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一種元器件抗總劑量生存能力預估方法
【專利摘要】本發明公開了一種元器件抗總劑量生存能力預估方法，包括：MOS器件抗總劑量生存概率與空間環境指標要求、總劑量余量之間的關系在對數正態分布下的情況，批次性器件的抗總劑量生存概率與總劑量效應失效閾值標準差σ有關，控制σ可以在有限的總劑量余量下提高生存概率。本發明只需要控制總劑量效應失效閾值標準差σ即可實現對元器件在空間環境中的抗總劑量生存概率的預估，效率有了很大的提高。
【專利說明】一種元器件抗總劑量生存能力預估方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種元器件抗總劑量生存概率預估方法，特別涉及一種元器件抗總劑量生存能力預估方法，具體是一種航天器用MOS器件在空間環境中的抗總劑量生存概率預估方法。
【背景技術】
[0002]航天器上使用的電子元器件相對地面上的電子設備有一個很大的區別是:航天器上的電子元器件除滿足地面上的各種使用要求外，還要能夠適應空間復雜環境，特別是空間輻射環境。為此航天器上選用的電子元器件必須能夠抗總劑量效應。
[0003]目前，航天通常采購有航天用元器件的資質供應商的元器件，并對元器件提出了相應的指標要求，其中抗輻射能力是一個重要的指標，特別是抗總劑量能力是必須的指標，為此要求元器件供應商在采購的元器件中抽取一定量的元器件進行總劑量試驗，相關標準中明確了抽取的元器件數量，但未明確給出如何評價元器件的抗輻射能力。
[0004]如果MOS器件抗總劑量能力指標提的過高，一方面是元器件采購成本的大幅提高，另一方面是有可能元器件供應商無法提供滿足要求的器件，器件抗總劑量能力過低，則給元器件采購方使用帶來了使用風險。

【發明內容】

[0005]為了克服目前的MOS器件抗總劑量能力被不準確的高估給航天器使用方造成巨大的風險，或低估造成不必要的重量支出和經濟上的浪費，從而給出一種MOS器件抗總劑量能力預估的簡便方法來提高預估的準確性。
`[0006]為了實現上述目的，本發明提供了一種航天器用MOS器件在空間環境中的抗總劑量生存概率預估方法，包括:
[0007]步驟I)、獲取一組實測的同批次MOS器件總劑量輻照數據，根據這些總劑量輻照數據，計算出器件總劑量耐量的幾何平均數5，總劑量耐量的對數標準差σ ;
[0008]步驟2)、MOS器件抗總劑量生存概率與空間環境指標要求、總劑量余量之間的關系存在對數正態分布:
【權利要求】
1.一種元器件抗總劑量生存能力預估方法，包括: 步驟I)、獲取一組實測的同批次MOS器件總劑量輻照數據，根據這些總劑量輻照數據，計算出器件總劑量耐量的幾何平均I/D !、劑量耐量的對數標準差σ ; 步驟2)、MOS器件抗總劑量生存概率與空間環境指標要求、總劑量余量之間的關系存在對數正態分布:
2.根據權利要求1所述的一種元器件抗總劑量生存能力預估方法，其特征在于，控制所述總劑量效應失效閾值標準差σ實現對元器件在空間環境中的抗總劑量生存概率的預估。
【文檔編號】G01R31/26GK103698680SQ201310658892
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月6日 優先權日:2013年12月6日
【發明者】李強, 肖文斌, 宗益燕, 周秀峰 申請人:上海衛星工程研究所