国产自产21区,亚洲97,免费毛片网,国产啪视频,青青青国产在线观看,国产毛片一区二区三区精品

污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法
【專利摘要】本發明提供了一種污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法。用于制造基底的設備包括：室，提供在其中執行工藝的空間；污染物測量基底，包括被構造為收集污染物的基礎材料以及位于基礎材料上并限定基礎材料的坐標的激光標記；第一平臺，設置在室內，污染物測量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺上；第二平臺，設置在室的外側，污染物測量基底在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間被安置在第二平臺上；污染物測量光源，設置在第二平臺的上部，并且被構造為在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間利用光照射安置在第二平臺上的污染物測量基底。
【專利說明】污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法
[0001] 本申請要求與2013年7月25日提交的第10-2013-0088059號韓國專利申請的優 先權和全部權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

【技術領域】
[0002] 本發明涉及一種污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法。

【背景技術】
[0003] 用于諸如有機發光顯示器（0LED)、液晶顯示器（IXD)或等離子體顯示器的顯示裝 置的基底通過制造工藝被制造為成品。
[0004] 制造工藝包括基底薄膜沉積工藝、涂覆工藝和組裝工藝，并且在各工藝室中執行 制造工藝。
[0005] 在通過制造工藝處理用于顯示裝置的基底的同時，因工藝室的一部分的開裂或老 化而產生的污染物常常會吸附到基底。


【發明內容】

[0006] 當吸附到用于顯示裝置的基底的污染物的數量超過參考值時，次等可能發生在用 于顯示裝置的被制造為成品的基底中。
[0007] 因此，需要在執行用于顯示裝置的基底的制造工藝之前，通過獲知在各工藝室中 的污染物的量以及各工藝室的產生污染物的部分的位置來消除污染物產生的原因。
[0008] 本發明的示例性實施例提供了一種污染物測量基底，該污染物測量基底在基底的 實際工藝之前使用對室的污染物的測量，獲知污染物的產生位置并消除污染物的產生原 因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。
[0009] 本發明的另一示例性實施例提供了一種用于制造基底的設備，該用于制造基底的 設備在基底的實際工藝之前使用對室的污染物的測量，獲知污染物的產生位置并消除污染 物的產生原因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。
[0010] 本發明的另一示例性實施例提供了一種用于制造基底的方法，該用于制造基底的 方法通過在基底的實際工藝之前測量室的污染物，獲知污染物的產生位置并消除污染物的 產生原因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。
[0011] 根據本發明的示例性實施例，提供了一種用于制造基底的設備，該用于制造基底 的設備包括：室，提供在其中執行工藝的空間；污染物測量基底，包括被構造為收集污染物 的基礎材料以及位于基礎材料上并限定基礎材料的坐標的激光標記；第一平臺，設置在室 內，污染物測量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺上；第二平臺，設置在室的 外側，污染物測量基底在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間被安置在第二 平臺上；污染物測量光源，設置在第二平臺的上部，并且被構造為在收集在污染物測量基底 上的室的污染物的測量期間利用光照射安置在第二平臺上的污染物測量基底。
[0012] 根據本發明的另一不例性實施例，提供了 一種制造基底的方法，該制造基底的方 法包括以下步驟：準備包括基礎材料和激光標記的污染物測量基底，基礎材料被構造為收 集污染物，激光標記位于基礎材料上并且在污染物測量基底上限定分別與基底的單位單元 對應的多個單位區域；將污染物測量基底安置在第一平臺上并收集室的污染物，第一平臺 設置在室內，室提供在其中執行工藝的空間；將污染物測量基底安置在設置在室的外部的 第二平臺上，并且通過使用污染物測量光源利用光照射污染物測量基底來測量針對所述多 個單位區域收集的室的污染物；將存在于與基底的各單位單元對應的所述多個單位區域中 的各單位區域中的室的污染物的數量與參考值進行比較，并且確定存在于各單位區域中的 室的污染物的數量是否超過參考值。
[0013] 根據本發明的另一示例性實施例，提供了一種污染物測量基底，該污染物測量基 底包括：基礎材料，被構造為收集污染物；激光標記，位于基礎材料上并限定基礎材料的坐 標。
[0014] 根據本發明的示例性實施例，可以獲得至少以下效果。
[0015] 由于根據本發明的示例性實施例的污染物測量基底包括可以收集污染物的基礎 材料以及限定在基礎材料上設置的坐標的激光標記，所以可以在基底的實際工藝之前測量 室的污染物，可以獲知污染物的產生位置，并可以消除室的污染物的產生原因。
[0016] 因此，根據本發明的實施例的污染物測量基底可以有效地防止經由實際工藝產生 次等基底。
[0017] 根據本發明的效果不限于上面舉例說明的內容，而且在本發明的說明書中描述了 更多的不同效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發明的以上和其他目的、特征和優點將更 加明顯，在附圖中：
[0019] 圖1是根據本發明的污染物測量基底的示例性實施例的透視圖；
[0020] 圖2是示出一些材料的靜電的極性的示圖；
[0021] 圖3是示出在圖1的污染物測量基底上的污染物的收集的示例的透視圖；
[0022] 圖4和圖5是示出根據本發明的污染物測量基底上的激光標記的各種示例性實施 例的透視圖；
[0023] 圖6是根據本發明的用于制造基底的設備的另一示例性實施例的剖視圖；
[0024] 圖7是根據本發明的用于制造基底的設備的另一示例性實施例的剖視圖；
[0025] 圖8是根據本發明的用于制造示例性實施例的基底的方法的流程圖；
[0026] 圖9至圖15是解釋圖8的制造基底的方法的剖視圖。

【具體實施方式】
[0027] 現在將在下文中參照附圖更充分地描述本發明，附圖中示出了各種實施例。然而， 本發明可以以許多不同的形式實施，并且不應該被解釋為局限于這里闡述的實施例。相反， 提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完全的，這些實施例將把本發明的范圍充分地傳 達給本領域技術人員。相似的參考標記始終指示相似的元件。
[0028] 還將理解的是，當層被稱作"在"另一層或基底"上"時，它可以直接在所述另一層 或基底上，或者也可以存在中間層。在整個說明書中，相同的參考標記指示相同的組件。
[0029] 將理解的是，雖然這里可以使用第一、第二、第三等術語來描述不同的元件、組件、 區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應該受這些術語限制。這 些術語僅是用來將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區分 開來。因此，在不脫離本發明的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區域、層或部分 可以被命名為第二元件、組件、區域、層或部分。
[0030] 這里使用的術語僅是為了描述特定實施例的目的，而不意圖進行限制。如這里所 使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式的"一"、"一個(種）"和"所述(該)"也意 圖包括復數形式(包括"至少一個(種）")。"或"表示"和/或"。如這里所使用的，術語"和 /或"包括一個或更多個相關所列項的任意組合和全部組合。還將理解的是，當在本說明書 中使用時，術語"包含"和/或其變形或者"包括"和/或其變形說明存在所述特征、區域、整 體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或更多個其他特征、區域、整體、 步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0031] 此外，在這里可以使用相對術語，如"下"或"底"以及"上"或"頂"，來描述如附圖 中所示的一個元件與另一元件的關系。將理解的是，相對術語意在包括除了在附圖中描述 的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果在一幅圖中的裝置被翻轉，則描述為在其他元件 "下"側上的元件隨后將被定位為在所述其他元件"上"側上。因此，基于圖的特定方位，示 例性術語"下"可以包括"下"和"上"兩種方位。相似地，如果在一幅圖中的裝置被翻轉， 則描述為"在"其他元件"下方"或"之下"的元件隨后將被定位為"在"所述其他元件"上 方"。因此，示例性術語"在…下方"或"在…之下"可以包括"在…上方"和"在…下方"兩 種方位。
[0032] 這里使用的"大約"或"近似地"包括所述值，并且表示在考慮有問題的測量以及 與具體量的測量相關的誤差（即，測量系統的局限）時，對于具體值的偏差在由本領域普通 技術人員確定的可接受的范圍內。例如，"大約"可以表示在所述值的一個或更多個標準偏 差內或在所述值的±30%、±20%、±10%、±5%內。
[0033] 除非另有定義，否則這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語）具有與本公 開所屬領域的普通技術人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確 定義，否則術語(例如，在通用的字典中定義的那些術語）應該被解釋為具有與相關領域的 環境中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過于正式的意義進行解釋。
[0034] 在此參照作為理想實施例的示意圖的剖視圖來描述示例性實施例。這樣，預計會 出現例如由制造技術和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實施例不應 該被解釋為局限于在此示出的區域的特定形狀，而將包括例如由制造導致的形狀偏差。例 如，示出為或描述為平坦的區域可以通常具有粗糙的和/或非線性的特征。另外，示出的尖 角可以被導圓。因此，在附圖中示出的區域實際上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區 域的精確形狀，并且不意圖限制權利要求書的范圍。
[0035] 在下文中，將參照附圖詳細地描述本發明的示例性實施例。
[0036] 圖1是根據本發明的示例性實施例的污染物測量基底的透視圖，圖2是示出一些 材料的靜電的極性的示圖，圖3是示出在圖1的污染物測量基底上的污染物的收集的示例 的透視圖。
[0037] 參照圖1，污染物測量基底130用于測量在制造基底的工藝中產生的污染物。在室 中執行實際工藝之前，收集室中的污染物以提前確定污染物在室的哪一部分中產生，其中， 室提供其中執行實際工藝的空間。
[0038] 基底可以包括用于顯示裝置的基底。在示例性實施例中，例如，基底可以是用于諸 如有機發光顯示器（0LED)、液晶顯示器（IXD)或等離子體顯示器的顯示裝置的基底。在示 例性實施例中，基底可以是裸基底或者在其上包括諸如薄膜或布線的結構的基底。
[0039] 此外，在示例性實施例中，基底可以是包括一個單位單元的基底或者包括多個單 位單元的母基底。通過切割可以將母基底分成多個單元。此外，基底可以是單個基底或層 壓基底，在層壓基底中，兩個或更多個基底被設置成彼此接觸或彼此分隔開，從而使基底彼 此面對。
[0040] 實際工藝可以包括基底薄膜沉積工藝、涂覆工藝、組裝工藝等，室基于工藝可以處 于真空狀態或非真空狀態。
[0041] 污染物測量基底130可以包括基礎材料131和激光標記132。
[0042] 基礎材料131可以具有與在實際工藝中使用的基底的尺寸相同的尺寸，并且可以 包括能夠通過靜電力收集污染物的材料。即，基礎材料131可以包括負靜電極性值小于室 的形成材料的負靜電極性值的材料，其中，室提供在其中將被測量的污染物所處的空間。在 示例性實施例中，例如，參照圖2,當室包括鋼時，基礎材料131可以包括負靜電極性值小于 鋼的負靜電極性值的聚四氟乙烯。因此，如圖3中所示，因室的一部分的開裂或老化產生的 污染物CM可以通過靜電力收集在基礎材料131上。
[0043] 在一些示例性實施例中，基礎材料131可以包括與室的形成材料的顏色匹配但不 與室的形成材料的顏色等同的顏色。在示例性實施例中，當室包括其顏色為銀色的鋼時，例 如，基礎材料131可以包括諸如白色的聚四氟乙烯(例如，Teflon?)的不透明材料。因此， 通過工作人員的肉眼可以容易地確定在基礎材料131上收集的室的污染物CM。
[0044] 圖1示出了基礎材料131的平面形狀是矩形，但本發明不限于此，基于在實際工藝 中使用的基底的平面形狀，基礎材料131的平面形狀可以不同。
[0045] 激光標記132可以包括沿著第一方向平行地設置的多條第一線Ll至Ln以及沿著 與第一方向交叉的第二方向平行地設置的多條第二線Rl至Rn以限定在基礎材料131上設 置的坐標。因此，激光標記132可以提供用于有效地防止污染物測量基底130在其上/下 部分或左/右部分顛倒的狀態下被送入室中的參照。在示例性實施例中，可以通過用激光 掃描基礎材料131來設置激光標記132。
[0046] 激光標記132可以通過多條第一線Ll至Ln和多條第二線Rl至Rn限定具有第一 面積的多個單位區域A。在多個單位區域A中，至少一個單位區域A可以對應于在實際工藝 中使用的基底的多個單位單元中的一個單位單元。因此，激光標記132可以提供用于獲知 在基礎材料131上的多個單位區域A之中的哪個單位區域(與基底的各單位單元對應)收集 并放置有室的污染物的參考，因此，可以使用在基礎材料131上的多個單位區域A中的其中 收集的室的污染物的數量超過參考值的單位區域來獲知在實際工藝中使用的基底的哪個 單位單元區域具有次等。
[0047] 當獲知次等可能發生在基底的特定單位單元中時，在污染物測量基底130被送入 到室中以收集室的污染物的情況下，工作人員可以通過確定室的與其被獲知其中可能發生 次等的基底的單位單元對應的污染物測量基底130的單元單位區域相鄰的一部分發生開 裂或老化來修理或替換室。單元單位區域可以包括一個單位區域A、兩個單位區域A或者三 個或更多個單位區域A。
[0048] 在下文中，將描述應用于上述污染物測量基底的具有各種形狀的激光標記。
[0049] 圖4和圖5是示出根據本發明的各種示例性實施例的污染物測量基底上的激光標 記的透視圖。
[0050] 圖4舉例說明具有激光標記132A的污染物測量基底130A，激光標記132A包括沿 著第一方向平行地設置的多條第一線Lll至Lln以及沿著與第一方向交叉的第二方向平行 地設置的多條第二線Rll至Rln以限定在基礎材料131上設置的坐標，在基礎材料131上， 多條第一線Lll至Lln和多條第二線Rll至Rln限定具有第二面積的多個單位區域A1。多 個單位區域Al中的至少一個可以對應于在實際工藝中使用的基底的多個單位單元中的一 個。
[0051] 在示例性實施例中，多個單位區域Al中的一個的第二面積可以大于圖1中的通過 多條第一線Ll至Ln和多條第二線Rl至Rn限定的多個單位區域A中的一個的第一面積。 因此，例如，尺寸比圖1中示出的多個單位區域A中的兩個的尺寸大的一個單位單元可以對 應于例如多個單位區域Al中的兩個。因此，能夠測量與具有大尺寸的基底的單位單元對應 的室的污染物。
[0052] 雖然未示出，但是圖4的污染物測量基底130A的基礎材料131也可以以與圖1中 的污染物測量基底130相同的方式，包括與室的形成材料的顏色匹配但不與室的形成材料 的顏色等同的顏色。
[0053] 圖5舉例說明具有激光標記132B的污染物測量基底130B，激光標記132B包括沿 第一方向和與第一方向交叉的第二方向設置的多個同心圓組Cij (其中，i和j為1至n，n 為自然數)。這里，同心圓組Cll可以是設置在沿第一方向的第一行處和沿第二方向的第一 列處的同心圓組。
[0054] 激光標記132B可以通過多個同心圓組Cij限定多個單位區域A2。多個單位區域 A2中的至少一個可以對應于在實際工藝中使用的基底的多個單位單元中的一個。這里，一 個單位區域A2可以具有通過在同心圓組內的多條圓形線劃分的多個劃分區域。因此，激光 標記132B可以提供用于子劃分并獲知在基礎材料131上的多個單位區域中的與基底的各 單位單元對應的單位區域A2的哪個部分收集有室的污染物的參照。
[0055] 雖然未示出，但是圖5的污染物測量基底130B的基礎材料131也可以以與圖1中 的污染物測量基底130相同的方式，包括與室的形成材料的顏色匹配但不與室的形成材料 的顏色等同的顏色。
[0056] 在圖1、圖4和圖5中示出的示例性實施例中，通過與基底的多個單位單元中的一 個對應的污染物測量基底130、130A或130B的單元單位區域來測量室的污染物的數量。然 而，當基底包括一個單位單元時，可以通過污染物測量基底的單位區域來測量室的污染物 的數量。因此，在基底包括一個單位單元的情況下，可以獲知次等可能發生在一個單位單元 的哪個部分中。
[0057] 如上所述，由于根據本發明的示例性實施例的污染物測量基底130包括能夠收集 污染物的基礎材料131以及限定設置在基礎材料131上的坐標的激光標記132,所以可以在 基底的實際工藝之前測量室的污染物，可以獲知室的污染物的產生位置，因此可以消除室 的污染物的產生原因。
[0058] 因此，根據本發明的示例性實施例的污染物測量基底130、130A和130B可以有效 地防止通過實際工藝產生次等的基底。
[0059] 接下來，將描述根據本發明的另一示例性實施例的制造基底的設備。
[0060] 圖6是根據本發明的另一示例性實施例的制造基底的設備的剖視圖。
[0061] 參照圖6,根據本發明的另一示例性實施例的制造基底的設備100可以包括室 110、第一平臺120、污染物測量基底130、第二平臺140和污染物測量光源150。
[0062] 室110提供其中執行實際工藝的空間。室基于工藝可以處于真空狀態或非真空狀 態。在示例性實施例中，例如，當室110提供其中執行基底薄膜沉積工藝的空間時，其可以 處于真空狀態。當室110提供其中執行組裝工藝的空間時，其可以處于非真空狀態。
[0063] 室110可以包括鋼，但本發明不限于此。例如，在室110包括鋼的狀態下，當室110 的一部分發生開裂或老化時，可以產生材料與室的形成材料相同的污染物，即，鋼材料的污 染物。雖然圖6示出了一個室110,但基于基底制造工藝的類型可以設置多個室。
[0064] 第一平臺120設置(例如，安裝）在室110內。第一平臺120提供了在對基底執行 實際工藝之前可以安置污染物測量基底130的空間，并且能夠使污染物測量基底130收集 室110的污染物。此外，第一平臺120提供了在對基底進行實際工藝期間能夠安置基底(例 如，用于顯示裝置的基底）的空間，并且能夠對基底執行實際工藝。
[0065] 污染物測量基底130用于測量在基底制造工藝中產生的污染物，并且在室110中 執行實際工藝之前收集室Iio的污染物以使工作人員能夠確定污染物產生在室Iio的哪一 部分中。
[0066] 污染物測量基底130可以通過諸如機器人的傳送裝置10被送入室110中或者被 送出室110。當設置多個室110時，污染物測量基底130可以用于收集一個室110的污染 物，然后可以在被清理之后再次用于收集其他室110的污染物。在一些示例性實施例中，當 設置多個室110時，可以將污染物測量基底130的數量設置為與室110的數量相等，并且在 這種情況下，多個污染物測量基底130可以分別用于收集多個室110的污染物。由于已經 詳細地描述了污染物測量基底130,所以將省略對其的重復描述。
[0067] 第二平臺140設置(例如，安裝）在室110的外側。第二平臺140可以提供在其中 安置污染物測量基底130的空間，并且能夠使工作人員確定其上收集有室110的污染物的 污染物測量基底130。
[0068] 污染物測量光源150設置在第二平臺140的上部。污染物測量光源150可以用光 照射安置在第二平臺140上的污染物測量基底130,以執行來自污染物測量基底130的室 110的污染物的測量。在示例性實施例中，污染物測量光源150可以是紫外線光源。
[0069] 在示例性實施例中，可以通過肉眼確定多少室110的污染物以及室110的污染物 位于污染物測量基底130的哪個區域，S卩，哪個單位區域，其對應于基底的各單位單元，來 執行污染物的測量。這里，在將污染物測量基底130送入室中以收集室110的污染物的條 件下，當在某一單元單位區域中的室110的污染物的數量超過參考值時，可以獲知次等可 能發生在與單元單位區域對應的單位單元中，并且工作人員可以通過確定室110的與其被 獲知其中可能產生次等的單位單元對應的單元單位區域相鄰的部分發生開裂或老化來修 理或替換室110。此外，當確定存在于多個單位區域A中的各單位區域(其對應于基底的各 單位單元)中的室110的污染物的數量小于參考值時，工作人員可以將基底(例如，用于顯示 裝置的基底）送入室110中以對基底執行實際工藝。
[0070] 如上所述，由于根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備100包 括污染物測量基底130,所以可以在基底的實際工藝之前測量室110的污染物，可以獲知室 110的污染物的產生位置，并且因此可以消除室110的污染物的產生原因。
[0071] 因此，根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備100可以有效地 防止通過實際工藝產生次等基底。
[0072] 接下來，將描述根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備200。
[0073] 圖7是根據本發明的另一示例性實施例的用于制造基底的設備的剖視圖。
[0074] 根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備200具有與圖6的用于 制造基底的設備100的構造相同的構造，除了設備200還包括成像裝置260和計數器270 之外。因此，在根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備200中，將圍繞成 像裝置260和計數器270進行解釋。
[0075] 參照圖7,根據本發明的示出的示例性實施例的用于制造基底的設備200可以包 括室110、第一平臺120、污染物測量基底130、第二平臺140、污染物測量光源150、成像裝置 260和計數器270。
[0076] 成像裝置260設置在第二平臺140的上部。成像裝置260可以捕獲安置在第二平 臺140上的污染物測量基底130的圖像，以能夠使計數器270執行污染物的測量。在示例 性實施例中，例如，成像裝置260可以是照相機或光學顯微鏡。
[0077] 計數器270可以接收由成像裝置260捕獲的污染物測量基底130的圖像，并且可 以對在污染物測量基底130上收集的室110的污染物進行計算(計量)。在示例性實施例中， 可以對計數器270進行編程以確定在污染物測量基底130上的污染物的量和位置。即，可以 對計數器270進行編程以確定包含室110的污染物的與基底的各單位單元對應的單位區域 的位置，并且通過將預存儲的污染物測量基底130的原始圖像(其中不存在污染物的圖像） 與從成像裝置260接收的圖像進行比較來確定污染物的量。雖然未示出，但計數器270可 以包括用于顯示通過獲知在污染物測量基底130上的室110的污染物的量和位置而獲得的 數據的顯示器。
[0078] 此外，計數器270將存在于單位區域A中的與基底的各單位單元對應的各單位區 域中的室110的污染物的數量與參考值進行比較。當確定存在于某一單元單位區域中的室 110的污染物的數量超過參考值時，可以輸出警告信號，警告信號指示次等可能發生在與單 元單位區域對應的單位單元中。在這種情況下，在污染物測量基底130被送入室110中以 收集室110的污染物的情況下，工作人員可以通過確定室110的與其獲知其中可能產生次 等的單位單元對應的單元單位區域相鄰的部分發生開裂或老化來修理或替換室110。
[0079] 計數器270將存在于多個單位區域A中的與基底的各單位單元對應的各單位區域 中的室110的污染物的數量與參考值進行比較，當確定存在于各單位區域中的室110的污 染物的數量小于參考值時，輸出對基底執行實際工藝的工藝信號。因此，工作人員可以將基 底(例如，用于顯示裝置的基底）送入室Iio中，以對基底執行實際工藝。
[0080] 接下來，將描述根據本發明的示例性實施例的制造基底的方法。
[0081] 圖8是根據本發明的示例性實施例的用于制造基底的方法的流程圖，圖9至圖15 是解釋圖8的制造基底的方法的剖視圖。
[0082] 參照圖8,根據本發明的示例性實施例的制造基底的方法包括設置工藝氣氛 (S10)、準備污染物測量基底（S20)、收集污染物（S30)、測量污染物（S40)、比較和確定 (S50)以及處理（S60)。
[0083] 參照圖9,設置工藝氣氛（SlO)的步驟設置提供在其中執行工藝的空間的室110的 工藝氣氛。設置室110的工藝氣氛可以包括基于基底制造工藝的類型使室110處于真空狀 態或非真空狀態。
[0084] 參照圖10,準備污染物測量基底（S20)的步驟準備污染物測量基底130,污染物測 量基底130包括收集污染物的基礎材料131和限定設置在基礎材料131上的坐標的激光標 記 132。
[0085] 準備污染物測量基底（S20)可以包括提供包括負靜電極性值小于室110的形成材 料的負靜電極性值的材料的污染物測量基底130。此外，準備污染物測量基底（S20)可以包 括提供具有與室110的形成材料的顏色匹配的顏色的污染物測量基底130。由于已經詳細 地描述過污染物測量基底130,所以將省略對其的重復描述。
[0086] 如圖11中所示，在示例性實施例中，可以通過諸如機器人的傳送裝置10將準備好 的污染物測量基底130向室110傳送。
[0087] 參照圖12,收集污染物（S30)的步驟通過將污染物測量基底130安置在設置(例 如，安裝)在室110內的第一平臺120上來收集室110的污染物。在示例性實施例中，例如， 可以如圖13中所示執行室110的污染物CM的收集。在示例性實施例中，可以執行長達與 實際工藝時間相同的時間的室110的污染物CM的收集。
[0088] 參照圖14,測量污染物（S40)的步驟通過將污染物測量基底130安置在設置(例 如，安裝)在室110的外部的第二平臺140上并使用污染物測量光源150利用光照射污染物 測量基底130,來測量針對污染物測量基底130的多個單位區域A收集的室110的污染物， 其中，多個單位區域A由圖13中的激光標記132限定。
[0089] 在示例性實施例中，可以通過肉眼確定在污染物測量基底130上的污染物的量和 位置來執行污染物的測量。即，可以通過確定與基底的各單位單元對應的多個單位區域A 之中的包含室110的污染物的單位區域的位置以及污染物的量來執行污染物的測量。在使 用設置在第二平臺140的上部以捕獲污染物測量基底130的圖像的成像裝置260 (參照圖 7)以及接收由成像裝置捕獲的污染物測量基底130的圖像并計算在污染物測量基底130上 收集的室110的污染物的計數器的情況下，可以通過計數器270 (參照圖7)執行室110的 污染物的測量。
[0090] 比較和確定（S50)的步驟將存在于與基底的各單位單元對應的圖13中的多個單 位區域A之中的單位區域中的室110的污染物CM的數量與參考值進行比較，并且確定存在 于各單位區域中的室110的污染物CM的數量是否超過參考值。
[0091] 在示例性實施例中，當在測量污染物（S40)的步驟中通過肉眼執行室110的污染 物的測量時，可以由工作人員來執行比較和確定（S50)的步驟。在示例性實施例中，當在測 量污染物（S40)的步驟中通過計數器270執行室110的污染物的測量時，可以由計數器270 (參照圖7)執行比較和確定（S50)的步驟。
[0092] 當在比較和確定（S50)的步驟中獲知存在于某一單元單位區域A (參照圖13)中 的室110的污染物CM的數量超過參考值時，使得次等可能發生在基底的與所述單元單位區 域對應的單位單元中，然后進行處理（S60)的步驟以確定室110的與對應于所獲知的單位 單元(獲知其中可能發生次等）的單元單位區域相鄰的部分，當獲知存在于各單位區域中的 室110的污染物CM的數量小于參考值時，進行處理（S60)過程以將如圖15中所示的基底 (例如，用于顯示裝置的基底）送入室110中以對基底執行實際工藝。
[0093] 在處理（S60)的步驟中，工作人員可以直接確定在比較和確定（S50)的步驟中通 過肉眼確定的結果，或者可以接收在比較和確定（S50)的步驟中通過計數器確定的結果，以 執行相應的工藝。
[0094] 總結【具體實施方式】部分，本領域技術人員將理解的是，在基本上不脫離本發明的 原理的情況下，可以對優選示例性實施例做出許多改變和修改。因此，本發明的公開的優選 示例性實施例僅以普通的和描述性的意義使用而不是出于限制性的目的。
【權利要求】
1. 一種用于制造基底的設備，所述用于制造基底的設備包括： 室，提供在其中執行工藝的空間； 污染物測量基底，包括被構造為收集污染物的基礎材料W及位于基礎材料上并限定基 礎材料的坐標的激光標記； 第一平臺，設置在室內，污染物測量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺 上； 第二平臺，設置在室的外側，污染物測量基底在收集在污染物測量基底上的室的污染 物的測量期間被安置在第二平臺上；W及 污染物測量光源，設置在第二平臺的上部，并且被構造為在收集在污染物測量基底上 的室的污染物的測量期間利用光照射安置在第二平臺上的污染物測量基底。
2. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，激光標記包括： 多條第一線，沿第一方向平行地設置；W及 多條第二線，沿與第一方向交叉的第二方向平行地設置。
3. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，激光標記包括沿第一方向和與第 一方向交叉的第二方向設置的多個同也圓組。
4. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，室包括鋼，基礎材料包括具有比鋼 的負靜電極性值小的負靜電極性值的材料。
5. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，基礎材料包括聚四氣己帰。
6. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，污染物測量基底具有與室的顏色 匹配的顏色。
7. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，其中，污染物測量光源是紫外線光源。
8. 如權利要求1所述的用于制造基底的設備，所述用于制造基底的設備還包括： 成像裝置，設置在第二平臺的上部，并且被構造為捕獲在第二平臺上安置的污染物測 量基底的圖像；W及 計數器，被構造為從污染物測量基底的圖像對室的污染物進行計算。
9. 一種制造基底的方法，所述制造基底的方法包括W下步驟： 準備包括基礎材料和激光標記的污染物測量基底，基礎材料被構造為收集污染物，激 光標記位于基礎材料上并且限定在污染物測量基底上的分別與基底的單位單元對應的多 個單位區域； 將污染物測量基底安置在第一平臺上并收集室的污染物，第一平臺設置在室內，室提 供在其中執行工藝的空間； 將污染物測量基底安置在設置在室外側的第二平臺上，并且通過使用污染物測量光源 利用光照射污染物測量基底來測量針對所述多個單位區域收集的室的污染物；W及 將存在于所述多個單位區域中的各單位區域中的室的污染物的數量與參考值進行比 較，并且確定存在于各單位區域中的室的污染物的數量是否超過參考值。
10. 如權利要求9所述的制造基底的方法，其中，室包括鋼，基礎材料包括具有比鋼的 負靜電極性值小的負靜電極性值的材料。
11. 如權利要求9所述的制造基底的方法，其中，污染物測量基底具有與室的顏色匹配 的顏色。
12. 如權利要求9所述的制造基底的方法，其中，測量室的污染物的步驟包括準備紫外 線光源作為污染物測量光源。
13. 如權利要求9所述的制造基底的方法，其中，測量室的污染物的步驟包括： 使用設置在第二平臺的上部的成像裝置來捕獲污染物測量基底的圖像；W及 使用計數器從污染物測量基底的圖像計算室的污染物。
14. 如權利要求9所述的制造基底的方法，所述制造基底的方法還包括： 在比較和確定的步驟中，當存在于各單位區域中的室的污染物的數量超過參考值時， 確定室的與各單位區域相鄰的部分， 當存在于各單位區域中的室的污染物的數量小于參考值時，將基底送入室中W對基底 執行工藝。
15. 如權利要求14所述的制造基底的方法，其中，基底是用于顯示裝置的基底。
16. -種污染物測量基底，所述污染物測量基底包括： 基礎材料，被構造為收集污染物；W及 激光標記，位于基礎材料上并限定基礎材料的坐標。
17. 如權利要求16所述的污染物測量基底，其中，激光標記包括： 多條第一線，沿第一方向平行地設置；W及 多條第二線，沿與第一方向交叉的第二方向平行地設置。
18. 如權利要求16所述的污染物測量基底，其中，激光標記包括沿第一方向和與第一 方向交叉的第二方向設置的多個同也圓組。
19. 如權利要求16所述的污染物測量基底，其中，基礎材料包括具有比鋼的負靜電極 性值小的負靜電極性值的材料。
20. 如權利要求16所述的污染物測量基底，其中，基礎材料包括聚四氣己帰。
【文檔編號】G01N15/10GK104345023SQ201410120749
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年3月27日 優先權日:2013年7月25日
【發明者】樸鐘秦 申請人:三星顯示有限公司