的氮化鎵基底的光致發光強度作為基準， 校正光致發光的強度。通過霍爾測量來確定氧化物半導體層的載流子濃度。
圖2顯示在載流子濃度的對數和光致發光的峰值強度之間建立了基本線性的關 系。從能量觀點來看，在比對應于帶隙能的波長長的波長區域內出現的光致發光被認為是 源自缺陷水平(例如氧缺欠)的發射。因此，在這樣的波長區域內的光致發光強度被認為 是反映了缺陷密度，因此與載流子濃度有緊密關系。 因此，通過測量被激發光照射的非晶或多晶目標氧化物半導體層所發射的光之中 比對應于帶隙能的波長長的波長區域內的光致發光的強度，可以非破壞性并且非接觸性地 估計目標氧化物半導體層的膜特性。 然而，發明者進行的全面研究發現光致發光光譜的分布根據氧化物半導體層的 元素組成、制造氧化物半導體層的方法和沉積溫度而變化。因此，為了精確地估計諸如載流 子濃度等膜特性，需要采用與目標氧化物半導體層相同的工藝并且在相同的膜形成溫度下 制備具有相同元素組成的非晶或多晶基準氧化物半導體層，并且需要采用與目標氧化物半 導體層相同的方式測量該基準氧化物半導體層的膜特性和光致發光強度。以此方式，可以 預先得到光致發光強度與膜特性之間的關系(例如，圖2所示的關系)，并且可以基于該關 系來估計目標氧化物半導體層的膜特性。這里要測量的光致發光強度可以是峰值強度或者具有足夠寬度的波長區域內的強度。 根據上述對氧化物半導體層的非破壞性測試方法，使用光作為探測物來非破壞性 并且非接觸性地測量載流子濃度。因此，可以通過該方法來測量用作半導體元件中包含的 活性層的氧化物半導體層的載流子濃度或者工作狀態下的半導體元件的載流子濃度。
第二實施例 在第二實施例中，主要描述了用于制造場效應晶體管(FET)的方法的例子，所述 場效應晶體管包括用作活性層的非晶或多晶氧化物半導體層。在該實施例中，In-Ga-Zn-0 氧化物層形成為氧化物半導體層。 圖3A至圖3D是示出了根據第二實施例用于制造構造為薄膜晶體管的FET 20的 工藝流程的局部剖視圖。現在將參照附圖描述用于制造FET 20的工藝。
如圖3A所示，在絕緣基底11上形成柵電極12。絕緣基底11不受具體限制。例 如，絕緣基底11可以是玻璃基底或塑料基底。用于制造柵電極12的材料和方法也不受具 體限制。例如，鉬(Mo)可以用作柵電極材料，并且通過濺射在絕緣基底11的整個表面上并 在之后通過光刻或干蝕刻進行圖案化而形成膜。然后，在絕緣基底11的整個表面上形成柵 絕緣膜13。用于柵絕緣膜13的材料不受具體限制。例如，可以形成氧化硅膜或者氮化硅 膜。 接著，如圖3B所示，在絕緣基底11上，在柵絕緣膜13的整個表面上形成氧化物半
導體層14a，該氧化物半導體層14a將形成FET20的活性層。通過使用InGaZn04多晶燒結
物作為靶材進行濺射，氧化物半導體層14a由In-Ga-Zn-0基氧化物形成。然后，如圖3C所
示，通過蝕刻將氧化物半導體層14a圖案化，以形成圖案化的氧化物半導體層14。 氧化物半導體層14a的沉積條件、組份和厚度如下 氧分壓1X10—2Pa DC功率400W 沉積溫度(基底溫度)室溫 組份InGaZn04 厚度50nm 注意，圖2所示的關系是從在與上述相同的條件下制造的基準氧化物半導體層得 到的。 接著，如圖3D所示，形成源電極15和漏電極16。用于形成源電極15和漏電極16 的材料和方法不受具體限制。例如，可以使用鉬作為材料，并且可以通過光刻或干蝕刻將鉬 圖案化來制造電極。接著，在整個表面上形成保護膜17。 在如此制造FET 20的操作過程中，通過施加于柵電極12的柵電壓，靠近柵絕緣膜 13且在源電極15和漏電極16之間，在氧化物半導體層14中形成溝道區。通過柵電壓控制 溝道區中流動的電流。 在如上制造FET 20的工藝的各個階段中，可以應用對氧化物半導體層的非破壞 性測試方法?，F在將描述這些步驟。 圖4是示出了在圖3B所示的沉積氧化物半導體層的步驟中對氧化物半導體層執 行非破壞性測試方法的例子的示意圖。在該例子中，通過在沉積的過程中仍然向氧化物半 導體層14a施加激發光2，檢測光致發光21。以此方式，通過非破壞性測試方法可以現場監測沉積過程中氧化物半導體層14a的特性，并且可以基于監測結果控制沉積條件，使得可 以得到所需的膜特性。結果，可以去掉確定條件的復雜工藝，并且通過省略檢查過程可以縮 短工藝。還可以提高成品率。 可以使用表現出良好直線傳播特性的激光光源，以便可以在沉積室外部布置激發 光源1。將檢測光致發光21的光探測器5布置在與沉積有氧化物半導體材料顆粒的基底表 面相對的一側。根據這樣的布置方式，可以對氧化物半導體層14a執行非破壞性測試方法， 而沒有對沉積氧化物半導體層14a的工藝造成阻礙。然而，在這種情況下，所需的絕緣基底 30是透射光致發光21的類型。 優選地，控制從沉積氣氛中的氧分壓、絕緣基底的溫度和沉積速率中選出的至少 一個沉積條件。尤其重要的是控制氧分壓。 現在，將描述執行第一實施例中描述的對氧化物半導體層的非破壞性測試方法的 另一個例子。該例子關注的情況是，在圖3B所示的沉積氧化物半導體層14a的步驟之后或 者在圖3C所示的將氧化物半導體層14圖案化的步驟之后，設置將氧化物半導體層14a或 14退火的步驟。根據該例子，在退火步驟之前，對沉積的氧化物半導體層14a或14執行非 破壞性測試方法。根據這種布置方式，可以基于非破壞性測試的結果設置退火條件，使得可 以得到所需的膜特性，例如所需的載流子濃度，并且可以提高成品率。 優選地，控制從退火氣氛中的氧分壓、退火溫度和退火時間中選出的至少一個退 火條件。尤其重要的是控制氧分壓。其它退火條件不受具體限制。例如，可以在30(TC下 退火1小時。可以在圖案化之前對氧化物半導體層14a執行氧化物半導體層的非破壞性測 試，或者在圖案化之后對氧化物半導體層14執行氧化物半導體層的非破壞性測試。然而， 對于圖案化之后的氧化物半導體層14，在測量期間，激發光2的光束照射范圍內的氧化物 半導體層的面積較小。因此，在圖案化之前對氧化物半導體層14a進行測試是比較容易的。
執行氧化物半導體層的非破壞性測試方法的又一個例子涉及如下情況如上設置 將氧化物半導體層14a或14退火的步驟，并且在退火步驟中執行非破壞性測試。圖5是顯 示在退火步驟中執行氧化物半導體層的非破壞性測試方法的例子的示意圖。在該例子中， 通過在退火期間將激發光2施加到氧化物半導體層14a或14，檢測光致發光4。以此方式， 可以通過非破壞性測試方法現場監測退火過程中氧化物半導體層的特性，并且可以基于監 測結果控制退火條件，使得可以得到所需的膜特性，例如載流子濃度。因此，可以消除確定 條件的復雜工藝，并且通過省略檢查步驟可以縮短工藝。還可以提高成品率。
如在上述例子中一樣，優選地控制從退火氣氛中的氧分壓、退火溫度和退火時間 中選出的至少一個退火條件。尤其重要的是控制氧分壓。其它退火條件不受具體限制。例 如，可以在30(TC下退火1小時。在圖5中，加熱器50是用于將退火溫度設置成所需溫度的 裝置。如之前所提及的，在圖案化之前對氧化物半導體層14a進行氧化物半導體層的非破 壞性測試是更容易的。因此，如果在圖案化之前對氧化物半導體層14a進行現場觀測下的 退火工藝，則現場觀測下的退火工藝也更容易。 可以在完成了制造氧化物半導體層14的所有步驟之后，例如在完成了沉積步驟、 圖案化步驟和退火步驟之后，執行對氧化物半導體層的非破化性測試方法。通常，氧化物半 導體層14用作半導體元件中包含的活性層，因此，在完成了制造氧化物半導體層14的工藝 之后，執行用于形成源電極15和漏電極16、保護膜17的步驟，從而制造出半導體元件。因此，優選地，在完成了制造氧化物半導體層14的工藝之后，對氧化物半導體層14進行非破 壞性測試，以檢查最終產品是合格還是不合格的。以此方式，在測試中不合格的氧化物半導 體層14不會被進一步處理，這樣可以提高效率。 本專利申請包含與2008年11月21日在日本專利局提交的日本優先權專利申請 JP 2008-298292所公開的主題相關的主題，該優選權專利申請的全部內容以引用的方式并 入本文。 之前所描述的實施例和例子不限制本發明的范圍。在所附權利要求的范圍或其等 同物的范圍內，根據設計需要和其它因素，可以出現各種更改形式、組合形式、子組合形式 和變化形式。
權利要求
一種對氧化物半導體層的非破壞性測試方法，包括如下步驟向待測試的非晶或多晶目標氧化物半導體層施加激發光，并且測量從所述目標氧化物半導體層發射的光之中、比對應于帶隙能的波長長的波長范圍內的光致發光的強度；以及基于測量結果，估計所述目標氧化物半導體層的膜特性。
2. 根據權利要求1所述的非破壞性測試方法，還包括如下步驟采用與所述目標氧化物半導體層相同的方式，測量非晶或多晶基準氧化物半導體層的光致發光強度，并且測量所述基準氧化物半導體層的膜特性，以得到光致發光強度和膜特性之間的關系，所述基準氧化物半導體層具有與所述目標氧化物半導體層相同的元素組成，并且通過與所述目標氧化物半導體層相同的工藝且在相同的沉積溫度下來制備，其中，基于該關系來估計所述目標氧化物半導體層的膜特性。
3. 根據權利要求2所述的非破壞性測試方法，其中，被測量的所述基準氧化物半導體層的膜特性是載流子濃度，并且基于所述基準氧化物半導體層的載流子濃度和光致發光強度之間的關系，估計所述目標氧化物半導體層的載流子濃度。
4. 根據權利要求3所述的非破壞性測試方法，其中，利用霍爾效應來測量所述基準氧化物半導體層的載流子濃度。
5. 根據權利要求1所述的非破壞性測試方法，其中，用作半導體元件中包含的活性層的氧化物半導體層能夠被用作所述目標氧化物半導體層，并且被非接觸地測試。
6. —種制造氧化物半導體層的方法，包括如下步驟在基底上沉積非晶或多晶氧化物半導體層；以及通過權利要求1所述的非破壞性測試方法，測試所述非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性。
7. 根據權利要求6所述的方法，其中，通過所述非破壞性測試方法，現場監測沉積期間所述非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，并且基于監測得到的結果來控制沉積條件，以便得到所需的膜特性。
8. 根據權利要求7所述的方法，其中，控制從沉積氣氛中的氧分壓、基底溫度和沉積速率中選出的至少一個沉積條件。
9. 根據權利要求6所述的方法，還包括如下步驟對所述非晶或多晶氧化物半導體層進行退火，其中，在沉積之后，通過所述非破壞性測試方法，測試所述非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，在所述測試的步驟之后，執行所述退火的步驟，并且基于所述非破壞性測試的結果來設置退火條件，以便得到所需的膜特性。
10. 根據權利要求6所述的方法，還包括如下步驟在沉積之后，對所述非晶或多晶氧化物半導體層進行退火，其中，通過所述非破壞性測試方法，現場監測退火期間所述非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，并且基于監測得到的結果來控制退火條件，以便得到所需的膜特性。
11. 根據權利要求9所述的方法，其中，控制從退火氣氛中的氧分壓、退火溫度和退火時間中選出的至少一個退火條件。
12. 根據權利要求6所述的方法，其中，所述方法是制造半導體元件的工藝中的一部分，所述半導體元件包括用作活性層的所述非晶或多晶氧化物半導體層，所述方法還包括以下步驟在制造了所述非晶或多晶氧化物半導體層之后，通過所述非破壞性測試方法來測試所述非晶或多晶氧化物半導體層的膜特性，以及基于所述非破壞性測試的結果來選擇接下來要采取的步驟。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述半導體元件是場效應晶體管。
全文摘要
本發明涉及氧化物半導體層的非破壞性測試方法和制造方法。對氧化物半導體層的非破壞性測試方法包括如下步驟向要測試的非晶或多晶目標氧化物半導體層施加激發光，并且測量從目標氧化物半導體層發射的光之中、比對應于帶隙能的波長長的波長范圍內的光致發光的強度；以及基于測量結果，估計目標氧化物半導體層的膜特性。
文檔編號G01N21/63GK101740434SQ20091022648
公開日2010年6月16日 申請日期2009年11月20日 優先權日2008年11月21日
發明者山口典彥, 池田昌夫, 谷口理 申請人:索尼株式會社
專業數控銑床產品供應商
20年生產經驗，實力工廠，精工品質，質量有保障
