專利名稱:一種傳感型真空度測量裝置的制作方法
技術領域:
本發明屬于精密測量技術領域,具體涉及一種傳感型真空度測量裝置。
背景技術:
目前常規的真空測量裝置存在著很多缺陷,比如采用電阻規皮拉尼、熱偶,所一致產生的問題就是測量范圍小,一般都在ΙΟΟΟΡ Ρ或是ZOPlWOF1,而且在測量過程中容易受到污染,同時受到環境溫度影響也較大,溫度范圍大都限制在10°c 40°C,并且在1 (TC 40°C范圍內溫度對測量精度的影響也是很大的。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的不足,提供一種工藝簡單、靈敏度高、抗污性能好、真空測量范圍廣的傳感型真空度測量裝置。一種傳感型真空度測量裝置,包括殼體,所述殼體的兩軸向端面上分別設有真空連接口及儀表連接座;所述殼體內設有真空室,該真空室中安裝有半導體敏感元件,所述半導體敏感元件與儀表連接座呈橋路電路連接。所述真空室外設有控恒溫裝置。本發明利用半導體敏感元件在不同的真空度條件下的散熱變化,得出相應的橋路電阻變化,由此測量出精確的真空度,不僅電荷傳輸過程中有非常高的靈敏度,而且工藝簡單、抗污染性能好,并且控恒溫裝置的設置更加能夠保證其在測量時的精度不會受到影響。
圖1為本發明的結構示意圖。
具體實施例方式以下結合具體實施例,對本發明做進一步說明。應理解,以下實施例僅用于說明本發明而非用于限制本發明的范圍。實施例1
參見圖1,本發明提供的一種傳感型真空度測量裝置,包括殼體1,所述殼體I的兩軸向端面上分別設有真空連接口 2及儀表連接座3,所述殼體I內設有真空室4,該真空室4中安裝有半導體敏感元件5,所述半導體敏感元件5的一端穿過高真空密封座6電連接電路板7上,所述電路板7與儀表連接座3電連接,所述半導體敏感元件5與儀表連接座3的電連接方式為橋路連接。實施例2
運行原理:半導體敏感元件5橋路通電加熱后,升至10(Tl8(rC,在精確的電壓及恒定的溫度下,橋路會產生精度很高的電壓,在不同的真空度條件下,半導體敏感元件5的散熱發生了變化,相應的橋路電阻發生了變化,其變化值就是真空度,由于半導體敏感元件5受溫面積極小,在0.2~1m/m間,所以在電荷傳輸過程中有非常高的靈敏度。
權利要求
1.一種傳感型真空度測量裝置,包括殼體,所述殼體的兩軸向端面上分別設有真空連接口及儀表連接座,其特征在于:所述殼體內設有真空室,該真空室中安裝有半導體敏感元件,所述半導體敏感元件與儀表連接座呈橋路電路連接。
2.根據權利要求1所述的一種傳感型真空度測量裝置,其特征在于:所述真空室外設有控恒溫裝 置。
全文摘要
本發明公開了一種傳感型真空度測量裝置,包括殼體,所述殼體的兩軸向端面上分別設有真空連接口及儀表連接座;所述殼體內設有真空室,該真空室中安裝有半導體敏感元件,所述半導體敏感元件與儀表連接座呈橋路電路連接。本發明利用半導體敏感元件在不同的真空度條件下的散熱變化,得出相應的橋路電阻變化,由此測量出精確的真空度,不僅電荷傳輸過程中有非常高的靈敏度,而且工藝簡單、抗污染性能好。
文檔編號G01L21/12GK103234692SQ201310132288
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月17日 優先權日2013年4月17日
發明者姚琪旼 申請人:上海祖發實業有限公司