計量系統以及方法
【專利摘要】提供了計量系統以及方法。所述計量系統包括：被配置成產生衍射受限光束的光源；變跡器，所述變跡器被配置成在照射光學器件的入射光瞳中使所述光束成形；光學元件，所述光學元件被配置成將所述衍射受限光束從所述變跡器定向到晶片上的光柵靶上的所述照射斑并且收集來自所述光柵靶的散射光；被配置成拒絕一部分所收集散射光的視場光闌；檢測器，所述檢測器被配置成檢測穿過所述視場光闌的散射光并且響應于檢測到的散射光生成輸出以使所述光柵靶由所述計量系統使用散射計量來測量；以及被配置成使用所述輸出來確定所述光柵靶的特性的計算機系統。
【專利說明】計量系統以及方法
[0001] 本申請是申請日為2010年9月1日、申請號為"201080039744. 4"、發明名稱為"計 量系統以及方法"的發明專利申請的分案申請。
[0002] 相關申請的奪叉引用
[0003] 本申請要求2009年9月3日提交的題為"多功能計量系統（Multifunction Metrology System) "的美國專利申請S/N. 61/239, 699,其如在本文中完全闡述一樣通過引 用結合于此。
【背景技術】
[0004] 1.發明領域
[0005] 本發明一般涉及計量系統以及方法。
[0006] 2.相關摶術的描沭
[0007] 以下描述和示例不因其包括在該部分中而被視為現有技術。
[0008] 在半導體制造工藝中的各個點對晶片執行計量處理，以確定晶片的各種特性，諸 如晶片上的經圖案化結構的寬度、在晶片上形成的膜的厚度、以及晶片的一層上的經圖案 化結構對晶片的另一層上的經圖案化結構的覆蓋。光學臨界尺寸（CD)計量當前使用光譜 散射計量（scatterometry)或角解析散射計量來執行。光學覆蓋計量使用成像方法或基于 散射計量的方法（光譜和角解析兩者）來執行。膜計量使用光譜橢圓計量（ellipsometry) 來執行。光譜橢圓計量的一個示例在Norton等人的美國專利No. 5, 859, 424中示出，其如 在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。
[0009] 然而，以上所述的當前使用的計量方法有許多缺點。例如，當前的光學CD計量方 法限于較大的光柵靶大小（例如，50微米乘以50微米）。類似地，基于散射計量的覆蓋方 法將最小的光柵單元大小限于15微米乘以15微米。舊方法的另一缺點是，基于散射計量 的覆蓋計量和基于成像的覆蓋計量在完全分開的平臺上實現。
[0010] 因此，開發沒有以上所述的一個或多個缺點的計量方法以及系統可能是有利的。
【發明內容】
[0011] 各個實施例的以下描述不應以任何方式被解釋為限制所附權利要求的主題。
[0012] 一個實施例涉及計量系統。該計量系統包括被配置成產生衍射受限光束的光源。 該計量系統還包括變跡器，該變跡器被配置成在照射光學器件的入射光瞳中以在晶片平面 中距照射斑（spot)的中心遠于1. 5微米的輻照度小于該斑的中心的峰值輻照度的ΚΓ6的 方式使光束成形。另外，該計量系統包括被配置成將衍射受限光束從變跡器定向到晶片上 的光柵靶上的照射斑并且收集來自光柵靶的散射光的光學元件。該計量系統還包括被配置 成拒絕一部分所收集散射光的視場光闌。該計量系統還包括檢測器，該檢測器被配置成檢 測穿過視場光闌的散射光并且響應于檢測到的散射光生成輸出以使光柵靶由計量系統使 用散射計量來測量。另外，該計量系統包括被配置成使用該輸出來確定光柵靶的特性的計 算機系統。該計量系統還可如本文中所描述地配置。
[0013] 另一實施例涉及計量方法。該計量方法包括在照射光學器件的入射光瞳中以在晶 片平面中距照射斑的中心遠于1. 5微米的輻照度小于該斑中心的峰值輻照度的ΚΓ6的方式 使衍射受限光束成形。該計量方法還包括將衍射受限光束定向到晶片上的光柵靶上的照射 斑。另外，該計量方法包括收集來自光柵靶的散射光。該計量方法還包括拒絕來自光柵靶的 一部分所收集散射光。該方法還包括在拒絕該部分所收集散射光之后檢測散射光。另外， 該方法包括響應于檢測到的散射光生成輸出。該方法還包括使用該輸出來確定光柵靶的特 性。
[0014] 以上所述方法的每一步驟可如本文中進一步描述地執行。以上所述的方法可包括 本文中所描述的任何其他方法的任何其他步驟。以上所述的方法可使用本文中所描述的任 何系統來執行。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015] 得益于優選實施例的以下詳細描述和基于參考附圖，本發明的其他優點將對本領 域技術人員變得顯而易見：
[0016] 圖1是示出計量系統的一個實施例的側視圖的示意圖。
[0017] 盡管本發明容許各種修改和替換形式，但其具體實施例作為示例在附圖中示出且 將在本文中詳細描述。這些附圖可能未按比例繪制。然而應當理解，本發明的附圖和詳細 描述并不旨在將本發明限于所公開的特定形式，相反，其意圖是覆蓋落在如所附權利要求 所限定的本發明的精神和范圍內的所有修改、等效方案以及替換方案。
【具體實施方式】
[0018] 現在轉到附圖，應當注意，附圖未按比例繪制。具體而言，附圖的某些元件的比例 被顯著地放大，以強調這些元件的特性。
[0019] 一個實施例涉及計量系統。該計量系統（或"計量工具"）預期在半導體器件生產 和相關應用中使用。本文中進一步描述的各個計量任務可在半導體或相關器件生產的各個 階段（諸如光刻和蝕刻）中執行。在一些實施例中，本文中所描述的計量系統可被集成到 半導體制造系統中，諸如光刻系統或蝕刻系統、或者以某些方式物理地、化學地、或機械地 更改晶片的任何其他系統。計量系統可被集成到半導體制造系統中，從而由半導體制造系 統對晶片執行的工藝中的一個步驟期間和/或在一個步驟之前、在一個步驟之前、或由半 導體制造系統對晶片執行的工藝的步驟之間，計量系統可測量晶片并確定晶片的特性，而 無需從半導體制造系統去除晶片（即，晶片設置在半導體制造系統內）。計量系統可如何集 成到半導體制造系統中的示例在Levy等人共有的美國專利No. 6, 891，627中描述并示出， 其如在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。
[0020] 圖1示出計量系統的一個實施例。該計量系統包括被配置成產生衍射受限光束的 光源。在一個實施例中，光源包括激光和單模光纖。以此方式，照射光束可使用通過單模光 纖的激光作為光源來生成。例如，如圖1所示，光源8可包括激光10、以及生成衍射受限光 束14的單模光纖12。這種光源實現照射斑（以及可能的衍射受限照射斑），該照射斑與本 文中進一步描述的變跡器一起實現對相對較小靶的計量。光源可生成只有一個波長的光 (即，單色光）、具有許多離散波長的光（即，多色光）、或具有多個波長的光（即，寬帶光）。 光源所生成的光可能具有任何合適的波長，諸如可見波長或約190nm至約900nm之間的任 何波長。光源還包括任何其他合適的光源，諸如白光源、紫外線（UV)激光、弧光燈、激光驅 動的光源（諸如從美國馬薩諸塞州沃本市的Energetiq技術公司購得的EQ-1000)、超連續 激光（寬帶激光）（諸如從美國新澤西州摩根維爾市NKT光子公司購得的Koheras Versa)、 或其某些組合。光源還可被配置成提供具有足夠亮度的光，該亮度在一些情況下可以是大 于約lWAnm cm2Sr)的亮度。該計量系統還可包括到光源的快反饋，用于穩定其功率和波 長。到光源的快反饋可如本文中進一步描述地配置。
[0021] 該計量系統還包括變跡器，該變跡器被配置成在照射光學器件的入射光瞳中以在 晶片平面中距照射斑的中心遠于1. 5微米的輻照度小于該斑中心的峰值輻照度的ΚΓ6的方 式使光束成形。例如，如圖1所示，計量系統可包括置于光源所生成的衍射受限光束的路徑 中的變跡器16。變跡器可置于計量系統的照射光瞳中。變跡一般可被定義為更改光學系統 的入射光瞳中的光分布（例如，使用掩模來更改照射光束的幅值和/或相位），由此改變照 射光束的強度分布曲線。在本情況下，變跡器被配置成將照射斑的"尾部"（例如，照射斑中 距照射斑的中心大于1. 5微米的部分）中的輻照度減小到小于峰值輻照度的ΚΓ6,由此減 少所謂的信號污染。將這種變跡器包括在本文中所描述的計量系統中是可對相對較小的光 柵靶實現計量的特征之一。
[0022] 該計量系統還包括光學元件，這些光學元件被配置成將光束從變跡器定向到晶片 上的光柵靶上的照射斑并且收集來自光柵靶的散射光。例如，在圖1所示的實施例中，光學 兀件可包括折射光學兀件18和20、分束器22、折射光學兀件24、分束器26、具有其孔徑光 闌28的物鏡30、折射光學兀件36、分束器38和40、以及折射光學兀件42。折射光學兀件 18、20、24、36和42可包括本領域已知的任何合適的折射光學元件，諸如折射透鏡。另外，雖 然折射光學元件18、20、24、36和42以相同的方式使用相同的常規符號在圖1中示意性地 示出，但是折射光學元件中的全部、部分、或沒有一個可相同地或不同地配置。此外，折射光 學元件18、20、24、36和42中的每一個可包括一個或多個折射光學元件。
[0023] 折射光學元件18被配置成將衍射受限光束從光源8定向到變跡器16。折射光學 元件20被配置成將光束從變跡器通過可包括二向色分束器的分束器22定向到折射光學元 件24。折射光學元件24被配置成將光束定向到可包括任何合適分束器的分束器26。分束 器26被配置成將光束從折射光學元件24反射到物鏡30,該物鏡被配置成將衍射受限光束 聚焦在晶片34上的光柵靶（未示出）上的照射斑32。物鏡30可包括任何合適的折射光學 元件和/或任何合適的反射光學元件。例如，物鏡可具有全反射設計或反折射設計，諸如在 授予Rodgers的美國專利No. 5, 309, 276和授予Shafer等人的美國專利No. 6, 801，358中 所描述的那些設計，它們如在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。物鏡還可針對從約 150nm到約lOOOnm的波長來設計。另外，物鏡可被設計成在照射中沒有中心遮擋。
[0024] 物鏡（或"多個物鏡"）可以是相對高值孔徑（NA)的物鏡（例如，具有約0· 9或 更大的NA)，由此實現對照射光瞳的優化選擇（在本文中未示出的光瞳區域選擇）。相對 較高NA的物鏡如該術語在本文中所使用地一般指物鏡的入射光瞳的半徑與物鏡的焦距相 當，或者換句話說，從物鏡發射到晶片上的射線填充相對較大的錐角。例如，NA為0. 9的物 鏡具有〇. 9f的入射光瞳半徑，其中f是透鏡的焦距。這等效于射線照到晶片的最大錐角是 arcsinO. 9 = 64度的事實。因此，相對較高NA的物鏡具有相對較大的入射光瞳。以此方 式，不同的部分（例如，入射光瞳的僅一部分）可用于照射。換句話說，入射光瞳（此處用 作照射光瞳）相對較大的事實實現對該光瞳的子區域的選擇性照射，該子區域隨后被轉換 成整個物鏡NA所提供的最大照射錐體的子錐體。
[0025] 光瞳區域選擇可使用可用于將光從光源定向到照射光瞳的僅特定部分的任何合 適的光學元件來執行。例如，光學元件（未示出）可用于調制光源，由此選擇照射光瞳的用 于計量系統所執行的測量的部分。可用于空間地調制光的合適光學元件的示例包括諸如 可從美國德克薩斯州達拉斯市的Texas儀器得到的反射微鏡陣列器件、諸如可從德國德累 斯頓市Fraunhofer學院得到的衍射微鏡陣列器件、液晶器件（LCD)、衍射光學元件、固定孔 徑、可執行對光的空間調制的任何其他光學元件、或其某些組合。替換地，光學元件（未示 出）可用于代替選擇照射光瞳的僅一個或多個部分在計量系統所執行的測量中使用。
[0026] 因此，折射光學元件18和20、分束器22、折射光學元件24、分束器26、以及物鏡30 構成計量系統的照射子系統（或"照射光瞳"），該照射子系統被配置成將光從光源定向到 晶片（例如，用于散射計量測量）。以此方式，照射子系統可用于散射計量測量，并且如附圖 標記46圈出且指示的照射子系統中的衍射受限光束可以是高斯光束。例如，計量系統的光 源可被配置成提供高斯光束，并且變跡器可能不更改衍射受限光束的高斯性質。
[0027] 物鏡30還被配置成收集來自晶片的光。從晶片收集的光包括散射光。然而，從晶 片收集的光還可包括來自晶片的其他光（例如，反射光）。物鏡30將所收集光通過分束器 26定向到折射光學元件36,該折射光學元件將所收集光通過分束器38和40定向到折射光 學元件42。折射光學元件42被配置成將所收集散射光定向到檢測器44。檢測器44可如 本文中進一步描述地配置。以此方式，物鏡30、分束器26、折射光學兀件36、分束器38和 40、折射光學元件42、以及檢測器44構成計量系統的檢測子系統。檢測子系統可用于散射 計量測量，如本文中進一步描述的。
[0028] 物鏡的光學象差規格可從本文中進一步描述的散射計量斑大小導出。例如，優選 執行對用于角解析散射計量實現計量系統的物鏡的設計和制造以在照射斑尾部處確保以 上所述的顯著較低輻照度。光學設計優選確保最小的重影量，該最小的重影量可由從物鏡 的任何光學表面反射回晶片的相對較強的晶片反射產生。該設計還優選提供過大孔徑用 于使從透鏡邊緣和至少1_的空隙（air-space)的散射最小化，以減少相干效應。從照射 的散射優選通過保證光學表面和涂層上的相對較低的表面粗糙度（通常為約〇. lnm均方 根（RMS))以及相對較低的表面缺陷率（劃痕和挖痕，類似于5/1X0. 040和每IS010110的 L1X0. 006)來進一步最小化。計量系統中所包括的孔徑和光闌優選具有用于最少地散射到 晶片中的仔細制造的邊緣，并且物鏡組件的內部機械表面優選被加工并處理成吸收任何散 射光。光學元件優選在干凈的環境中清洗和組裝以將光學元件上的灰塵顆粒的數量保持在 將導致可感測散射的水平以下。因此，本文中所描述的各個實施例可具有針對表面粗糙度、 劃痕和挖痕、缺陷、以及清潔度的光學制造要求的規范，從而確保相對較低的漫射光和以此 方式確保相對較低的殘余輻照度。類似于以上所述的對物鏡的考慮優選應用于計量系統中 所包括的所有光學元件。用于相對較低漫射光的這些光學制造要求可與本文中所描述的任 何其他實施例組合。
[0029] 在一個實施例中，光柵靶上的照射斑的直徑小于3微米。例如，如上所述，殘余輻 照度被建立為來自光柵靶的臨界尺寸（CD)和覆蓋計量的性能準則，殘余輻照度是距晶片 上的照射斑的中心1. 5微米半徑以外的輻照度，并且殘余輻照度限值是照射斑的中心處的 輻照度的1〇_6。因此，照射斑的半徑可能約為1. 5微米，并且因此，直徑約為3微米或更小。
[0030] 在另一實施例中，計量系統被配置成在收集來自光柵靶的散射光的同時跨光柵靶 掃描照射斑。例如，如圖1所示，計量系統可被配置成在多個方向48上例如通過橫向地移 動光源、由此移動衍射受限光束來橫向地掃描衍射受限光束14。以此方式，計量系統可跨光 柵靶視場掃描照射斑。計量系統可以光柵或其他方式跨光柵靶區域掃描該斑。計量系統可 被配置成使用任何合適的器件（例如，機械平臺）來跨光柵靶掃描照射斑。以此方式，不同 于在該靶上提供擴大的照射斑，該斑可在光柵靶區域內掃描。（圖1所示光束14的位置表 不通過光學系統的視場中心的光射線，而光束50的位置并不表不通過光學系統的光瞳中 心的光射線。沿著計量系統的光軸49的圓點表示光束14和50所表示的不同射線與光軸 相交的點。）
[0031] 以此方式，本文中所描述的計量系統實施例實現對比當前用于散射計量測量的光 柵革G小的光柵祀的測量。例如，在一些實施例中，光柵祀的橫向尺寸小于10微米乘以小于 10微米。橫向尺寸在與晶片的上表面基本平行的平面上定義。在一個這種示例中，光柵靶 的橫向尺寸可以是5微米乘以5微米。例如，本文中所描述的實施例實現對來自相對較小 光柵靶的CD的基本正確的光學測量（例如，5微米乘以5微米）。另外，本文中所描述的實 施例實現對與相對較小光柵單元的基本正確的光學散射計量覆蓋測量（例如，5微米乘以5 微米）。以此方式，本文中所描述的實施例的一個優點在于，計量系統配置實現對小到5微 米乘以5微米的光柵靶的光學CD計量、以及對單元大小小到5微米乘以5微米的光柵靶的 基于散射計量的覆蓋計量。光柵靶本身可包括本領域已知的任何合適的光柵靶。
[0032] 在一個實施例中，光學元件被配置成將所收集散射光的重像集中到光學元件的成 像光瞳中的局部區域或跨成像光瞳將重像擴散開以減小重像的輻照度。例如，本文中所描 述的實施例可使用光瞳成像系統的光學設計原理配置，該光瞳成像系統將與信號相干的重 像集中到光瞳圖像中的特定局部區域（諸如例如〇. 1NA半徑內的光瞳中心）、或將其在足夠 大的區域上擴散以使重影輻照度最小化到例如小于信號的1〇_6。這種光瞳重像控制可與本 文中所描述的任何其他實施例組合地應用。
[0033] 計量系統還包括被配置成拒絕一部分所收集散射光的視場光闌。例如，在一個實 施例中，計量系統包括視場光闌52,該視場光闌置于所收集散射光的路徑中以使視場光闌 可拒絕一部分所收集散射光。以此方式，在收集臂中使用收集視場光闌以供散射計量（例 如，角解析散射計量）。收集視場光闌可能通過提供拒絕該靶周圍的非期望信號和足夠的光 瞳解析率之間的優化平衡來實現相對較小的散射計量計量靶。例如，對于給定光柵靶大小， 視場光闌大小可針對信號污染和光瞳成像解析率之間的折衷進行優化。
[0034] 計量系統可被配置成執行一種用于將視場光闌對準計量光柵靶的方法。將視場光 闌對準計量光柵靶可使用斑照射和將各個部件對準該斑來執行。例如，可觀察到照射視場 光闌的平面中的照射斑，并且照射視場光闌可與該斑對準。鏡式晶片（或其他合適的反射 表面）可在物鏡下面進行聚焦。可觀察到收集視場光闌的平面中的反射照射斑，并且收集 視場光闌可與該斑對準。晶片上的照射斑可通過分開的對準光學器件（例如，使用本文中 進一步描述的檢測器66以及相對應的光學元件）來觀察，并且這些光學器件與該斑對準。 當計量光柵靶進入視野時，檢測器66及其相對應的光學元件可用于使該靶進入照射斑的 位置，由此將視場光闌對準計量光柵靶。
[0035] 在一個實施例中，視場光闌不以所收集散射光沿其傳播的光軸為中心，由此減少 所收集散射光在檢測器上的重影，如本文中進一步所述。例如，視場光闌的光學實現是使視 場光闌偏離光軸。視場光闌的這種定位是用于減少重影的附加策略。具體而言，偏軸視場 光闌可用于減少因重影引起的信號污染，甚至使其最小化。以此方式，可執行對整個光學系 統到收集視場光闌的設計和制造（包括使用變跡器來抑制收集視場光闌的邊緣處的光學 信號的尾部）以保證散射和重影的最小水平。
[0036] 另外，計量系統包括檢測器，該檢測器被配置成檢測穿過視場光闌的散射光并且 響應于檢測到的散射光生成輸出以使光柵靶由計量系統使用散射計量來測量。例如，檢測 器44可被配置成檢測穿過視場光闌52的散射光并且響應于檢測到的散射光生成輸出以使 光柵靶由計量系統使用散射計量來測量。檢測器可包括任何合適的檢測器，諸如電荷耦合 器件（CCD)。以此方式，以上所述的光源（例如，激光10和單模光纖12)可被用作散射計量 光源，并且檢測器可被用作散射計量計量檢測器。在一些實施例中，計量系統可被配置成通 過以光闌或其他方式跨靶區域掃描直徑為0.6微米的照射斑和串行地收集來自相繼掃描 點的信號來收集來自具有該斑的5微米乘以5微米的計量靶的散射計量信號。
[0037] 在一個實施例中，散射計量包括角解析散射計量。以此方式，計量系統可被配置為 角解析散射計量。換句話說，計量系統可被配置成在多個離散角測量散射光的強度。這些 測量可例如通過在測量之間移動一個或多個光學元件、或同時通過使用單個檢測器或一個 以上的檢測器在收集空間內的多個離散角單獨地測量散射光的強度來順序地執行（一個 離散角接一個離散角）。另外，計量系統的這一實施例可與本文中所描述的任何其他實施例 的特征組合。例如，角解析散射計量實施例可與被配置為本文中所描述的視場光闌組合，與 此同時將非期望光瞳重影集中到局部光瞳區域。在另一實施例中，散射計量包括使用多個 離散波長來執行的角解析散射計量。計量系統可被配置成并發（并行地）或一個接一個順 序地使用若干離散波長來執行角解析散射計量。這些測量可以本領域已知的多種不同方式 執行。計量系統還可被配置成并發（并行地）或一個接一個順序地使用若干離散波長、以 及使用用于穩定光源功率和波長的快反饋來執行角解析散射計量。另外，如本文中進一步 描述的，光學元件可包括可用于在一個以上的偏振狀態中執行測量的偏振器和分析器。例 如，在一個實施例中，計量系統可被配置成通過并發（并行地）或一個接一個順序地使用若 干離散波長、結合并發（并行地）或一個接一個順序地使用若干偏振狀態來執行角解析散 射計量。這些測量可以本領域已知的多種不同方式執行。另外，計量系統可被配置成通過 并發（并行地）或一個接一個順序地使用若干離散波長、結合并發（并行地）或一個接一 個順序地使用若干偏振狀態、以及使用用于穩定光源功率和波長的快反饋，來執行角解析 散射計量。
[0038] 在附加實施例中，散射計量包括光譜散射計量。光譜散射計量可使用計量系統以 本領域已知的多種不同方式執行。在又一實施例中，散射計量包括使用多個離散角來執行 的光譜散射計量。使用多個離散角的光譜散射計量可使用計量系統實施例以本領域已知的 多種不同方式執行。計量系統可被配置成通過并發（并行地）或一個接一個順序地使用若 干離散角來執行光譜散射計量。另外，計量系統可被配置成通過并發（并行地）或一個接 一個順序地使用若干離散角、結合并發（并行地）或一個接一個使用若干偏振狀態，來執行 光譜散射計量。這些測量可以本領域已知的多種不同方式執行。此外，散射計量可以是光 譜散射計量、或角解析散射計量、或光譜散射計量和角解析散射計量兩者的組合。
[0039] 在一個實施例中，光學元件包括置于衍射受限光束的路徑中的偏振器和置于所收 集散射光的路徑中的分析器。例如，如圖1所示，光學元件可包括置于衍射受限光束的路徑 中的偏振器54和置于所收集散射光的路徑中的分析器56。在一個這種實施例中，偏振器和 分析器被配置成散射計量可使用多個偏振狀態來執行。例如，偏振器和分析器可被配置成 如果旋轉偏振器和分析器，則偏振器和分析器將不同的偏振分別賦予衍射受限光束和所收 集散射光。因此，取決于用于測量的偏振狀態，計量系統可旋轉偏振器和/或分析器。偏振 器和分析器可包括本領域已知的任何合適的偏振部件。
[0040] 在另一這種實施例中，計量系統被配置成至少使用光源、包括偏振器和分析器的 光學元件、以及檢測器來執行對晶片的橢圓計量測量。橢圓計量測量可使用計量系統實施 例以本領域已知的任何方式執行。橢圓計量測量可包括單波長橢圓計量測量、光譜橢圓計 量測量、可變角橢圓計量測量、可變角光譜橢圓計量測量、任何其他橢圓計量測量、或其某 些組合。
[0041] 在一個實施例中，計量系統包括被配置成生成晶片圖像的附加檢測器。以此方式， 計量系統可被配置成用于晶片的基于成像的計量測量。例如，在圖1所示的實施例中，計量 系統包括附加光源58,該附加光源可包括任何合適的光源。光源可生成只有一個波長的光 (即，單色光）、具有許多離散波長的光（即，多色光）、或具有多個波長的光（即，寬帶光）。 光源所生成的光可具有任何合適的波長，諸如UV波長。光源可如參考光源8所描述地進一 步配置。此外，雖然計量系統在圖1中被示為包括兩個光源（一個用于散射計量或其他計 量測量而另一個用于成像），但是計量系統可包括可用于本文中所描述的所有測量（包括 散射計量和其他計量測量以及成像）的僅一個光源。
[0042] 計量系統還可包括被配置成將來自附加光源58的光定向到分束器22的折射光學 元件60。折射光學元件60可如本文中所描述地進一步配置。分束器22被配置成將來自折 射光學兀件60的光反射到折射光學兀件24,該折射光學兀件24將光定向到分束器26。來 自附加光源的光被分束器26通過物鏡30反射，該物鏡將光聚焦在晶片上。
[0043] 晶片所反射的光被物鏡30收集，該物鏡將所收集反射光通過分束器26定向到折 射光學元件36。折射光學元件36將所收集反射光定向到分束器38,該分束器將所收集反射 光反射到折射光學元件62。折射光學元件62將所收集反射光定向到折射光學元件64,該折 射光學兀件64將所收集反射光聚焦到附加檢測器66。折射光學兀件62和64可如本文中 所描述地配置。附加檢測器被配置成使用所收集反射光來生成晶片圖像。附加檢測器可包 括任何合適的檢測器，諸如CCD。成像檢測器可用于基于成像的計量，如本文中進一步描述 的。另外，計量系統可被進一步配置用于雙光束成像。例如，計量系統可被配置成如Kandel 等人共有的美國專利No. 7, 528, 941中所描述地執行雙光束成像，其如在本文中完全闡述 一樣通過引用結合于此。在這些實施例中，物鏡的光學象差規格可結合雙光束成像工具引 起的偏移（TIS)誤差預算如以上所述地導出（例如，用于散射計量斑大小要求）。此外，成 像檢測器可用于晶片相對于光學元件的導航（例如，從而可通過使用附加檢測器所生成的 晶片的圖像來將晶片上的光柵靶移動到光學元件的視野內）。以此方式，本文中所描述的計 量系統實施例可包括同一平臺上的散射計量和成像子系統的組合，其中散射計量可以是光 譜散射計量、或角解析散射計量、或兩者的組合。
[0044] 可用于生成晶片圖像的光學元件可由其他光學元件以光學系統的出射光瞳的圖 像變成可訪問的方式使用或補充。以此方式，諸如孔徑68之類的一個或多個光學元件可置 于光瞳圖像的平面中。由此，提供用于訪問光瞳圖像的選項。
[0045] 計量系統可包括其他光學元件。例如，如圖1所示，分束器40可被配置成允許一 部分所收集散射光穿過該分束器，并且可反射另一部分所收集散射光。所收集散射光的反 射部分可用于確定計量系統的焦點。例如，所收集散射光的反射部分可被定向到焦點檢測 斬波器70,該焦點檢測斬波器可包括任何合適的斬波器。穿過焦點檢測斬波器70的光可由 檢測器72檢測。檢測器72可被配置成響應于檢測器檢測到的光生成輸出。檢測器72可 包括任何合適的檢測器，諸如CCD。諸如本文中進一步描述的計算機系統可被配置成使用 檢測器72所生成的輸出以任何合適的方式確定測量的晶片上的光柵靶或膜是否正在焦點 上。計量系統可包括一個或多個器件（未示出），諸如被配置成如果光柵靶或膜被確定為離 焦則移動晶片或者計量系統的一個或多個光學元件的平臺。
[0046] 如上所述，圖1所示的計量系統包括多個檢測器，這些檢測器被配置成檢測來自 晶片的光并響應于檢測到的光生成輸出，以使光柵靶可由計量系統使用多種不同的技術來 測量。圖1所示的計量系統還可包括附加檢測器。例如，計量系統可包括被配置成檢測來 自晶片的光并響應于檢測到的光生成輸出的光譜儀（未示出）。光譜儀可包括任何合適的 光譜儀。從晶片散射的光可被置于所收集散射光的路徑中的分束器（未示出）定向到光譜 儀。分束器還可如本文中進一步描述地配置。任何其他合適的光學元件還可置于光譜儀檢 測到的光的路徑中。光譜儀可被配置成測量作為波長函數的散射光強度。以此方式，計量 系統可被配置成使用光譜散射計量來執行對晶片的測量。因此，圖1所示的計量系統可包 括同一平臺上的散射計量和成像系統的組合，其中散射計量可以是光譜散射計量、或角解 析散射計量、或兩者的組合。此外，圖1所示的檢測器中的一個可被配置為光譜儀，或者用 光譜儀代替。例如，分束器38可將一部分所收集散射光反射到圖1所示的檢測器66,并且 檢測器66可被配置為如上所述地配置的光譜儀，或用光譜儀代替。
[0047] 計量系統還包括被配置成使用輸出來確定光柵靶的特性的計算機系統。例如，如 圖1所示，計量系統包括被配置成使用檢測器44所生成的輸出來確定光柵靶的特性的計算 機系統74。以此方式，計算機系統可被配置成響應于散射光使用來自檢測器的輸出來確定 光柵靶的特性。另外，計算機系統可被配置成使用來自檢測器66的輸出來確定光柵靶的特 性。以此方式，計算機系統可被配置成響應于反射光或晶片圖像使用來自檢測器的輸出來 確定光柵靶的特性。計算機系統可使用本領域已知的任何合適的方法、算法、模型、技術等 來確定光柵靶的特性。
[0048] 計算機系統74耦合到檢測器44和66 (例如，通過圖1中的虛線所示的一個或多 個傳輸介質，這些傳輸介質可包括本領域已知的任何合適的傳輸介質）以使計算機系統可 接收檢測器所生成的輸出。計算機系統可以任何合適的方式耦合到檢測器中的每一個。另 夕卜，計算機系統可以類似的方式耦合到計量系統中所包括的任何其他檢測器。計算機系統 74可采用各種形式，包括個人計算機系統、大型計算機系統、工作站、系統計算機、圖像計算 機、可編程圖像計算機、并行處理器、或本領域已知的任何其他設備。一般而言，術語"計算 機系統"可被寬泛地定義為涵蓋具有一個或多個處理器的任何設備，該設備執行來自存儲 介質的指令。
[0049] 在一個實施例中，該特性包括光柵靶中的經圖案化結構的CD。計算機系統可使用 如Fabrikant等人共有的美國專利No. 7, 511，830中所描述的散射計量測量、或以任何其他 合適的方式來確定經圖案化結構的CD(以及經圖案化結構的其他特性），其如在本文中完 全闡述一樣通過引用結合于此。以此方式，本文中所描述的實施例可組合變跡器、視場光闌 和相對較小的光柵靶用于光學CD計量。在另一實施例中，該特性包括光柵靶中的經圖案化 結構對在晶片上形成的另一光柵靶的經圖案化結構覆蓋。該光柵靶和另一光柵靶在晶片 的不同層上形成。計算機系統可被配置成使用響應于所收集散射光的輸出來確定覆蓋，如 Kandel等共有的美國專利No. 7, 616, 313和Mieher等共有的美國專利No. 7, 663, 753中所 述，它們如在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。以此方式，本文中所描述的實施例可 組合變跡器、視場光闌和一組相對較小的光柵靶用于散射計量覆蓋計量。另外，本文中所描 述的實施例可組合變跡器、視場光闌、相對較小的光柵靶和光瞳成像用于CD和覆蓋計量。 此外，本文中所描述的實施例可組合變跡器、視場光闌、相對較小的光柵靶、光瞳成像、以及 在可見和近UV或者深UV中的離散照射譜線用于CD和覆蓋計量。另外，如上所述，散射計 量可包括光譜散射計量。光柵靶的CD和覆蓋可使用對光柵靶的光譜散射計量測量來確定。
[0050] 在以上進一步描述的一個實施例中，計量系統包括被配置成生成晶片圖像的附加 檢測器。在一個這種實施例中，計算機系統被配置成使用圖像來確定光柵靶的附加特性。計 算機系統可被配置成使用圖像以及任何合適的方法、算法、技術、模型等來確定光柵靶的附 加特性。在一些這種實施例中，該特性包括基于散射計量的覆蓋，而附加特性包括基于成像 的覆蓋。計算機系統可以任何合適的方式配置成確定基于成像的覆蓋。例如，計量系統可 被配置成使用成像來確定覆蓋，如授予Ghinovker的共有美國專利No. 7, 541，201中所述， 其如在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。由此，本文中所描述的實施例在單個平臺 上實現基于散射計量和基于成像的覆蓋計量兩者。
[0051] 在附加的這些實施例中，光學元件包括物鏡，該物鏡被配置成收集來自光柵靶的 散射光并且被配置成收集來自晶片的光以生成圖像。例如，如圖1所示，光學元件可包括物 鏡30,該物鏡被配置成收集來自光柵靶的散射光并且被配置成收集用來生成圖像的來自晶 片的光。以此方式，角解析散射計量物鏡和成像覆蓋物鏡可以是相同的光學元件。然而，另 一選擇是實現兩個單獨的物鏡（未示出），一個用于角解析散射計量，而另一個用于成像覆 蓋。如果計量系統包括兩個這種單獨的物鏡，則計量系統可被配置成取決于要執行的測量 (散射計量或成像）來移動光學器件。在這些實例中，計量系統可被配置成在不同類型的測 量之間切換物鏡，與此同時在其余光學元件中被動地或主動地選擇兩個單獨的子組件。替 換地，如果計量系統包括兩個這種單獨的物鏡，則計量系統可被配置成物鏡（以及相對應 的光學元件）是靜止的。在這些實例中，計量系統可包括兩個固定且靜止的光柱（每一物 鏡及其相對應的光學元件對應一個柱），并且計量系統可被配置成取決于對晶片執行的測 量來移動晶片以使計量靶從一個光柱的視野移動到另一光柱的視野。
[0052] 計算機系統可被配置成通過計算出視場光闌對該輸出的影響來確定光柵靶的特 性。例如，計算機系統可被配置成使用算法來計算出相對較小的收集視場光闌對從晶片散 射的信號的改變。另外，本文中所描述的實施例可組合變跡器、收集視場光闌和算法來計算 出散射強度因用于CD和覆蓋計量的收集視場光闌而引起的改變。
[0053] 如上所述，計量系統可被配置成執行對晶片的橢圓計量測量。在一個這種實施例 中，計算機系統被配置成使用檢測器在橢圓計量測量期間生成的輸出來確定在晶片上形成 的膜的特性。膜的特性可包括例如膜厚度、折射率、以及可使用橢圓計量測量確定的任何其 他薄膜特性。計算機系統可配置成以任何合適的方式確定該膜的特性。例如，計量系統可 被配置成使用橢圓計量測量來確定膜以及其他特性，如授予Bareket等人的共有美國專利 No. 7, 515, 253中所述，其如在本文中完全闡述一樣通過引用結合于此。另外，計算機系統可 被配置成使用對該膜的光譜散射計量測量來確定該膜的特性。這種實施例可與本文中所描 述的任何其他實施例組合。例如，計量系統的一個實施例可包括同一平臺上光學CD計量系 統、散射計量和成像覆蓋計量系統、以及膜計量系統的組合。另外，如上所述，計量系統可被 集成到半導體制造系統中。以此方式，計量系統可被用作光刻系統的單個可集成傳感器，該 傳感器可用于測量散射計量覆蓋、CD、膜厚、以及UV雙光束成像覆蓋。這種計量系統可能滿 足16nm技術節點要求。
[0054] 本文中所描述的實施例的一個優點在于，計量系統可被配置為并被用作多功能計 量系統。例如，計量系統被配置成在單個平臺上提供不同應用的組合。以此方式，計量系統 可被配置成使用本文中所描述的一種或多種技術來確定晶片上的光柵靶或其他結構（特 征）的一個以上的特性。換句話說，多個計量任務可通過合適的選擇或不同計量方法（諸 如散射計量和成像方法）的組合來執行。在一個這種示例中，計算機系統可使用散射計量 測量（使用計量系統來執行）來確定如上所述的光柵靶中的經圖案化結構的CD，并且使用 散射計量測量來確定經圖案化結構對其他經圖案化結構的覆蓋，其中其他散射計量測量使 用計量系統來執行、或者成像使用計量系統來執行。在另一個示例中，計算機系統可使用散 射計量測量來確定CD，使用散射計量測量或成像結果來確定覆蓋，并且使用橢圓計量測量 來確定薄膜特性。以此方式，本文中所描述的實施例可在一個計量工具中組合以下計量任 務：光學CD計量、光學覆蓋計量、以及膜計量。另外，計算機系統可使用本文中所描述的技 術的任何組合來確定本文中所描述的特性的其他組合。
[0055] 在一些實施例中，光學元件被配置成將穿過視場光闌的散射光只定向到檢測器的 第一部分。在一個這種實施例中，光學元件被配置成將衍射受限光束的一部分只定向到檢 測器的第二部分而未首先將衍射受限光束的該部分定向到晶片，并且檢測器的第二部分與 檢測器的第一部分不重疊。例如，計量系統可執行一種用于測量并任選地校準、抑制和消除 空間相關噪聲的方法，其中來自光源的光的基準部分被定向到計量檢測器（例如，CCD或相 機）的一部分，而無需與計量信號重疊。光源的基準部分優選使用與實際信號路徑的最大 可能公共路徑，而無需從晶片反射。該校準的有利特征在于，它可與信號收集同時進行，并 且它可用于校準在與校準信號相同的時間間隔中所收集的信號。以此方式，計量系統可被 配置成執行到光源的快反饋以穩定其功率和波長。
[0056] 在另一實施例中，光學兀件被配置成將穿過視場光闌的散射光只定向到檢測器的 第一部分，而檢測器的第二部分看不見光。與檢測器的第一部分不重疊的檢測器的僅第二 部分所生成的輸出由計算機系統用于校準檢測器響應于在檢測器的第一部分中檢測到的 散射光而生成的輸出。以此方式，檢測器的一部分可用于校準。例如，計量系統可被配置成 執行一種用于使用計量檢測器（例如，CCD或相機）未暴露給該系統中的任何光（例如，未 暴露給信號本身）的一部分、照射光束的上述基準部分、或任何其他光來測量并任選地校 準、抑制和消除暗噪聲的空間相關部分。該校準的有利特征在于，它可與信號收集同時進 行，并且它用于校準在與校準信號相同的時間間隔中所收集的信號。
[0057] 本文中所描述的實施例還提供可擴展計量系統平臺來適應本文中所描述的應用 的未來要求。例如，如上所述，計量系統可包括可見光源。以此方式，計量測量（例如，角解 析散射計量）可在可見光譜區域中執行。然而，角解析散射計量的操作可延伸到近UV或深 UV的光譜區域中。在這種光譜區域中的操作將附加要求賦予所有光學部件，但尤其賦予物 鏡。例如，計量系統是可配置的（例如，可集成的、可與諸如從美國加利福尼亞州米爾皮塔 斯市的KLA-Tencor購得的Archer300系列工具之類的其他購得計量系統組合的、可被配置 成只用于成像、可被配置成只用于散射計量等）。此外，由于計量系統可被配置成在光柵靶 上掃描照射斑，因此本文中所描述的計量系統與運行中（on-the-fly)概念兼容（在該實例 中，在其移動的同時測量靶）。
[0058] 另一實施例涉及一種計量方法。計量方法包括在照射光學器件的入射光瞳中以在 晶片平面中距照射斑的中心遠于1. 5微米的輻照度小于該斑中心的峰值輻照度的ΚΓ6的方 式使衍射受限光束成形。以此方式使衍射受限光束成形可如本文中進一步描述地執行（例 如，使用如本文中進一步描述的變跡器）。計量方法還包括將衍射受限光束定向到晶片上的 光柵靶上的照射斑。將光束定向到照射斑可如本文中進一步描述地執行（例如，使用本文 中進一步描述的光學元件）。另外，計量方法包括收集來自光柵靶的散射光。收集來自光 柵靶的散射光可如本文中進一步描述地執行（例如，使用本文中進一步描述的光學元件）。 計量方法還包括拒絕來自光柵靶的一部分所收集散射光。拒絕該部分所收集散射光可如本 文中進一步描述地執行（例如，使用如本文中所描述地配置的視場光闌）。計量方法還包括 在拒絕該部分所收集散射光之后檢測散射光。另外，計量方法包括響應于所檢測的散射光 生成輸出。檢測散射光和生成輸出可如本文中進一步描述地執行（例如，使用如本文中所 描述地配置的檢測器）。計量方法還包括使用該輸出來確定光柵靶的特性。確定該特性可 如本文中進一步描述地執行（例如，使用如本文中所描述地配置的計算機系統）。
[0059] 該方法還可包括將該方法的任何步驟的結果存儲在存儲介質中。這些結果還包括 本文中所描述的任何結果（例如，光柵靶的特性），并且可以本領域已知的任何方式存儲。 存儲介質可包括本領域已知的任何合適的存儲介質。在已存儲了這些結果之后，這些結果 可在存儲介質中訪問，并且可如本文中所描述地使用，其中被格式化以顯示給用戶、由另一 軟件模塊、方法、或系統使用等。此外，這些結果可被"永久地"、"半永久地"、臨時地存儲、或 者被存儲一段時間。例如，存儲介質可以是隨機存取存儲器（RAM)，并且這些結果可能在存 儲介質中不必無限地持續。
[0060] 以上所述的方法可包括本文中所描述的任何方法的任何其他步驟。另外，以上所 述的方法可由本文中所描述的任何計量系統實施例執行。
[0061] 根據該描述，本發明的各個方面的其他修改和替換實施例對本領域技術人員將變 得顯而易見。例如，提供了計量系統以及方法。因此，該描述應當被解釋為只是說明性的， 并且出于教導本領域的技術人員實現本發明的一般方式的目的。應該理解，本文中示出且 描述的本發明的形式應當被視為當前優選的實施例。元件和材料可替代本文中示出且描述 的元件和材料，部分和過程可顛倒，并且本發明的某些特征可獨立地使用，所有這些對受益 于本發明的該描述之后的本領域的技術人員將是顯而易見的。可在不背離以下權利要求書 中所描述的本發明的精神和范圍的情況下對本文所描述的元件作出改變。
【權利要求】
1. 一種計量系統，包括： 被配置成產生衍射受限光束的光源； 變跡器，所述變跡器被配置成在照射光學器件的入射光瞳中使所述光束成形； 光學元件，所述光學元件被配置成將所述衍射受限光束從所述變跡器定向到晶片上的 光柵靶上的所述照射斑并且收集來自所述光柵靶的散射光； 被配置成拒絕一部分所收集散射光的視場光闌； 檢測器，所述檢測器被配置成檢測穿過所述視場光闌的散射光并且響應于檢測到的散 射光生成輸出以使所述光柵靶由所述計量系統使用散射計量來測量；以及 被配置成使用所述輸出來確定所述光柵靶的特性的計算機系統。
2. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光源包括激光和單模光纖。
3. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，由所述光源產生的光具有約190nm至約 900nm之間的波長。
4. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件包括針對從約150nm到約 lOOOnm波長設計的物鏡。
5. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述計量系統被配置成在收集來自所 述光柵靶的散射光的同時跨所述光柵靶掃描所述照射斑。
6. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述散射計量包括角解析散射計量。
7. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述散射計量包括使用多個離散波長 來執行的角解析散射計量。
8. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述散射計量包括光譜散射計量。
9. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述散射計量包括使用多個離散角來 執行的光譜散射計量。
10. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件還被配置為通過將光從 所述光源定向到所述入射光瞳的僅一個或多個部分而執行光瞳區域選擇。
11. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件還被配置為調制所述光 源，由此選擇所述入射光瞳的用于由所述計量系統所執行測量的部分。
12. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件包括置于所述衍射受限 光束的路徑中的偏振器和置于所收集散射光的路徑中的分析器，并且其中所述偏振器和分 析器被配置成所述散射計量使用多個偏振狀態來執行。
13. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件包括置于所述衍射受限 光束的路徑中的偏振器和置于所收集散射光的路徑中的分析器，并且其中所述計量系統被 配置成至少使用所述光源、包括所述偏振器和所述分析器的所述光學元件、以及所述檢測 器來執行對所述晶片的橢圓計量測量。
14. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述計算機系統還被配置成使用所述 檢測器在所述橢圓計量測量期間生成的輸出來確定在所述晶片上形成的膜的特性。
15. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述視場光闌不以所收集散射光沿其 傳播的光軸為中心，由此減少所收集散射光在所述檢測器上的重影。
16. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件還被配置成將所收集散 射光的重像集中到所述光學元件的成像光瞳中的局部區域、或跨所述成像光瞳將所述重像 擴散開以減小所述重像的輻照度。
17. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述特性包括所述光柵靶中的經圖案 化結構的臨界尺寸。
18. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述特性包括所述光柵靶中的經圖案 化結構對在晶片上形成的另一光柵靶的經圖案化結構的覆蓋，并且其中所述光柵靶和所述 另一光柵靶在晶片的不同層上形成。
19. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述變跡器、視場光闌和檢測器針對 光瞳成像而配置。
20. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于還包括被配置成生成晶片圖像的附加 檢測器。
21. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，還包括被配置成生成所述晶片的圖像 的附加檢測器，其中所述計算機系統還被配置成使用所述圖像來確定所述光柵靶的附加特 性。
22. 如權利要求21所述的計量系統，其特征在于，所述特性包括基于散射計量的覆蓋， 并且其中所述附加特性包括基于成像的覆蓋。
23. 如權利要求21所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件包括物鏡，所述物鏡被 配置成收集來自所述光柵靶的散射光并且被配置成收集用于生成所述圖像的來自所述晶 片的光。
24. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件還被配置成將穿過所述 視場光闌的散射光只定向到所述檢測器的第一部分，其中所述光學元件還被配置成將所述 衍射受限光束的一部分只定向到所述檢測器的第二部分而未首先將所述衍射受限光束的 所述部分定向到所述晶片，并且其中所述檢測器的第二部分與所述檢測器的第一部分不重 疊。
25. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述光學元件還被配置成將穿過所 述視場光闌的散射光只定向到所述檢測器的第一部分，其中所述檢測器的第二部分看不見 光，其中只由所述檢測器的第二部分生成的輸出被所述計算機系統用來校準所述檢測器響 應于所述檢測器的第一部分中的檢測到的散射光而生成的輸出，并且其中所述檢測器的第 二部分與所述檢測器的第一部分不重疊。
26. 如權利要求1所述的計量系統，其特征在于，所述變跡器被配置成在照射光學器件 的入射光瞳中以在晶片平面中距照射斑的中心遠于1.5微米的輻照度小于所述斑的中心 的峰值輻照度的ΚΓ 6的方式使所述光束成形。
27. 如權利要求26所述的計量系統，其特征在于，所述光柵靶上的所述照射斑的直徑 小于3微米。
28. 如權利要求26所述的計量系統，其特征在于，所述光柵靶的橫向尺寸小于10微米 乘以小于10微米。
29. -種計量方法，包括： 在照射光學器件的入射光瞳中使衍射受限光束成形； 將所述衍射受限光束定向到晶片上的光柵靶上的所述照射斑； 收集來自所述光柵靶的散射光； 用視場光闌拒絕來自所述光柵祀的一部分所收集散射光； 在所述拒絕之后檢測所述散射光； 響應于檢測到的散射光生成輸出，其中所述檢測和所述生成是用檢測器執行的，所述 檢測器被配置檢測穿過所述視場光闌的所述散射光并響應于檢測到的散射光生成所述輸 出以使所述光柵靶由所述計量系統使用散射計量來測量；以及 使用所述輸出來確定所述光柵靶的特性。
【文檔編號】G01N21/956GK104155313SQ201410437602
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2010年9月1日 優先權日:2009年9月3日
【發明者】D·坎戴爾, V·列文斯基, A·斯維澤, J·塞利格松, A·希爾, O·巴卡爾, A·馬納森, Y-H·A·莊, I·塞拉, M·馬克維茲, D·納格利, E·羅特姆 申請人:克拉-坦科股份有限公司
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