国产自产21区,亚洲97,免费毛片网,国产啪视频,青青青国产在线观看,国产毛片一区二区三区精品

一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法
【專利摘要】本發明公開了一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法，該方法通過將黑索金粗品顆粒精制，確定取樣長度和評定長度，測量待測樣品的表面粗糙度，計算輪廓算術平均偏差平均值與輪廓算術平均偏差示值誤差，最后報告與表示。本發明采用光學法進行測試，實現了無損、非接觸測試，量化黑索金顆粒表面粗糙度值，以此分析和評價高品質黑索金。
【專利說明】一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于炸藥領域，涉及黑索金，具體涉及一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法。
【背景技術】
[0002]對于表面粗糙度的檢測和評定，最早人們是用標準樣件或樣塊，通過經驗(眼觀或手摸)對表面粗糙度做出定性檢測和評定。1929年，德國施馬爾茨首先對表面微觀不平整度的深度進行了測量。1936年美國艾爾特成功研制出第一臺車間用的表面粗糙度輪廓儀。1940年英國泰勒-浩博森公司成功研制出表面粗糙度測量儀。之后，各國相繼研制出多種測量表面粗糙度的儀器。目前產品化的表面粗糙度測量儀器中，一般可以劃分為接觸式與非接觸式兩種。其中接觸式以觸針輪廓儀為代表，非接觸式測量以光學測量占主導。
[0003]激光共聚焦顯微鏡是今年來發展起來的一種新型顯微鏡，與普通光學顯微鏡相比具有更高的分辨率和放大倍數，可以對待測樣品進行分層掃描，實現樣品的三維重建和測量分析。該術已在食品、生物醫藥等方面得到了廣泛的應用，利用該技術研究了形態學、分子細胞生物學、神經學、藥理學、遺傳學、食品組織形態等。
[0004]單質炸藥晶體微表面形貌影響其在火炸藥中的加工性能、微觀力學性能，進而影響裝藥安全性。同時，單質炸藥晶體微表面“鋸齒”形狀影響其與高分子材料的潤濕性能和微界面作用，進而影響工藝流變性能。粗糙的微表面也是“熱點”產生的原因之一。因此有效表征單質炸藥晶體微表面為高品質單質炸藥的評定、單質炸藥晶體的包覆提供技術支持。
[0005]迄今現有技術中未見單質炸藥微表面粗糙度測試方法，特別是共聚焦顯微鏡用于單質炸藥表面粗糙度測量的報道。

【發明內容】

[0006]針對現有技術存在的缺陷與不足，本發明的目的是提供一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法，以解決現有分析方法無法解決的黑索金黑索金表面粗糙度的表征問題。
[0007]為了實現上述技術任務，本發明采用如下技術方案予以實現:
[0008]一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法，該方法包括以下步驟:
[0009]步驟一，將黑索金粗品顆粒精制，具體的精制過程如下所述:
[0010]25°C時，在攪拌狀態下，將黑索金均分五次加入丙酮中，黑索金與丙酮之間的質量比為40:100，待黑索金完全溶解后，降溫至-10°C，有晶體析出，過濾，干燥，得到精制后的黑索金顆粒；
[0011]步驟二,確定取樣長度Lw=0.1mm,評定長度LiTse=0.3mm ;
[0012]步驟三，測量待測樣品的表面粗糙度:
[0013]使用激光共聚焦顯微鏡測量每一個待測樣品的表面粗糙度，進行測試時，首先采用LED冷光源白光進行照射，鏡頭放大倍數為5倍，調整視場后換至50倍放大鏡頭，激光共聚焦顯微鏡中的激光光源采用激光能量為I毫瓦，激光波長為405nm的半導體激光光源，三維圖采集時選用1000層切片模式，圖像分辨率選用4096X4096 ;依據如下公式計算得出待測樣品的輪廓算術平均偏差:
【權利要求】
1.一種黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 步驟一，將黑索金粗品顆粒精制，具體的精制過程如下所述: 25°C時，在攪拌狀態下，將黑索金均分五次加入丙酮中，黑索金與丙酮之間的質量比為40:100，待黑索金完全溶解后，降溫至-10°C，有晶體析出，過濾，干燥，得到精制后的黑索金顆粒； 步驟二，確定取樣長度Ligw=0.1mm,評定長度LiTse=0.3mm ； 步驟三，測量待測樣品的表面粗糙度: 使用激光共聚焦顯微鏡測量每一個待測樣品的表面粗糙度，進行測試時，首先采用LED冷光源白光進行照射，鏡頭放大倍數為5倍，調整視場后換至50倍放大鏡頭，激光共聚焦顯微鏡中的激光光源采用激光能量為I毫瓦，激光波長為405nm的半導體激光光源，三維圖采集時選用1000層切片模式，圖像分辨率選用4096X4096 ;依據如下公式計算得出待測樣品的輪廓算術平均偏差:
2.如權利要求1所述的黑索金顆粒表面粗糙度檢測方法，其特征在于，步驟一所述的精制后的黑索金顆粒的粒度范圍是(0.5~5) X10_3m。
【文檔編號】G01B11/30GK103837101SQ201410012039
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年1月10日 優先權日:2014年1月10日
【發明者】張皋, 蔣忠亮, 陳智群, 周文靜, 徐敏, 王克勇, 高朗華, 蘇鵬飛, 任黎 申請人:西安近代化學研究所