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專利名稱：馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法。
背景技術(shù)：
半導體行業(yè)中，多個工藝需要在密封環(huán)境內(nèi)完成，其工藝涉及晶元在密封腔內(nèi)的轉(zhuǎn)載，上述轉(zhuǎn)載一般是通過驅(qū)動馬達實現(xiàn)的。然而，馬達驅(qū)動過程中，在行程的最高點和最低點出于保護馬達的目的，在兩行程端頭具有鎖定功能，該鎖定功能呈現(xiàn)為馬達故障，有可能被誤判為馬達性能失效。此種情況下，現(xiàn)有技術(shù)一般需打開密封腔對該馬達的狀況進行檢測，若馬達被鎖定，則解除該鎖定；若馬達性能失效，則進行維修或更換性能合格的馬達。上述方式由于需打開密封腔，因而過程麻煩且耗時。有鑒于此，實有必要提供一種新的馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法，以降低馬達故障被誤判為性能失效的幾率，同時提高效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實現(xiàn)的目的是提出一種新的馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法，以降低馬達故障被誤判為性能失效的幾率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種馬達的檢測裝置，包括:密封腔；設置在所述密封腔內(nèi)的基片承載臺；用于驅(qū)動所述基片承載臺的馬達；與所述馬達相連的檢測電路，用于在所述馬達故障時判斷所述馬達的性能是否失效。可選地，所述馬達為直線馬達。可選地，所述檢測電路包括信號施加裝置。可選地，所述信號施加裝置設置在所述密封腔的外部。可選地，所述信號施加裝置為DSP或直流電源。可選地，所述密封腔為刻蝕工藝腔、光刻工藝腔、離子注入工藝腔、或薄膜生長工藝腔。此外，本發(fā)明還提供了一種使用上述檢測裝置檢測馬達性能的方法，包括:當所述馬達故障時，采用檢測電路對所述馬達施加驅(qū)動信號，若所述馬達無響應，則判定所述馬達的性能失效。可選地，采用檢測電路對所述馬達施加驅(qū)動信號前，還對所述馬達施加與驅(qū)動信號相反的信號并測量所述馬達的輸出電流。可選地，所述馬達在行程最高點出現(xiàn) 故障，則對所述馬達施加使其位置向下的驅(qū)動信號。可選地，所述馬達在行程最低點出現(xiàn)故障，則對所述馬達施加使其位置向上的驅(qū)
動信號。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:1)在現(xiàn)有的馬達驅(qū)動電路基礎(chǔ)上，再設置一套與馬達相連的檢測電路，以備馬達在某一位置被鎖定，原有的馬達驅(qū)動電路無法驅(qū)動而非馬達自身性能失效后，不打開密封腔，采用額外設置的檢測電路對馬達進行驅(qū)動。2)可選方案中，額外設置的檢測電路包括信號施加裝置，該信號施加裝置可以設置在密封腔內(nèi)，也可以設置在密封腔外，相對于設置在密封腔內(nèi)，設置在腔外的方案可以在額外的信號施加裝置故障情況下，避免打開該密封腔對其進行維修或更換，提高了效率。3)可選方案中，上述檢測電路可以針對多個工藝中設置在密封腔內(nèi)轉(zhuǎn)載基片的馬達，例如刻蝕工藝、光刻工藝、離子注入工藝、或薄膜生長工藝，應用范圍廣。4)可選方案中，所述信號施加裝置可以針對特定馬達，設置較為簡單，例如為直流電源，也可以兼容多種馬達的鎖定情況，例如為DSP。5)可選方案中，針對現(xiàn)有技術(shù)中使用廣的需直線驅(qū)動基片承載臺的情況，該驅(qū)動馬達為直線馬達。6)可選方案中，采用檢測電路對所述馬達施加驅(qū)動信號前，還對所述馬達施加與驅(qū)動信號相反的信號并測量所述馬達的輸出電流；若所述輸出電流接近零，則判斷馬達性能失效，反之，馬達在某一位置(一般為馬達行程的端頭)被鎖定，在驅(qū)動信號的驅(qū)動下，馬達可以回位。


圖1是本發(fā)明實施例一的馬達檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是一種采用圖1的檢測裝置檢測馬達性能的方法的流程圖；圖3是另一種采用圖1的檢測裝置檢測馬達性能的方法的流程圖；圖4是本發(fā)明實施例二的馬達檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有的半導體工藝中，由于馬達設置在密封腔內(nèi)，因而針對某些馬達被鎖定誤判為性能失效的情況，通常需打開密封腔以進行檢測，上述打開密封腔需中斷制程，耗時且麻煩。針對上述問題，本發(fā)明提出在現(xiàn)有的馬達驅(qū)動電路基礎(chǔ)上，再設置一套與馬達相連的檢測電路，以備馬達在某一位置臨時被鎖定而非馬達自身性能失效后，不打開密封腔，采用額外設置的檢測電路對馬達進行驅(qū)動。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。由于本發(fā)明重在解釋原理，因此，未按比例制圖。實施例一如圖1所示，本發(fā)明提供的馬達檢測裝置包括:密封腔20 ；設置在所述密封腔20內(nèi)的基片承載臺21 ；用于驅(qū)動所述基片承載臺21的馬達22 ；
與所述馬達22相連的檢測電路23，用于在所述馬達22故障時判斷所述馬達22的性能是否失效。以下分別對各部件進行介紹。在半導體工藝中，由于多個工序需在密封腔20內(nèi)進行，例如刻蝕工藝、光刻工藝、離子注入工藝、或薄膜生長工藝，因而該密封腔20內(nèi)的馬達，都可能出現(xiàn)鎖定狀態(tài)被誤判為性能失效的狀態(tài)，即馬達22呈現(xiàn)性能故障可能有兩方面的原因:1)馬達22處于鎖定狀態(tài)，暫時故障；2)馬達22的性能失效。上述工藝對應的腔室內(nèi)的馬達都可能出現(xiàn)上述故障，至于是暫時鎖定還是性能失效都可以采用本發(fā)明中的檢測裝置及檢測方法。基片承載臺21，可以為現(xiàn)有的基片承載臺21，該基片承載臺21上還可以設置基片夾持裝置，例如靜電吸盤等。馬達22，可以為現(xiàn)有的驅(qū)動基片承載臺21的馬達，現(xiàn)有使用較多的，為直線馬達。馬達22具有實現(xiàn)其轉(zhuǎn)載基片的驅(qū)動電路(圖1未圖示)，該驅(qū)動電路為現(xiàn)有技術(shù)，其具體電路各模塊及部件參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。正常情況下，該驅(qū)動電路驅(qū)動馬達22，在馬達22的行程端頭被鎖定的情況下或馬達22出現(xiàn)性能失效情況下，該驅(qū)動電路無法正常驅(qū)動馬達22。此時，需采用額外設置的檢測電路23進行檢測。

該檢測電路23與馬達22電連接，用于對馬達22施加額外的電信號。優(yōu)選地，該檢測電路23包括信號施加裝置231，信號施加裝置231為檢測電路23的核心部件。由于馬達設置在密封腔20內(nèi)，因而該檢測電路23的信號施加裝置231可以設置在密封腔20內(nèi)。在具體實施過程中，所述信號施加裝置231可以針對特定馬達22，設置較為簡單，例如為直流電源，也可以兼容多種馬達22，例如為單片機(DSP)，通過不同編程信號對多種馬達22的鎖定情況進行判斷。可以理解的是，上述馬達的檢測裝置，在現(xiàn)有的馬達22驅(qū)動電路基礎(chǔ)上，再設置一套與馬達22相連的檢測電路23，以備原有的馬達22驅(qū)動電路失效而非馬達22自身性能失效后，不打開密封腔20，采用額外設置的檢測電路23對馬達進行驅(qū)動，如此，也提高了效率。針對上述馬達的檢測裝置，本發(fā)明還提供了一種使用上述檢測裝置檢測馬達22性能的方法，如圖2所示的流程圖，包括:當所述馬達22故障時，采用檢測電路23對所述馬達22施加驅(qū)動信號，若所述馬達22無響應，則判定所述馬達22的性能失效；反之，若馬達22有響應，在回位后，采用原有的驅(qū)動電路進行正常驅(qū)動。在具體實施過程中，如圖3所示的流程圖，在采用檢測電路23對所述馬達22施加驅(qū)動信號前，也可以先對馬達22施加與該驅(qū)動信號相反的信號，并測量馬達22在該相反信號下的輸出電流；若電流較大，例如大于某一數(shù)值，該數(shù)值可以根據(jù)經(jīng)驗進行設定，則判斷馬達22暫時被鎖定；若電流接近于零，則判斷馬達22性能失效。對于暫時鎖定的情況，再采用檢測電路23對馬達22施加驅(qū)動信號，此時，馬達22有響應，在回位后，采用原有的驅(qū)動電路進行正常驅(qū)動。—個實施例中，輸出電流大于0.13A,馬達22暫時被鎖定,在驅(qū)動信號驅(qū)動下，馬達22具有響應；輸出電流大約為0.0025A時，馬達22性能出現(xiàn)故障，在驅(qū)動信號驅(qū)動下，馬達22無響應，需重新更換新的馬達22。對所述馬達22施加的信號具體為，若馬達22在行程最高點出現(xiàn)故障，則對所述馬達22施加使其位置向下的驅(qū)動信號；若所述馬達22在行程最低點出現(xiàn)故障，則對所述馬達22施加使其位置向上的驅(qū)動信號。實施例二本實施例二提供的馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法大致與實施例一相同，區(qū)別在于:如圖4所示，檢測電路23的信號施加裝置231設置在密封腔20外。相對于設置在密封腔20內(nèi)，設置在腔外的方案可以在額外的信號施加裝置231故障情況下，避免打開該密封腔20對其進行維修或更換，進一步提高了效率。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施 例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種馬達的檢測裝置，包括: 密封腔； 設置在所述密封腔內(nèi)的基片承載臺； 用于驅(qū)動所述基片承載臺的馬達；其特征在于，還包括與所述馬達相連的檢測電路，用于在所述馬達故障時判斷所述馬達的性能是否失效。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述馬達為直線馬達。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測電路包括信號施加裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號施加裝置設置在所述密封腔的外部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號施加裝置為DSP或直流電源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述密封腔為刻蝕工藝腔、光刻工藝腔、離子注入工藝腔、或薄膜生長工藝腔。
7.一種使用上述權(quán)利要求1至6任一項所述的檢測裝置檢測馬達性能的方法，其特征在于，包括: 當所述馬達故障時，采用檢測電 路對所述馬達施加驅(qū)動信號，若所述馬達無響應，則判定所述馬達的性能失效。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測馬達性能的方法，其特征在于，采用檢測電路對所述馬達施加驅(qū)動信號前，還對所述馬達施加與驅(qū)動信號相反的信號并測量所述馬達的輸出電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測馬達性能的方法，其特征在于，所述馬達在行程最高點出現(xiàn)故障，則對所述馬達施加使其位置向下的驅(qū)動信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測馬達性能的方法，其特征在于，所述馬達在行程最低點出現(xiàn)故障，則對所述馬達施加使其位置向上的驅(qū)動信號。
全文摘要
現(xiàn)有的半導體工藝中，由于馬達設置在密封腔內(nèi)，因而針對某些馬達被鎖定誤判為性能失效的情況，通常需打開密封腔以進行檢測，上述打開密封腔需中斷制程，耗時且麻煩。針對上述問題，本發(fā)明提出一種馬達的檢測裝置及檢測馬達性能的方法，在現(xiàn)有的馬達驅(qū)動電路基礎(chǔ)上，再設置一套與馬達相連的檢測電路，以備馬達在某一位置臨時被鎖定而非馬達自身性能失效后，不打開密封腔，采用額外設置的檢測電路對馬達進行驅(qū)動。
文檔編號G01R31/34GK103235258SQ20131009566
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月22日
發(fā)明者戴正雨, 曹圣豪, 王磊 申請人:上海宏力半導體制造有限公司