一種二極管的光電測試方法
【專利摘要】本發明公開了一種二極管的光電測試方法，屬于二極管領域。所述方法包括：確定二極管的晶圓測試間距；在待測二極管的晶圓劃裂前，按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片；對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試；所述對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試，包括：將第一測試探針接入當前的所述待測芯片的P電極；將第二測試探針接入第一芯片的N電極，所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上；向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓；采用測量設備對所述待測芯片的光電參數進行檢測。
【專利說明】一種二極管的光電測試方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及二極管領域，特別涉及一種二極管的光電測試方法。
【背景技術】
[0002]隨著氮化鎵基化合物發光二極管(英文:Lighting Emitting D1de,簡稱:LED)在顯示及照明領域的廣泛應用，最近幾年LED的需求數量呈現出幾何級數增加，這就對LED的生產效率和生產質量提出了更高要求。
[0003]在LED等二極管的制造過程中，需要對二極管的晶圓進行光電測試，測試時，需要采用測試探針同時扎到晶圓上芯片的N、P電極上進行完整的光電性能測試，測試每顆芯片時需要通多次電流。
[0004]在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題:
[0005]測試時，由于芯片尺寸小，造成兩測試探針的距離過近，相近的測試探針在高電壓下極易出現短路，從而導致測試探針燒熔，增加生產成本；同時，由于測試探針扎到芯片N、P電極上時，測試探針會擋住芯片部分發光區，從而影響測試的準確性。
【發明內容】
[0006]為了解決現有技術中測試探針在測試時易燒熔，增加生產成本，且測試探針會擋住芯片部分發光區，影響測試的準確性的問題，本發明實施例提供了一種二極管的光電測試方法。所述技術方案如下:
[0007]本發明實施例提供了一種二極管的光電測試方法，適用于二極管的晶圓測試，所述二極管的晶圓包括多個芯片，所述方法包括:
[0008]確定二極管的晶圓測試間距；
[0009]在待測二極管的晶圓劃裂前，按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片;
[0010]對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試；
[0011]所述對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試，包括:
[0012]將第一測試探針接入當前的所述待測芯片的P電極；
[0013]將第二測試探針接入第一芯片的N電極，所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上；
[0014]向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓；
[0015]采用測量設備對所述待測芯片的光電參數進行檢測。
[0016]在本發明實施例的一種實現方式中，所述待測芯片在待測二極管的晶圓上間隔或連續分布。
[0017]在本發明實施例的一種實現方式中，所述第一芯片與所述待測芯片相鄰分布。
[0018]在本發明實施例的一種實現方式中，所述第一芯片與所述待測芯片間隔分布。
[0019]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第一芯片與所述待測芯片間隔一顆芯片。
[0020]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述待測二極管為發光二極管。
[0021]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述采用測量設備對所述待測芯片的光電參數進行檢測，包括:
[0022]采用電學測量設備測量所述待測芯片的電學參數；
[0023]采用光學測量設備測量所述待測芯片的光學參數。
[0024]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述電學參數包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓\。
[0025]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述光學參數包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長Hw、CIE色度X坐標CIE-X和CIE色度y坐標CIE_y。
[0026]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0027]通過對待測芯片進行測試時，將第一測試探針接入待測芯片的P電極，將第二測試探針接入第一芯片的N電極，第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上，然后向兩個測試探針通入額定電流或額定電壓，采用測量設備對待測芯片的光電參數進行檢測；由于一個晶圓上的多個芯片在未經過劃裂分離前，其外延N層是相通的，只不過P層是分開的，因此即使將探針與其他芯片的N電極相連，也能夠正常測試待測芯片的光電參數，將兩測試探針接在不同的芯片上，增加了兩測試探針的距離，避免了兩測試探針的距離過近時，相近的測試探針在高電壓下極易出現短路，從而避免了測試探針燒熔的問題，節省了生產成本；另外，將兩測試探針接在不同的芯片上，減少了測試探針擋住芯片發光區的面積，提高了測量結果的準確性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是本發明實施例提供的二極管的晶圓的結構示意圖；
[0030]圖2是圖1提供的二極管的晶圓的A部分的局部放大圖；
[0031]圖3是本發明實施例提供的二極管的光電測試方法的流程圖；
[0032]圖4是本發明實施例提供的二極管的光電測試方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0033]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0034]為了便于實施例的描述，下面先簡單介紹一下二極管的晶圓，在本實施例中，晶圓是指在襯底上生長的外延片經過芯片前段工藝加工后得到的晶片，其中芯片前段工藝是指光刻、薄膜、清洗三個工藝流程。也就是說，本實施例中的晶圓是指劃片裂片工藝之前的晶圓。
[0035]如圖1所示，晶圓10的外部為圓形，一個二極管的晶圓包括多個芯片。具體地，以晶圓10的其中一個部分A為例，如圖2所示，晶圓10上設有多個芯片20，每個芯片20包括P電極21和N電極22。
[0036]經過芯片前段工藝后，每顆芯片20上的P電極21是獨立的，而每顆芯片20上的N電極22是連通的。
[0037]本發明提供的二極管的光電測試方法適用于所有尺寸芯片，尤其適用于小尺寸芯片的光電測試，如5.5mil芯片。
[0038]實施例
[0039]本發明實施例提供了一種二極管的光電測試方法，適用于二極管的晶圓測試，參見圖2和圖3，該方法包括:
[0040]步驟101:確定二極管的晶圓測試間距。
[0041 ] 根據生產需要，確定二極管的晶圓測試間距。
[0042]大多數芯片廠商在進行二極管測試時，都是對二極管的晶圓上的芯片進行抽樣測試，并不是每一顆都要測。只是不同芯片廠商所要求測試的芯片數量不同而已，即選取不同間距來進行抽樣。
[0043]步驟102:在待測二極管的晶圓劃裂前，按該測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片。
[0044]其中，測試間距可以根據實際需要選取，例如，按該測試間距在待測二極管的晶圓上選取的待測芯片可以是連續地分布在待測二極管的晶圓上的，也可以是間隔地分布在待測二極管的晶圓上的。
[0045]步驟103:對選取的各個待測芯片分別進行光電測試。
[0046]在本實施例中，步驟103可以采用下述方式實現:
[0047]步驟1031:將第一測試探針接入當前的待測芯片的P電極。
[0048]步驟1032:將第二測試探針接入第一芯片的N電極，第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上。
[0049]步驟1033:向第一測試探針和第二測試探針通入額定電流或額定電壓。
[0050]步驟1034:采用測量設備對待測芯片的光電參數進行檢測。
[0051]在本發明實施例的一種實現方式中，第一芯片與待測芯片相鄰分布,此時第一測試探針與第二測試探針相距I顆芯片直徑的距離。
[0052]在本發明實施例的另一種實現方式中，第一芯片與待測芯片間隔分布,此時第一測試探針與第二測試探針間距離大于I顆芯片直徑。優選地，第一芯片與待測芯片間隔一顆芯片，由于在進行發光二極管等需要進行光學測試的二極管測試方法時，第一測試探針和第二測試探針需要同時處在光學測量設備上的顯微鏡視野內，從而保證第一測試探針和第二測試探針所連電極正確，保證測試的順利完成。而第一芯片與待測芯片間隔一顆芯片，可以保證對于不同型號的光學測量設備而言，第一測試探針和第二測試探針同時處在顯微鏡的視野內，且保證第一測試探針和第二測試探針間距離足夠大。
[0053]在本發明中，待測二極管可以是具有不同功能的二極管，例如發光二極管或者存儲芯片。
[0054]當待測二極管為發光二極管時，采用測量設備對待測芯片的光電參數進行檢測，包括:
[0055]步驟一、采用電學測量設備測量待測芯片的電學參數；
[0056]步驟二、采用光學測量設備測量待測芯片的光學參數。
[0057]其中，電學測量設備和光學測量設備可以是集成在一起的，比如FitTech惠特測試機，維明測試機等。
[0058]在采用本發明的方案測量發光二極管時，除了可以避免了兩測試探針的距離過近時，相近的測試探針在高電壓下極易出現短路，從而導致測試探針燒熔的問題；還能在光學測試時，由于只有一根探針在待測芯片上，使得只有一根探針會對待測芯片的發光區域進行遮擋，避免由于兩根探針同時擋住發光二極管的發光區域，造成的光學性能測試不準確，提高了光學性能測試的準確性。
[0059]其中，電學參數包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓V-
[0060]光學參數包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長HW、CIE色度X坐標CIE-x和CIE色度y坐標CIE-y。
[0061]當待測二極管為其他功能的二極管時，可能只需要進行電學測試，而不需要進行光學測試。
[0062]本實施例中提到的電學測量設備和光學測量設備都是在行業內現有的測試設備。
[0063]本發明實施例通過對待測芯片進行測試時，將第一測試探針接入待測芯片的P電極，將第二測試探針接入第一芯片的N電極，第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上，然后向兩個測試探針通入額定電流或額定電壓，采用測量設備對待測芯片的光電參數進行檢測；由于一個晶圓上的多個芯片在未經過劃裂分離前，其外延N層是相通的，只不過P層是分開的，因此即使將探針與其他芯片的N電極相連，也能夠正常測試待測芯片的光電參數，將兩測試探針接在不同的芯片上，增加了兩測試探針的距離，避免了兩測試探針的距離過近時，相近的測試探針在高電壓下極易出現短路，從而避免了測試探針燒熔的問題，節省了生產成本；另外，將兩測試探針接在不同的芯片上，減少了測試探針擋住芯片發光區的面積，提高了測量結果的準確性。
[0064]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種二極管的光電測試方法，適用于二極管的晶圓測試，所述二極管的晶圓包括多個芯片，所述方法包括: 確定二極管的晶圓測試間距； 在待測二極管的晶圓劃裂前，按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片； 對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試； 其特征在于，所述對選取的各個所述待測芯片分別進行光電測試，包括: 將第一測試探針接入當前的所述待測芯片的P電極； 將第二測試探針接入第一芯片的N電極，所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上； 向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓； 采用測量設備對所述待測芯片的光電參數進行檢測。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測芯片在待測二極管的晶圓上間隔或連續分布。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片與所述待測芯片相鄰分布。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片與所述待測芯片間隔分布。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一芯片與所述待測芯片間隔一顆-H-* I I心/T O
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測二極管為發光二極管。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用測量設備對所述待測芯片的光電參數進行檢測，包括: 采用電學測量設備測量所述待測芯片的電學參數； 采用光學測量設備測量所述待測芯片的光學參數。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述電學參數包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓\。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述光學參數包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長Hw、CIE色度X坐標CIE-x和CIE色度y坐標CIE_y。
【文檔編號】G01R31/26GK104360256SQ201410562417
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月21日 優先權日:2014年10月21日
【發明者】陳建南, 周武 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司
專業數控銑床產品供應商
20年生產經驗，實力工廠，精工品質，質量有保障
