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高靈敏度離子晶格電位分析儀的制作方法
【專利摘要】高靈敏度離子晶格電位分析儀，主要包括：樣品離子化裝置，離子電位轉化裝置，電勢傳導裝置，正離子電位分析裝置，負離子電位分析裝置，電位校正裝置，電位轉化裝置，信號放大裝置，信號穩定傳導裝置，信號顯示記錄裝置；其中離子電位轉化裝置含有電位轉化膜，該電位轉化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復合薄膜材料，正離子電位分析裝置含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌啶五氯鋦的納米復合電極材料，負離子電位分析裝置含有負離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復合電位電極材料。
【專利說明】高靈敏度離子晶格電位分析儀
【技術領域】
[0001]本發明涉及電位分析領域，尤其涉及高靈敏度離子晶格電位分析儀。
【背景技術】
[0002]離子電位分析技術，主要是通過實際離子晶體中形成原子的熱運動形成，原子的排列不可能那樣完整和規則，存在偏離了理想晶體結構的區域，與完整周期性點陣結構的偏離，破壞了晶體的對稱性，缺陷對晶體的物理性質具有極其重要的影響，為面缺陷、線缺陷和點缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯和孿晶間界屬面缺陷，晶粒間界多晶體中晶粒之間的交界面。堆垛層錯晶體中原子面的堆垛順序出現反造成的缺陷，影響層錯面附近晶體結構，不影響其他區域的原子層堆垛順序，孿晶晶體中相毗鄰兩部分互為鏡像，線缺陷主位錯的存在對晶體的力學性質機翼各種物理性質有影響。
[0003]但是由于離子晶格中的某些原子由于某種原因(如熱振動的偶然偏差)脫離其晶格結點而轉移到晶格間隙時會造成點缺陷，使得離子電位分析技術的精確程度受到影響，因此，有必要改進現有的離子電位分析技術，提高其分析精確度。

【發明內容】

[0004]為了克服現有裝置的不足之處，本發明采用的技術方案如下:
[0005]高靈敏度離子晶格電位分析儀，其特征在于，主要包括:
[0006]I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉化裝置，3—電勢傳導裝置，4—正離子電位分析裝置，5—負離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，7—電位轉化裝置，8—信號放大裝置，9一信號穩定傳導裝置，10-信號顯示記錄裝置；
[0007]其中，
[0008]離子電位轉化裝置(2)含有電位轉化膜，該電位轉化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復合薄膜材料，
[0009]正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌唳五氯鋦的納米復合電極材料，
[0010]負離子電位分析裝置(5)含有負離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復合電位電極材料。
[0011]樣品離子化裝置(I)主要用于樣品的晶格破碎以及溶液離子轉化，實現樣品離子的溶液傳導與正負離子形成，離子電位轉化裝置(2)主要用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉化，電勢傳導裝置(3)主要用于提供電位傳導溶液介質以及離子電勢的穩定形成，正離子電位分析裝置(4)主要用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導致的空穴電位干擾，負離子電位分析裝置
(5)主要用于負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，電位校正裝置(6)主要用于離子電位形成體系的穩定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規模，防止離子電勢不穩定波動；電位轉化裝置(7)主要用于離子電位的轉化，有利于提高離子電層結構的穩定建立；信號放大裝置
(8)主要用于離子電位信號傳導放大以及高質量輸送，信號穩定傳導裝置(9)主要用于離子信號的電位穩定變換以及離子膜電位穩定，信號顯示記錄裝置(10)主要用于離子電位信號顯示以及分析結果記錄。
[0012]本發明與現有技術相比具有的有益效果是:
[0013](I)通過正離子電位分析裝置實現正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導致的空穴電位干擾；
[0014](2)采用負離子電位分析裝置用于負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾；
[0015](3)結合電位校正裝置進行離子電位形成體系的穩定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規模，防止離子電勢不穩定波動。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是高靈敏度離子晶格電位分析儀的示意圖
[0017]如圖1所示，本發明所述的高靈敏度離子晶格電位分析儀，主要包括:
[0018]I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉化裝置，3—電勢傳導裝置，
[0019]4—正離子電位分析裝置，5—負離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，
[0020]7-電位轉化裝置，8—信號放大裝置，9一信號穩定傳導裝置，
[0021]10—信號顯示記錄裝置；
[0022]下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】作進一步詳細的描述。
【具體實施方式】
[0023]首先，通過樣品離子化裝置(I)進行樣品的晶格破碎以及溶液離子轉化，實現樣品離子的溶液傳導與正負離子形成，結合離子電位轉化裝置(2)用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉化，借助于電勢傳導裝置(3)提供電位傳導溶液介質以及離子電勢的穩定形成，采用正離子電位分析裝置(4)用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導致的空穴電位干擾，通過負離子電位分析裝置(5)進行負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，結合電位校正裝置(6)實現離子電位形成體系的穩定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規模，防止離子電勢不穩定波動；采用電位轉化裝置(7)進行離子電位的轉化，有利于提高離子電層結構的穩定建立；借助于信號放大裝置(8)用于離子電位信號傳導放大以及高質量輸送，通過信號穩定傳導裝置(9)進行離子信號的電位穩定變換以及離子膜電位穩定，最后，采用信號顯示記錄裝置(10)實現離子電位信號顯示以及分析結果記錄。
【權利要求】
1.高靈敏度離子晶格電位分析儀，其特征在于，主要包括: I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉化裝置，3—電勢傳導裝置，4—正離子電位分析裝置，5—負離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，7-電位轉化裝置，8—信號放大裝置，9一信號穩定傳導裝置，10-信號顯示記錄裝置； 其中， 離子電位轉化裝置(2)含有電位轉化膜，該電位轉化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復合薄膜材料， 正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌唳五氯鋦的納米復合電極材料， 負離子電位分析裝置(5)含有負離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復 合電位電極材料。
【文檔編號】G01N27/60GK104020215SQ201410250118
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月8日 優先權日:2014年6月8日
【發明者】儲冬紅, 彭飛, 郭睦庚, 其他發明人請求不公開姓名 申請人:成都中遠千葉科技有限公司