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專(zhuān)利名稱(chēng)：溫度探測(cè)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文公開(kāi)的實(shí)施方案總地涉及溫度探測(cè)(sensing)電路。
背景技術(shù)：
溫度探測(cè)器(sensor)電路被普遍用在多種在芯片內(nèi)包括溫度監(jiān)控(monitoring)的應(yīng)用中。(這里使用術(shù)語(yǔ)“芯片(chip)”(或管芯(die))是指一片包括電路的材料，所述材料例如半導(dǎo)體材料，所述電路例如集成電路或集成電路的一部分。)溫度探測(cè)電路通常產(chǎn)生指示電路溫度以及從而電路周?chē)鷾囟?例如，在電路周?chē)男酒囊粋€(gè)區(qū)域)的信號(hào)。例如，這樣一個(gè)電路可以在器件內(nèi)溫度過(guò)高時(shí)用來(lái)防止由于過(guò)熱導(dǎo)致的器件毀壞。另一方面，它可以用來(lái)了解何時(shí)完全地驅(qū)動(dòng)器件是合適的(例如，使微處理器在最大功率和/或最高頻率下工作)。
不幸的是，由于常規(guī)溫度探測(cè)電路一般不能在適當(dāng)溫度范圍內(nèi)提供線性溫度響應(yīng)信號(hào)，所以它們可能是不精確或是不實(shí)用的。例如，所謂的帶隙(bandgap)溫度探測(cè)器電路普遍地被用來(lái)監(jiān)控芯片內(nèi)部溫度，但是，它們產(chǎn)生非線性溫度響應(yīng)信號(hào)。這樣，它們的用途通常就被限制在響應(yīng)足夠近似于線性響應(yīng)的狹窄的溫度范圍內(nèi)。其他類(lèi)型的探測(cè)器電路則是雖然更為線性但是可能不實(shí)用。例如，使用具有不同的阻值的不同金屬制造的電阻的探測(cè)器能夠產(chǎn)生相當(dāng)線性的溫度響應(yīng)信號(hào)，但是可能在某些應(yīng)用中不可行。

發(fā)明內(nèi)容
本文公開(kāi)的實(shí)施方案總地來(lái)講涉及溫度探測(cè)電路。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種具有至少一個(gè)溫度探測(cè)電路的芯片，所述芯片包括(i)具有第一和第二電流鏡路徑的電流鏡電路；(ii)與所述第一電流鏡路徑串聯(lián)的第一半導(dǎo)體器件；以及，(iii)與所述第二電流鏡路徑串聯(lián)的第二半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一和第二半導(dǎo)體器件之間的信號(hào)與所述電路的所述溫度基本成線性比例關(guān)系。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種溫度探測(cè)電路，包括(a)以電流鏡配置的形式耦合在一起的第一和第二晶體管；(b)耦合到所述第一晶體管的第一二極管；以及，(c)耦合到所述第二晶體管的第二二極管，其中，當(dāng)所述電路工作時(shí)，在所述第一和第二二極管之間產(chǎn)生溫度探測(cè)信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括(a)微處理器，包括(i)以電流鏡配置的的形式耦合在一起的第一和第二晶體管；(ii)耦合到所述第一晶體管的第一二極管；以及，(iii)耦合到所述第二晶體管的第二二極管，其中，當(dāng)所述電路工作時(shí)，在所述第一和第二二極管之間產(chǎn)生溫度探測(cè)信號(hào)；以及，(b)可通信地鏈接到所述微處理器的組件。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供了一種用來(lái)在集成電路芯片中指示溫度的電路，所述電路包括產(chǎn)生一個(gè)與溫度成比例的模擬信號(hào)的裝置；以及，將所述信號(hào)轉(zhuǎn)換為指示所述溫度的離散信號(hào)的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再又一個(gè)方面，提供了一種微處理器芯片，所述微處理器芯片包括這樣的電路，即所述電路包括產(chǎn)生一個(gè)與溫度成比例的模擬信號(hào)的裝置；以及，將所述信號(hào)轉(zhuǎn)換為指示所述溫度的離散信號(hào)的裝置。


本發(fā)明的實(shí)施方案是以實(shí)施例的方式來(lái)說(shuō)明的，而不是以限制的方式來(lái)進(jìn)行的，在附圖中，同樣的標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
圖1是溫度探測(cè)電路的一個(gè)實(shí)施方案的原理圖。
圖2是具有差分放大器電路的溫度探測(cè)電路的另一個(gè)實(shí)施方案的原理圖。
圖3是具有差分放大器電路的實(shí)施方案的圖1的溫度探測(cè)電路的原理圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的具有處理器芯片的系統(tǒng)的框圖，所述處理芯片具有溫度探測(cè)電路。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了電流鏡線性(current mirrored linear，“CML”)溫度探測(cè)電路的一個(gè)實(shí)施方案。在描述的實(shí)施方案中，電路包括第一和第二PMOS晶體管Mp1和Mp2，以及第一和第二二極管D1和D2。(術(shù)語(yǔ)“PMOS晶體管”是指P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。類(lèi)似地，“NMOS晶體管”是指N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。應(yīng)該理解，無(wú)論何時(shí)使用術(shù)語(yǔ)“晶體管”、“MOS晶體管”、“NMOS晶體管”、或“PMOS晶體管”，它們都是以示例性的方式使用，除非根據(jù)其用途的本質(zhì)另外具體指出或規(guī)定。其他如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極型結(jié)型晶體管等今天已知或還未開(kāi)發(fā)的合適的晶體管類(lèi)型，都可以用來(lái)替代它們。)如示出的，D1和Mp1在VDD和VSS之間串聯(lián)，并且具有相關(guān)聯(lián)的電流I1。類(lèi)似地，D2和Mp2在VDD和VSS之間串聯(lián)，并具有相關(guān)聯(lián)的電流I2。晶體管Mp1和Mp2連接在一起，形成I1緊跟I2的電流鏡配置。晶體管Mp1具有跨導(dǎo)(transconductance)系數(shù)β，且Mp1的該系數(shù)是Mp2的該系數(shù)的s倍(s是比例因子)。例如，Mp1的溝道寬度是Mp2的溝道寬度的s倍。相應(yīng)地，I1＝sI2。另一方面，二極管D2具有飽和電流系數(shù)Is，且D2的Is是D1的Is的σ倍，例如D2具有的PN結(jié)截面積是D1的PN結(jié)截面積的σ倍。
這個(gè)電路產(chǎn)生差分電壓VTD(Vd+-Vd-)，該差分電壓具有關(guān)于二極管的溫度(假設(shè)二極管基本處于相同溫度)的線性響應(yīng)。該溫度信號(hào)的等式為I=IS(eVnVT)]]>其中Is是二極管的飽和電流系數(shù)，VT是它的熱電壓(thermal voltage)系數(shù)，而n是物理的半導(dǎo)體材料系數(shù)(一般在1和2之間)。當(dāng)工作在飽和區(qū)時(shí)(在電流鏡中通常如此)，PMOS晶體管中的電流如下I=β2(VSG-VTh)2]]>其中β是晶體管的跨導(dǎo)系數(shù)，VSG是其源極與柵極之間的電壓降，而VTh是它的閾值電壓系數(shù)。對(duì)于示出的電路，I1等于D1的電流，D1的電流等于MP1中源極到漏極的電流。因此，I1=σIS(eVd-nVT)=β2(VDD-Vd+-VTh)2]]>類(lèi)似地，I2等于D2的電流，D2的電流等于MP2中源極到漏極的電流。因此，I2=IS(eVd+nVT)=sβ2(VDD-Vd+-VhT)2]]>(注意，假設(shè)兩個(gè)晶體管的VTh基本相同，兩個(gè)二極管的VT基本相同。在不同應(yīng)用中，根據(jù)所需的精度，這些假設(shè)條件可以不同程度地實(shí)現(xiàn)。)以上等式可以在代數(shù)上組合為下式
σIS(eVd-nVT)IS(eVd+nVT)=β2(VDD-Vd+-VTh)2sβ2(VDD-Vd+-VTh)2]]>該式可簡(jiǎn)化為σ(e-Vd-+Vd+nVT)=1s]]>或eVTDnVT=σs]]>或VTDnVT=ln(σs)]]>因此VTD＝nVTln(σs)因?yàn)閂T(二極管的熱電壓系數(shù))等于KT/q，其中K是玻耳茲曼(Boltzmann)常數(shù)，q是電子電荷，T是溫度(開(kāi)氏(Kelvin)溫度)，該式可表示為VTD=nkln(σs)qTK]]>或VTD=(nln(σs)kq)(Tc+273.15)]]>
其中Tc為攝氏溫度。
如關(guān)于VTD的等式所示，輸出電壓與溫度具有非常線性的關(guān)系。半導(dǎo)體器件的非線性特性在差分電壓(VTD)的函數(shù)中被抵償了。當(dāng)比例因子s和σ被保持在相對(duì)大時(shí)，可以在相對(duì)寬的溫度范圍內(nèi)獲得魯棒的(robust)、基本線性的電壓對(duì)溫度信號(hào)。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，使用比例因子s＝20和σ＝35來(lái)產(chǎn)生-5℃到130℃的溫度探測(cè)范圍，測(cè)得的溫度的精度達(dá)到1°以?xún)?nèi)。(在這個(gè)實(shí)施方案中，采用一種.16μm的工藝(process)；使用的PMOS晶體管具有的溝道長(zhǎng)度為.64μm，溝道寬度為800[Mp1]和40μm[Mp2]；并且二極管由截面積約為267μm2[D1]和9356μm2[D2]的PN結(jié)來(lái)構(gòu)成。)具有相對(duì)大的sσ比例乘積的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，在溫度探測(cè)電路本身能夠產(chǎn)生大量的放大效果，由此降低了對(duì)于溫度敏感的下游放大的需求量。
圖2示出了具有差分放大器的溫度探測(cè)電路的一個(gè)實(shí)施方案，所述溫度探測(cè)電路用于集成電路芯片，如微處理器。所述電路包括溫度探測(cè)電路(由二極管D1和D2、NMOS晶體管Mn1和Mn2構(gòu)成)和用于放大溫度探測(cè)電壓信號(hào)VTD的差分放大器202。電路還包括用于使能(enabling)和禁用(disabling)該電路的反相器U1和U2以及NMOS晶體管Mn3到Mn5。除了使用NMOS晶體管(Mn1和Mn2)代替PMOS晶體管之外，該溫度探測(cè)電路與上面討論的溫度探測(cè)電路的配置和工作都類(lèi)似。Mn1和Mn2耦合在一起形成電流鏡，其中Mn1被設(shè)置為Mn2的s倍。相應(yīng)地，I1等于sI2。如上面所描述的溫度探測(cè)電路，在較小電路路徑(I2)中的二極管(D2)被設(shè)置為另一個(gè)二極管(D1)的σ倍。下式示出了表示出來(lái)的溫度探測(cè)電壓信號(hào)(VTD)VTD=(nln(σs)kq)(Tc+273.15)]]>晶體管Mn3、Mn4和Mn5與反相器U1和U2組合在一起，以通過(guò)“使能”信號(hào)使能和禁用溫度探測(cè)電路，所述“使能”信號(hào)是U1的輸入。當(dāng)使能信號(hào)被斷言(asserted)(高)，Mn5截止(這使得Mn1和Mn2自由工作)而Mn3和Mn4導(dǎo)通。這樣Mn1和Mn2之間的電流鏡工作，由此使能溫度探測(cè)電路。相反地，當(dāng)使能信號(hào)被解斷言(低)，Mn3和Mn4截止而Mn5導(dǎo)通，由此禁用溫度探測(cè)電路。
差分放大器電路202包括運(yùn)算放大器(“op amp”)U3，以及電阻RI、RL、RH和RF，它們按照包括電平偏移(level shifting)功能的常規(guī)差分放大器的配置來(lái)連接。當(dāng)RF/RI等于RHRL/RI(RH+RL)時(shí)，放大器具有增益因子RF/RL，以及以下電平偏移分量RL-RHRL+RH(VDD2)]]>
因此，放大的溫度探測(cè)電壓VTAmp等于VTAmp=RFR1(nln(σs)kq)(Tc+273.15)+RL-RHRL+RH(VDD2)]]>在一些實(shí)施方案中，運(yùn)算放大器U3具有相對(duì)大的共模抑制比(common mode rejectionratio)，以減少放大的溫度信號(hào)的誤差。類(lèi)似地，在一些實(shí)施方案中，可以采用一個(gè)或更多個(gè)跨接于運(yùn)算放大器電源軌(power supply rail)上的噪聲去耦電容(decoupling capacitor)來(lái)過(guò)濾例如來(lái)自下游A到D反相器的噪聲。(應(yīng)該理解，雖然示出為用差分放大器電路來(lái)放大溫度探測(cè)電壓(VTD)，但是也可以使用其他合適的放大器，例如斬波器穩(wěn)定器電路(chopper stabilizer circuit)。)圖3示出了具有減誤(error-reducing)放大器配置的溫度探測(cè)電路的實(shí)施方案。它一般包括溫度探測(cè)和使能/禁用部分(由Mp1到Mp5、D1、D2、U1和U2構(gòu)成)、互補(bǔ)差分放大器電路302，以及A/D轉(zhuǎn)換器304。溫度探測(cè)和使能/禁用電路如上面討論的那樣工作。溫度探測(cè)電路產(chǎn)生差分溫度電壓VTD，VTD與二極管的溫度成線性比例關(guān)系。此電壓被互補(bǔ)差分輸出放大器302放大，由此產(chǎn)生放大的溫度信號(hào)VTAmp，該信號(hào)在模數(shù)轉(zhuǎn)換器304處轉(zhuǎn)換為數(shù)字溫度信號(hào)。
互補(bǔ)差分放大器電路302包括復(fù)用器Mux 1到Mux 3、運(yùn)算放大器U3，以及電阻RI，RS和RF。基于這種配置，放大的VTD的互補(bǔ)輸出在運(yùn)算放大器U3的輸出處提供。(由于“+”輸出被反饋到“-”輸入，“-”輸入被反饋到“+”輸入，所以對(duì)每個(gè)輸出都提供了負(fù)反饋。)對(duì)于每一個(gè)輸出，增益是RF/RS，并且偏移-(RF/RS)VDD。因此，每個(gè)輸出的輸出電壓(VTamp)由下式給出VTAmp=+/-RFR(nln(σs)kq)(T+273.15)-RFRS(VDD)]]>在工作中，復(fù)用器可以周期性地切換，使得輸入VTD信號(hào)的極性和被選擇的輸出的極性一起被切換(這使得輸出信號(hào)的極性歸一化(normalize)，而與復(fù)用器的狀態(tài)無(wú)關(guān))。兩種輸出(在一段合理的時(shí)間內(nèi))可以被平均，從而導(dǎo)致輸出信號(hào)的噪聲(例如共模噪聲)被抵償。(這種平均可以在任何合適的地方執(zhí)行，例如數(shù)字化溫度信號(hào)的下游。)參照?qǐng)D4，示出了可以用一個(gè)或更多個(gè)IC芯片或模塊(包括微處理器芯片402A)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)(用于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)400)。系統(tǒng)400一般包括一個(gè)或更多個(gè)處理器/存儲(chǔ)器組件(component)402、接口系統(tǒng)410，以及一個(gè)或更多個(gè)其他組件412。所述一個(gè)或更多個(gè)處理器/存儲(chǔ)器組件402中的至少一個(gè)通過(guò)接口系統(tǒng)410可通信地鏈接到所述一個(gè)或更多個(gè)其他組件412中的至少一個(gè)，所述接口系統(tǒng)410包括一個(gè)或更多個(gè)互連和/或包括點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接、共享總線連接和/或它們的組合的互連器件。
處理器/存儲(chǔ)器組件是被包含在一片或幾片安裝到接口系統(tǒng)上的芯片中或包含在耦合到接口系統(tǒng)的模塊或電路板中的組件(例如處理器、控制器、存儲(chǔ)器陣列或它們的組合)。微處理器芯片402A被包括在描述的處理器/存儲(chǔ)器組件中，它具有核403，所述核403具有此處公開(kāi)的電流鏡溫度探測(cè)電路405。所描述的一個(gè)或更多個(gè)其他組件412可以包括任何使用在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的組件，例如聲卡、網(wǎng)卡、超級(jí)(Super)I/O芯片等等。在描述的實(shí)施方案中，其他組件412包括無(wú)線接口組件412A，412A用于在微處理器402A和另一個(gè)設(shè)備之間建立無(wú)線鏈路，所述另一個(gè)設(shè)備如無(wú)線網(wǎng)絡(luò)接口設(shè)備或計(jì)算機(jī)。應(yīng)該注意，系統(tǒng)400可以以不同形式實(shí)現(xiàn)。也即，它可以在單芯片模塊、電路板或具有多個(gè)電路板的機(jī)箱(chassis)中實(shí)現(xiàn)。類(lèi)似地，它可以組成一個(gè)或更多個(gè)完整的計(jì)算機(jī)，或者可替換地，它可以組成在計(jì)算系統(tǒng)內(nèi)有用的組件。
本發(fā)明并不限制于所描述的實(shí)施方案，而是可以在所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍內(nèi)以修改或變化來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用于所有類(lèi)型的半導(dǎo)體集成電路(“IC”)芯片。這些IC芯片的實(shí)施例包括但不限于處理器、控制器、芯片組組件、可編程邏輯陣列(PLA)、存儲(chǔ)芯片、網(wǎng)絡(luò)芯片等等。此外，在描述的實(shí)施方案中，二極管D1和D2由基本的PN結(jié)形成，應(yīng)該理解，可以使用任何合適的半導(dǎo)體器件，例如晶體管或二極管連接的晶體管。
此外，應(yīng)該理解，雖然給出了示例性的尺寸/模型/值/范圍，但是本發(fā)明并未限制于它們。當(dāng)制造技術(shù)(例如光刻)隨著時(shí)間更為成熟，希望能制造出尺寸更小的器件。關(guān)于對(duì)任何時(shí)序或編程信號(hào)的描述，術(shù)語(yǔ)“斷言”(assertion)和“反”(negation)是以一般性的意圖使用的。更具體地，當(dāng)和“低電平有效”信號(hào)以及“高電平有效”信號(hào)混合工作時(shí)，使用這些術(shù)語(yǔ)來(lái)避免混亂，并表明本發(fā)明并不限于示出/描述的信號(hào)，而是可以通過(guò)在邏輯上進(jìn)行簡(jiǎn)單的改動(dòng)，從而用任何“低電平有效”信號(hào)以及“高電平有效”信號(hào)的完全/部分相反的信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)。更明確地，術(shù)語(yǔ)“進(jìn)行斷言”(assert)或“斷言”(assertion)表示信號(hào)有效，與電平是否表現(xiàn)為高或低電壓無(wú)關(guān)，而術(shù)語(yǔ)“取反”(negate)或“反”(negation)表示信號(hào)無(wú)效。此外，眾所周知，為了圖示和描述的簡(jiǎn)化，到IC芯片和其他組件的電源/地連接在圖中可以示出也可以不示出，以免模糊本發(fā)明。此外，方案可以以框圖的形式示出，以避免模糊本發(fā)明，同時(shí)也考慮到這些框圖方案的具體實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的平臺(tái)是高度相關(guān)的，例如這些具體實(shí)現(xiàn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的視野而言應(yīng)該是明確的。其中，為了描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，描述了很多具體細(xì)節(jié)(例如電路)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明確無(wú)需這些細(xì)節(jié)，或改變這些細(xì)節(jié)，本發(fā)明也能夠?qū)崿F(xiàn)。因此，這些描述是為了舉例而不是為了限制。
權(quán)利要求
1.一種具有至少一個(gè)溫度探測(cè)電路的芯片，所述芯片包括(i)具有第一和第二電流鏡路徑的電流鏡電路；(ii)與所述第一電流鏡路徑串聯(lián)的第一半導(dǎo)體器件；以及(iii)與所述第二電流鏡路徑串聯(lián)的第二半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一和第二半導(dǎo)體器件之間的信號(hào)與所述電路的所述溫度基本成線性比例關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中所述電流鏡電路包括在所述第一電流鏡路徑中的第一MOS晶體管，以及在所述第二電流鏡路徑中的第二MOS晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片，其中所述第一半導(dǎo)體器件是一個(gè)二極管。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片，其中所述第二半導(dǎo)體器件是一個(gè)二極管。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片，其中所述第一MOS晶體管比所述第二MOS晶體管大，比例因子為s，并且所述第二二極管比所述第一二極管大，比例因子為σ。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片，其中所述比例因子s和σ的乘積大于500。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片，還包括耦合到所述溫度探測(cè)電路的放大器電路，以放大所述信號(hào)，從而提供一個(gè)放大的溫度信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片，還包括耦合到所述放大器的模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路，以將所述放大的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字溫度信號(hào)。
9.如權(quán)利要求7所述的芯片，其中所述放大器是一個(gè)利用運(yùn)算放大器電路的差分放大器。
10.一種溫度探測(cè)電路，包括(a)以電流鏡配置的形式耦合在一起的第一和第二晶體管；(b)耦合到所述第一晶體管的第一二極管；以及(c)耦合到所述第二晶體管的第二二極管，其中，當(dāng)所述電路工作時(shí)，在所述第一和第二二極管之間產(chǎn)生溫度探測(cè)信號(hào)。
11.如權(quán)利要求10所述的電路，其中所述溫度探測(cè)信號(hào)是與所述二極管的溫度基本成線性比例關(guān)系的電壓信號(hào)。
12.如權(quán)利要求10所述的電路，其中所述第一和第二晶體管是MOS晶體管。
13.如權(quán)利要求12所述的電路，其中所述第一MOS晶體管比所述第二MOS晶體管大，比例因子為s，并且所述第二二極管比所述第一二極管大，比例因子為σ。
14.如權(quán)利要求13所述的電路，其中所述比例因子s和σ的乘積大于1。
15.如權(quán)利要求14所述的電路，還包括耦合到所述溫度探測(cè)電路的放大器電路，以放大所述信號(hào)，從而提供一個(gè)放大的溫度信號(hào)。
16.如權(quán)利要求15所述的電路，還包括耦合到所述放大器的模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路，以將所述放大的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字溫度信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16所述的電路，其中所述放大器是雙互補(bǔ)輸出差分放大器電路。
18.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括(a)微處理器，包括(i)以電流鏡配置的形式耦合在一起的第一和第二晶體管；(ii)耦合到所述第一晶體管的第一二極管；以及(iii)耦合到所述第二晶體管的第二二極管，其中，當(dāng)所述電路工作時(shí)，在所述第一和第二二極管之間產(chǎn)生溫度探測(cè)信號(hào)；以及(b)可通信地鏈接到所述微處理器的組件。
19.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述晶體管和二極管在所述微處理器的核內(nèi)。
20.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述微處理器包括用來(lái)放大并數(shù)字化所述溫度信號(hào)以監(jiān)控所述微處理器內(nèi)的溫度的電路。
21.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述組件是無(wú)線接口組件。
22.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述組件是硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器組件。
23.一種用來(lái)在集成電路芯片中指示溫度的電路，所述電路包括產(chǎn)生一個(gè)與溫度成比例的模擬信號(hào)的裝置；以及將所述信號(hào)轉(zhuǎn)換為指示所述溫度的離散信號(hào)的裝置。
24.如權(quán)利要求23所述的電路，其中所述模擬信號(hào)與所述溫度基本成線性比例關(guān)系。
25.如權(quán)利要求23所述的電路，其中所述用來(lái)產(chǎn)生所述模擬信號(hào)的裝置包括MOS電流鏡、第一和第二MOS二極管。
26.如權(quán)利要求23所述的電路，其中所述用來(lái)轉(zhuǎn)換的裝置包括差分放大器。
27.一種包括如權(quán)利要求23所述電路的微處理器芯片。
全文摘要
本文提供了溫度探測(cè)電路。在一些實(shí)施方案中，它們包括以電流鏡配置的形式耦合在一起的第一和第二晶體管，以及第一和第二二極管。所述第一二極管耦合到所述第一晶體管，所述第二二極管耦合到所述第二晶體管。當(dāng)所述電路工作時(shí)，在第一和第二二極管之間產(chǎn)生溫度探測(cè)信號(hào)。本文還公開(kāi)和/或要求保護(hù)其他實(shí)施方案。
文檔編號(hào)G01K1/00GK1831500SQ20061005695
公開(kāi)日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月8日
發(fā)明者杰德·格里芬 申請(qǐng)人:英特爾公司