用于放大射頻信號的裝置和方法
【專利摘要】本發明提供了一種用于放大射頻信號的裝置和方法以及一種包括所述裝置的MRI系統。本發明的一個方面提出了一種用于放大射頻(RF)信號的裝置，其包括：磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器(10)，其用于將不平衡格式的所述RF信號轉換成平衡信號；至少兩組MOSFET，每組包括至少一個MOSFET(30、40)，所述至少兩組MOSFET分別用于以推拉方式放大所述平衡信號；磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器(60)，其用于將經放大的平衡信號轉換成不平衡格式；磁不敏感輸入匹配網絡(20、20’)，其用于將所述至少兩組MOSFET的輸入阻抗與所述磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器(10)的輸出阻抗進行匹配；磁不敏感輸出匹配網絡(50、50’)，其用于將所述至少兩組MOSFET的輸出阻抗與所述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器(60)的輸入阻抗進行匹配；磁不敏感保護電路(70、70’)，其用于保護直流(DC)電源不受經放大的平衡信號的影響，所述直流(DC)電源提供DC以用于驅動所述至少兩組MOSFET。所提出的裝置不僅具有高功率輸出而且是磁不敏感的，使得其能夠在諸如MRI掃描器室的強磁場的環境中操作。
【專利說明】用于放大射頻信號的裝置和方法
【技術領域】
[0001] 本公開總體上涉及磁共振成像（MRI)系統，并且更具體地涉及用于放大射頻（RF) 信號的技術。
【背景技術】
[0002] MRI，作為一種醫學成像技術，利用核磁共振（NMR)的性質以對身體內部的原子的 原子核成像。在MRI系統中，生成強磁場以將身體中的特定原子的原子核的磁化對齊，并且 可以引入射頻場以系統地更改該磁化的對齊。這令原子核產生能由掃描器檢測到的旋轉磁 場，并且關于該旋轉磁場的這種信息被記錄以構造身體的被掃描區域的圖像。
[0003] 如圖1所示，在MRI系統中，生成強磁場的主磁體被設置在掃描器室（S卩，磁體 室）11中。在MRI系統中使用的大多數電子設備14,包括用于生成射頻場的RF放大器，應 被放置在單獨的室（即，技術室）12中，從而保護這些電子設備不受強磁環境的影響。磁體 室11應由RF籠13屏蔽以進一步地保護這些電子設備14不受強磁場的影響。由在技術室 12中的RF放大器生成的RF信號通常通過在磁體室11的墻壁中的孔15經由長線纜被傳送 到主磁體，該長線纜可能造成巨大損耗，導致MRI的成本高。
[0004] 因此，現有技術需要在MRI系統中有效地提供RF信號的技術。
【發明內容】
[0005] 本文描述了用于在MRI系統中有效地提供RF信號的技術。在一個方面中，提供 了一種用于放大射頻（RF)信號的裝置，其包括：磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)， 其用于將不平衡格式的所述RF信號轉換成平衡信號；至少兩組M0SFET，每組包括至少一 個M0SFET (30、40)，所述至少兩組M0SFET分別用于以推拉方式放大平衡信號；磁不敏感輸 出平衡-不平衡轉換器出〇)，其用于將經放大的平衡信號轉換成不平衡格式；磁不敏感輸 入匹配網絡（20、20'），其用于將所述至少兩組M0SFET的輸入阻抗與所述磁不敏感輸入平 衡-不平衡轉換器（10)的輸出阻抗進行匹配；磁不敏感輸出匹配網絡（50、50'），其用于將 所述至少兩組M0SFET的輸出阻抗與所述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器（60)的輸入阻 抗進行匹配；以及磁不敏感保護電路（70、70'），其用于保護直流（DC)電源不受經放大的平 衡信號的影響，所述直流（DC)電源提供DC以用于驅動所述至少兩組M0SFET。
[0006] 在一個設計中，磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)和磁不敏感輸出平衡-不 平衡轉換器出〇)兩者都不使用任何磁敏感材料，例如鐵氧體；磁不敏感輸入匹配網絡（20、 20'）和磁不敏感輸出匹配網絡（50、50'）兩者都不使用磁敏感部件，例如電感器、鐵氧體變 壓器以及RF扼流線圈。由于在MRI系統中沒有包含磁敏感部件的事實，所以，所述裝置可 以在諸如掃描器室的強磁場環境中操作。
[0007] 在另一方面中，提供了一種包括根據本發明的以上方面所述的裝置的磁共振成像 (MRI)系統。
[0008] 在另一方面中，提供了一種放大射頻（RF)信號的方法，其包括：由磁不敏感輸入 平衡-不平衡轉換器（10)將不平衡格式的所述RF信號轉換成平衡信號；由磁不敏感輸入 匹配網絡（20、20'）將至少兩組MOSFET的輸入阻抗與所述磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換 器（10)的輸出阻抗進行匹配；由所述至少兩組MOSFET以推拉方式放大所述平衡信號，所述 至少兩組MOSFET的每組包括至少一個M0SFET(30、40);由磁不敏感輸出匹配網絡（50、50，） 將所述至少兩組MOSFET的輸出阻抗與磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器（60)的輸入阻抗 進行匹配；由所述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器￠0)將經放大的平衡信號轉換成不平 衡格式；其中，可以由磁不敏感保護電路（70、70'）從直流（DC)電源阻擋經放大的平衡信 號，所述直流（DC)電源提供DC以用于驅動所述至少兩組MOSFET。
[0009] 下文將進一步詳細地描述本公開的各方面和特征。并且，參考結合附圖進行的描 述，本發明的其他目的和優點將變得更加顯而易見并將容易理解。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010] 將結合實施例并參考附圖，在下文中更詳細地描述和解釋本公開，其中：
[0011] 圖1是醫院中MRI系統的布局圖；
[0012] 圖2示出了 RF放大器的結構；
[0013] 圖3是放大射頻信號的方法的流程圖；
[0014] 圖4示出了 RF放大器的另一結構；并且
[0015] 圖5示出了 RF放大器的另一結構。
[0016] 在各圖中的相同附圖標記指示類似或對應的特征和/或功能。
【具體實施方式】
[0017] 將相對于具體實施例并參考特定附圖描述本發明，但本發明不限于此，而僅由權 利要求限制。描述的附圖僅是示意性的而非限制性的。在附圖中，元件中的一些的尺寸可 能被夸大并出于說明性目的不是按比例繪制的。
[0018] 圖2示出了用于放大射頻信號的裝置的結構，例如RF放大器100的結構。RF放大 器100包括磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10、磁不敏感輸入匹配網絡、兩組MOSFET、磁 不敏感輸出匹配網絡、磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60以及磁不敏感保護電路。
[0019] 磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10被提供以用于將不平衡格式的RF信號轉換 成平衡信號，并且磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60被提供以用于將平衡信號轉換成不 平衡格式。磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10和磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60 兩者都不使用任何磁敏感材料，例如鐵氧體。代替包括磁敏感材料的同軸傳輸線變壓器，磁 不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10和磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60中的每個可以 是平面磁不敏感平衡-不平衡轉換器。在一個范例設計中，其具有平面結構，該平面結構具 有由印刷電路板（PCB)技術形成的空心傳輸線。
[0020] 在一個設計中，平面結構包括分別形成在PCB基底的頂層上和底層上的兩個線 圈。在頂層上的線圈具有兩個平行條帶作為平衡端口，其中，所述兩個平行條帶被相對于線 圈的主體對稱地設置并由狹縫分開。在頂層上的線圈的中心有一個孔口，并且在頂層上的 線圈足夠大以覆蓋在底層上的線圈。可以操作頂層的線圈和底層的線圈以在特定工作頻率 處共振。
[0021] 在另一設計中，代替在頂層上的線圈的中心的孔口，在平面結構的頂層上的線圈 的主體具有在這兩個平行條帶之間的狹縫的擴展部分。該類型的平面平衡-不平衡轉換器 的更加詳細的描述例如公開于由皇家飛利浦有限公司于2010年12月24日提交的、名稱為 "A planar balun"的專利（中國專利序列號201020689207.1)中，通過引用將該專利的公 開內容并入本文。具有這種平面結構的平衡-不平衡轉換器由于插入損耗/返回損耗的優 點可以有效地操作并可以更適于在強磁場環境中操作。
[0022] 如圖2所示，兩組M0SFET中的每組包括一個M0SFET，即M0SFET30和M0SFET40。磁 不敏感輸入匹配網絡，在一個設計中，包括分別對應于M0SFET30和M0SFET40的兩個輸入匹 配電路20和20'。兩個輸入匹配電路20和20'可以具有類似的或不同的結構。在一個設 計中，輸入匹配網絡20包括微條帶線A并且輸入匹配網絡20'包括微條帶線B。微條帶線 A和B能夠通過PCB技術形成。微條帶線A的尺寸和微條帶線B的尺寸兩者都可以被確定 尺寸以使得這兩個M0SFET30和40的輸入阻抗能夠與磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10 的輸出阻抗相匹配。
[0023] 或者，在另一設計中，磁不敏感輸入匹配網絡可以包括一個輸入匹配電路，一個輸 入匹配電路例如是包括一組微條帶線的封裝電路，以用于將兩組M0SFET的輸入阻抗與磁 不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10的輸出阻抗進行匹配。
[0024] 類似地，磁不敏感輸出匹配網絡可以包括分別對應于M0SFET30和M0SFET40的兩 個輸出匹配電路50和50'。輸出匹配網絡50包括微條帶線C并且輸出匹配網絡50'包括 微條帶線D。微條帶線C和D也能夠通過PCB技術形成。微條帶線C的尺寸或微條帶線D 的尺寸的任意都可以被確定尺寸以使得兩個M0SFET30和40的輸出阻抗能夠與磁不敏感輸 出平衡-不平衡轉換器60的輸入阻抗相匹配。
[0025] 或者，在另一設計中，磁不敏感輸出匹配網絡可以包括一個輸出匹配電路，一個輸 出匹配電路例如是包括一組微條帶線的封裝電路，以用于將兩組M0SFET的輸出阻抗與磁 不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60的輸入阻抗進行匹配。
[0026] 如圖2所示，磁不敏感輸入匹配網絡和磁不敏感輸出匹配網絡兩者都不使用磁敏 感部件，例如電感器、鐵氧體變壓器以及RF扼流線圈。所以，在RF放大器100中有線性匹 配網絡。線性匹配網絡中的損耗可以是低的并且可以改進RF放大器100的性能。
[0027] 磁不敏感保護電路被提供以用于保護直流（DC)電源不受由兩組M0SFET輸出的平 衡信號的影響。DC電源用于驅動兩組M0SFET中的M0SFET。在一個設計中，磁不敏感保護 電路可以包括分別對應于兩組M0SFET (即M0SFET30和M0SFET40)的兩個子電路70和70 '。 兩個子電路70和70'可以具有類似的或不同的結構。
[0028] 在一個設計中，子電路70可以包括條帶線E和電容器C1，并且子電路70'可以包 括條帶線F和電容器C2。條帶線E (例如，尺寸）、電容器C1 (例如，電容）以及微條帶線 C (例如，尺寸）可以被確定尺寸以形成RF接地，這樣由M0SFET30輸出的平衡信號不會被饋 送至DC電源。條帶線F(例如，尺寸）、電容器C2(例如，電容）以及微條帶線D(例如，尺 寸）可以被確定尺寸以形成RF接地，這樣由M0SFET40輸出的平衡信號不會被饋送至DC電 源。
[0029] 或者，在另一設計中，磁不敏感保護電路可以包括一個保護電路，保護電路例如 是包括分別對應于兩組M0SFET的兩組條帶線和兩組電容器的封裝電路。對應于相同組 MOSFET的條帶線、電容器以及微條帶線可以被確定尺寸以形成RF接地以使得由對應組的 M0SFET輸出的平衡信號能夠被饋送至RF接地，這樣可以相應地保護DC電源不受平衡信號 的影響。
[0030] 在另一設計中，子電路70和70'中的任何一個還可以包括用于改進RF阻擋性能 的線纜。例如，被放置在DC電源與電容器C1之間的線纜L可以與條帶線E、電容器C1以及 微條帶線C 一起操作以用于從DC電源阻擋由M0SFET30輸出的平衡信號。在一個設計中， 該線纜可以是特定長度的雙絞線纜。
[0031] 與現有技術中平衡信號中的RF能量由作為開放電路的RF扼流圈（或鐵氧體扼流 圈）阻擋相比，磁不敏感保護電路不使用任何磁敏感材料。也就是說，提供了如在以上設計 中描述的與磁不敏感保護電路相關聯的緊湊的RF接地技術。RF放大器100中的RF接地技 術和分布式感應電源線與現有技術中的RF扼流圈發揮相同作用。因為大的磁敏感RF扼流 圈不再使用，所以RF放大器的體積是小的并且可以實現緊湊的MRI系統。
[0032] 圖3示出了由用于放大射頻（RF)信號的RF放大器（例如，在圖2中示出的RF放 大器100)執行的方法的流程圖。
[0033] RF信號被施加到磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10的不平衡端口。磁不敏感 輸入平衡-不平衡轉換器10將RF信號（S卩，單端的）轉換成平衡信號（S卩，差分信號） (框10)。平衡信號被供應到磁不敏感輸入匹配網絡。在一個設計中，輸入匹配電路20和 20'被提供在磁不敏感輸入匹配網絡中，以用于將兩組MOSFET的輸入阻抗分別與磁不敏感 輸入平衡-不平衡轉換器10的輸出阻抗進行匹配（框20)。在一個設計中，每組MOSFET包 括一個M0SFET，例如如圖2所示的M0SFET30和40。M0SFET30和40可以以推拉方式放大該 平衡信號（框30)。因為該平衡信號是差分信號，所以M0SFET30和40可以選擇相同類型的 MOSFET〇
[0034] 由M0SFET30和40輸出的經放大的平衡信號被供應到磁不敏感輸出匹配網絡。 在一個設計中，輸出匹配電路50和50'被提供在磁不敏感輸出匹配網絡中，以用于將 M0SFET30和40的輸出阻抗分別與磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60的輸入阻抗進行匹 配（框40)。磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器60將經放大的平衡信號轉換成不平衡格式 (框 50)。
[0035] 除了被供應到磁不敏感輸出匹配網絡之外，由M0SFET30和40輸出的經放大的平 衡信號可以由磁不敏感保護電路（例如，圖2中示出的子電路70和70'）從DC電源（在圖 3中未示出）阻擋。
[0036] 圖4示出了用于放大RF信號的裝置（例如，RF放大器200)的另一結構。在該 設計中，兩組MOSFET中的每組包括兩個MOSFET。具體而言，第一組MOSFET可以包括兩個 M0SFET35,并且第二組MOSFET可以包括兩個M0SFET45。對應地，輸入匹配電路20包括兩個 微條帶線A，并且輸入匹配電路20'包括兩個微條帶線B。RF放大器200還包括兩個分裂器 32、42。在該范例設計中，分裂器32和42中的每個可以是功率分裂器。由磁不敏感輸入平 衡-不平衡轉換器10輸出的平衡信號由分裂器32、42分割并被分別供應到輸入匹配電路 20和輸入匹配電路20'。在該設計中，由分裂器32分割的平衡信號可以通過兩個微條帶線 A與兩個M0SFET35的對應輸入阻抗相匹配，并且由分裂器42分割的平衡信號可以通過兩個 微條帶線B與兩個M0SFET45的對應輸入阻抗相匹配。
[0037] 在另一設計中，兩組M0SFET中的每組可以包括超過兩個M0SFET。兩個分裂器32 和42中的每個應根據每組M0SFET中的M0SFET的數量將由磁不敏感輸入平衡-不平衡轉 換器10輸出的平衡信號分割，從而將所分割的平衡信號分布到兩組M0SFET中的每組。對 應于兩組M0SFET中的每組中的M0SFET的數量，輸入匹配電路20應包括一組微條帶線A，并 且輸入匹配電路20'應包括一組微條帶線B。微條帶線A和B中的每個被提供以使得所分 割的平衡信號中的每個能夠與兩組M0SFET中的對應M0SFET的輸入阻抗相匹配。
[0038] 由圖4中示出的RF放大器200執行的方法類似于由圖2中的RF放大器100執行 的方法。RF放大器200的方法還包括由兩個分裂器32、42分割平衡信號的步驟以及將所分 割的平衡信號供應到輸入匹配電路20和20'以使得所分割的平衡信號的每個能夠與兩組 M0SFET中的對應M0SFET的輸入阻抗相匹配的步驟。
[0039] 圖5示出了用于放大RF信號的裝置（例如，RF放大器300)的另一結構。在該 設計中，兩組M0SFET中的每組包括兩個M0SFET。具體而言，第一組M0SFET可以包括兩個 M0SFET35,其中，兩個M0SFET35的柵極、漏極是并聯連接的，并且第二組M0SFET可以包括 兩個M0SFET45,其中，兩個M0SFET45的柵極、漏極也是并聯連接的。相應地，輸入匹配電路 20可以包括一個微條帶線A，并且輸入匹配電路20'可以包括一個微條帶線B，以使得兩組 M0SFET的輸入阻抗分別能夠與磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10的輸出阻抗相匹配。
[0040] 通過利用圖5中示出的并聯柵極結構，即兩個M0SFET35和45的柵極和漏極分別 并聯連接，由90°混合或功率分裂器引入的潛在的信號不平衡可以被去除并且因此磁不敏 感輸入匹配網絡的調試變得容易。此外，在圖5中示出的并聯柵極結構中，微條帶線A和/ 或微條帶線B的寬度可以被加倍，并且特性阻抗可以被相應地減小。另外，微條帶線A的長 度和/或微條帶線B的長度可以被確定尺寸，從而作為具有低Q因子的電感器而操作，以避 免輸入匹配網絡中的振蕩。在一個范例設計中，在磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器10是 4:1平衡-不平衡轉換器的情況下，容易將并聯M0SFET的輸入阻抗與該4:1平衡-不平衡 轉換器的輸出阻抗相匹配。
[0041] 由圖5中示出的RF放大器300執行的方法類似于由圖2中的RF放大器執行的方 法，并因此被省略。
[0042] 用于放大RF信號的裝置的結構不應限于以上提到的RF放大器的結構。對于本領 域的技術人員顯而易見的是，所主張的本發明的各方面可以被實踐在脫離這些具體細節的 其他范例中。
[0043] 在范例設計中，可以提供超過兩組M0SFET以用于放大平衡信號。可以需要一個或 多個分裂器以用于將平衡信號分布到每組M0SFET，并且相應地可以調整磁不敏感輸入匹配 網絡（例如，一個或多個微條帶線）。在范例設計中，微條帶線（例如，微條帶線A、B、C和 D)和條帶線（例如，條帶線E和F)被形成為銅箔并由PCB技術制造。
[0044] 由于諸如用于輸入/輸出平衡-不平衡轉換器的磁敏感材料、包含于輸入/輸出 匹配網絡中的電感器或鐵氧體變壓器以及RF扼流線圈的所有磁敏感部件被從RF放大器中 去除，因此包括RF放大器的MRI系統可以與強磁場兼容。通過利用線性輸入/輸出匹配網 絡可以減少損耗。包括輸入/輸出平衡-不平衡轉換器的平面結構、由PCB技術形成的微 條帶線（例如，微條帶線A、B、C和D)和條帶線（例如，條帶線E和F)的完全平面結構允許 RF放大器的示意性布局被簡化。這樣，RF放大器可以更加緊湊并且能夠容易地被再生產。 RF放大器的成本相應低。
[0045] 應注意的是，上述提到的實施例說明但不限制本發明，并且本領域的技術人員將 能夠在不脫離權利要求書的范圍的情況下設計備選實施例。在權利要求中，被放置在括號 內的任何附圖標記不得被解釋為對權利要求的限制。詞語"包括"不排除未在權利要求或說 明書中列出的元件或步驟的存在。在元件前的詞語"一"或"一個"不排除多個這樣的元件 的存在。在列舉若干單元的系統權利要求中，這些單元中的若干能夠由同一項軟件和/或 硬件實現。詞語第一、第二和第三等的使用不指示任何順序。這些詞語應被解讀為名稱。
【權利要求】
1. 一種用于放大射頻（RF)信號的裝置，包括： 磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)，其用于將不平衡格式的所述RF信號轉換成平 衡信號； 至少兩組MOSFET，每組包括至少一個MOSFET (30、40)，所述至少兩組MOSFET分別用于 以推拉方式放大所述平衡信號； 磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器￠0)，其用于將經放大的平衡信號轉換成不平衡格 式； 磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'），其用于將所述至少兩組MOSFET的輸入阻抗與所述 磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)的輸出阻抗進行匹配； 磁不敏感輸出匹配網絡（50、50'），其用于將所述至少兩組MOSFET的輸出阻抗與所述 磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器（60)的輸入阻抗進行匹配；以及 磁不敏感保護電路（70、70'），其用于保護直流（DC)電源不受經放大的平衡信號的影 響，所述直流（DC)電源提供DC以用于驅動所述至少兩組MOSFET。
2. 如權利要求1所述的裝置，其中，每組MOSFET包括兩個或更多個MOSFET (35、45)，并 且所述裝置還包括： 至少兩個分裂器（32、42)，其用于分割所述平衡信號并將所分割的平衡信號供應到所 述磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'）以使得所分割的平衡信號中的每個能夠與所述兩組 MOSFET中的對應MOSFET (35、45)的所述輸入阻抗相匹配。
3. 如權利要求1所述的裝置，其中，每組MOSFET包括兩個或更多個M0SFET(35、45);并 且所述兩個或更多個M0SFET(35、45)的柵極、漏極分別是并聯連接的。
4. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)和所 述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器￠0)中的任何一個是平面磁不敏感平衡-不平衡轉 換器
5. 如權利要求4所述的裝置，其中，所述平面磁不敏感平衡-不平衡轉換器的頂層上的 線圈的主體具有處于所述頂層上的所述線圈的兩個條帶之間的狹縫的擴展部分。
6. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'）包括至少 兩組微帶線（A、B)，每組對應于所述至少兩組MOSFET中的一組，以用于將所述至少兩組 MOSFET的所述輸入阻抗分別與所述磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)的所述輸出阻 抗進行匹配。
7. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述磁不敏感輸出匹配網絡（50、50'）包括至少 兩組微條帶線（C、D)，每組對應于所述至少兩組MOSFET中的一組，以用于將所述至少兩組 MOSFET的所述輸出阻抗分別與所述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器￠0)的所述輸入阻 抗進行匹配。
8. 如權利要求7所述的裝置，其中，所述磁不敏感保護電路（70、70'）包括分別對應于 所述至少兩組MOSFET的至少兩個條帶線（E、F)和至少兩組電容器（C1、C2);對應于相同組 MOSFET的所述條帶線（E或F)、所述電容器（C1或C2)以及所述微條帶線（C或D)被確定 尺寸以形成RF接地，從而使得經放大的平衡信號能夠被饋送至所述RF接地。
9. 如權利要求8所述的裝置，其中，所述磁不敏感保護電路（70、70'）還包括分別連接 所述至少兩組電容器（Cl、C2)和所述DC電源的至少兩個線纜，每個線纜與所述條帶線（E 或F)、所述電容器（Cl或C2)以及所述微條帶線（C或D) -起操作以用于從所述DC電源阻 擋經放大的平衡信號。
10. 如權利要求6、7和8中的任一項所述的裝置，其中，所述微條帶線（A、B、C、D)和/ 或所述條帶線（E、F)能夠通過印刷電路板（PCB)技術形成。
11. 一種磁共振成像（MRI)系統，包括根據權利要求1至10中的任一項所述的用于放 大射頻（RF)信號的裝置。
12. -種放大射頻（RF)信號的方法，包括： 由磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)將不平衡格式的所述RF信號轉換成平衡信 號； 由磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'）將至少兩組MOSFET的輸入阻抗與所述磁不敏感輸 入平衡-不平衡轉換器（10)的輸出阻抗進行匹配； 由所述至少兩組MOSFET以推拉方式放大所述平衡信號，所述至少兩組MOSFET的每組 包括至少一個MOSFET (30、40); 由磁不敏感輸出匹配網絡（50、50'）將所述至少兩組MOSFET的輸出阻抗與磁不敏感輸 出平衡-不平衡轉換器（60)的輸入阻抗進行匹配； 由所述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器￠0)將經放大的平衡信號轉換成不平衡格 式；并且 其中，由磁不敏感保護電路（70、70'）從直流（DC)電源阻擋經放大的平衡信號，所述直 流（DC)電源提供DC以用于驅動所述至少兩組MOSFET。
13. 如權利要求12所述的方法，其中，每組MOSFET包括兩個或更多個MOSFET (35、45)， 并且所述方法還包括： 由至少兩個分裂器（32、42)分割所述平衡信號；并且 將所分割的平衡信號供應到所述磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'）以使得所分割的平 衡信號中的每個能夠與所述兩組MOSFET中的對應M0SFET(35、45)的所述輸入阻抗相匹配。
14. 如權利要求12所述的方法，其中，每組MOSFET包括兩個或更多個MOSFET (35、45); 并且所述兩個或多個MOSFET (35、45)的柵極、漏極分別是并聯連接的。
15. 如權利要求12所述的方法，其中，所述磁不敏感輸入平衡-不平衡轉換器（10)、所 述磁不敏感輸出平衡-不平衡轉換器（60)、磁不敏感輸入匹配網絡（20、20'）、磁不敏感輸 出匹配網絡（50、50'）以及磁不敏感保護電路（70、70'）中的任何一個能夠通過PCB技術 形成。
【文檔編號】G01R33/36GK104145191SQ201380012275
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年2月20日 優先權日:2012年3月2日
【發明者】曾克秋, Y·劉, T·王 申請人:皇家飛利浦有限公司
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