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采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法

時間:2023-06-11    作者: 管理員

采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法
【專利摘要】一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,它包括以下步驟在待勘測的火山巖體分布區中,采用大地電磁儀獲取若干實測點視電阻率曲線,構成實測點分布特征剖面圖;確定測區內的基底層和上覆層分布情況;計算各實測點的背景視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的背景視電阻率曲線構成背景視電阻率的數據體;從實測點視電阻率曲線中消除背景視電阻率的數據體,獲得剩余視電阻率分布特征剖面圖,從而得到待勘測的火山巖體分布區地質體形態圖。本發明的方法已在準噶爾盆地東部的基底結構研究中進行了應用,首次采用電性異常體提取技術,在高阻石炭系地層中進行了中下石炭統的劃分,能夠有效克服區內火山巖的干擾。
【專利說明】采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及到大地電磁數據的一維半定量反演、定量反演、二維連續介質反演、二維層狀介質反演等常規技術,尤其是對反演結果中高電阻率異常體的信息提取的特殊技術,具體地說是一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法。
【背景技術】
[0002]目前,在用大地電磁方法對準噶爾盆地東部基底結構進行研究的過程中,遇到了區內中上石炭統地層中火山巖體廣泛分布的難題,無論是地震資料,還是以往大地電磁層狀解釋模型都不能較好地刻劃地下實際的地質體形態。而根據石油地質研究,石炭系地層可分為以火山巖充填為主的中石炭統地層和以沉積巖為主的下石炭統烴源巖,中下石炭統地層本身就是較好的生儲配置。因此,為較好地揭示實際地質體形態,就需要在傳統解釋思路基礎上,應用特殊的解釋技術。

【發明內容】

[0003]本發明的目的是針對某些地區石炭系地層上部有較大規模的火山巖體分布,例如:準噶爾盆地青格里底山區塊,那些火山巖體基本呈不規則形態分布,用普通的層狀介質反演方法難以較好地提取火山巖體的問題,提出一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法。
[0004]本發明的技術方案是:
[0005]一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,它包括以下步驟:
[0006](I)、在待勘測的火山巖體分布區中,采用大地電磁儀獲取若干實測點視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的視電阻率曲線構成實測點分布特征剖面圖;
[0007](2)、對各實測點的視電阻率曲線進行半定量計算,確定測區內的基底層和上覆層分布情況;
[0008](3)、計算各實測點的背景視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的背景視電阻率曲線構成背景視電阻率的數據體;
[0009](4)、從實測點視電阻率曲線中消除背景視電阻率的數據體,獲得剩余視電阻率分布特征剖面圖,從而得到待勘測的火山巖體分布區地質體形態圖。
[0010]本發明中,步驟(I)中實測點的區域范圍全面覆蓋并大于火山巖體的分布區,實測點的布設密度點距不大于1km,線距不大于3km。
[0011]本發明中,步驟(2)具體為:
[0012](a)、對各實測點的實測視電阻率曲線P 3進行積分求面積,計算前述面積的均值作為基底層電阻率Pb,單位Q -rn;[0013](b)、計算各實測點的表層電阻率作為相應實測點的上覆層電阻率P。,所述實測點表層電阻率是對該實測點視電阻率曲線的前3-5個點求均值獲??;
[0014](C)、采用下述公式計算各實測點的總縱向電導S,
[0015]S = 520/^pmin-Znmi
[0016]其中:Pmin為該測點視電阻率曲線的極小值,fmin是該測點上視電阻率極小值對應的觀測頻率f ;
[0017](d)、將沿同一測線上各實測點視電阻率曲線的首頻點連成一條曲線,進行平滑處理,得到區域靜校正曲線,對各實測視電阻率曲線進行靜校正處理;
[0018]采用BOSTICK反演方法對靜校正后的各實測點視電阻率曲線進行反演處理,得到與各視電阻率曲線對應的電阻率隨地層深度分布的Pbtjs-D曲線,Pbtjs為反演得到的地層電阻率值,單位為Q ? m, D為對應的深度,單位為m ;
[0019]對電阻率隨地層深度變化的各條分布曲線Pbtjs-D進行積分求面積,計算前述面積的均值作為基底以上巖層即上覆層的平均縱向電阻率Pt,單位Q ?!!!;
[0020](e)、計算基底埋深H即上覆層厚度:H=S P t,得到測區內的基底層和上覆層分布情況:即上覆層厚度H,其余為基底層。
[0021]本發明中,步驟(a)和(b)之間還包括:將沿同一測線上各實測點的視電組率曲線的首頻點連成一條曲線,進行平滑處理,得到區域靜校正曲線,用平滑處理后的區域靜校正曲線上的數據對各實測點的視電阻率曲線進行靜校正處理,得到靜校正處理過的各視電阻率曲線。
[0022]本發明的步驟(C)中:`對于實測點的實測電阻率曲線表現為多層曲線時,當其右側即長周期一端上升時,用緊鄰上升段左側極小點處的fmin和P fflin代入公式來計算S值。
[0023]本發明的有益效果:
[0024]本發明的方法已在準噶爾盆地東部的基底結構研究中進行了應用,區內石炭統地層中火山巖廣泛分布,以往地震資料刻劃能力有限,大地電磁層狀解釋模型也存在不足,無法克服區內火山巖的干擾。應用本發明,較好地刻劃了與火山巖有關的異常體的展布特征。在探測區內首次成功解釋了不同尺度的火山巖體23個,為區內的構造勘探提供了可靠參考資料。
【具體實施方式】
[0025]下面結合實施例對本發明作進一步的說明。
[0026]為了提取同一剖面上不同構造部位的相對電阻率差異,從而突出實際存在的電性異常體,首先拾取剖面的背景響應,通過消除背景響應,突出電性異常體的存在與否,進而再對可能存在的異常體的分布位置、大小、埋深及相關特性進行分析。
[0027]背景響應根據每個實測點的數據來計算。計算出表層電阻率、宏觀電阻率和基底埋深后,即可構制背景視電阻率響應,從MT實測場中消除背景視電阻率響應,獲得剩余視電阻率分布特征剖面,根據這一剖面判斷異常電性體的存在性。為了獲得與深度相關的異常體的分布特征,還必須向深度域進行轉化。對得到的結果進行微分求導,使得異常特征更具體清晰,突出電阻率的變化率。再結合層狀介質的反演結果,構制相應的正演模型,計算異常特征體在深度域的校正量,用于校正因微分求導引起的異常體在深度方向上的偏移一即微分求導獲得的異常特征進行深度校正,從而得到能基本反映實際異常體深度分布的結果,再進行電性異常體解釋。
[0028]具體實施時:
[0029]一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,它包括以下步驟:
[0030](I)、在待勘測的火山巖體分布區中,采用大地電磁儀獲取若干實測點視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的視電阻率曲線構成實測點分布特征剖面圖;實測點的區域范圍全面覆蓋并大于火山巖體的分布區,實測點的布設密度點距不大于1km,線距不大于3 km ;
[0031]將沿同一測線上各實測點的視電組率曲線的首頻點連成一條曲線,進行平滑處理,得到區域靜校正曲線,用平滑處理后的區域靜校正曲線上的數據對各實測點的視電阻率曲線進行靜校正處理,得到靜校正處理過的各視電阻率曲線;
[0032](2)、對各實測點的視電阻率曲線進行半定量計算,確定測區內的基底層和上覆層分布情況;
[0033]具體包括:
[0034]a、對各實測點的實測視電阻率曲線P 3進行積分求面積,計算前述面積的均值作為基底層電阻率Pb,單位Ω.m;
[0035]b、計算各實測點的表層電阻率作為相應實測點的上覆層電阻率P。,所述實測點表層電阻率是對該實測點視電阻率曲線的前3-5個點求均值獲??;
[0036]C、采用下述公式計算各實測點的總縱向電導S,
【權利要求】
1.一種采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,其特征是它包括以下步驟: (1)、在待勘測的火山巖體分布區中,采用大地電磁儀獲取若干實測點視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的視電阻率曲線構成實測點分布特征剖面圖; (2)、對各實測點的視電阻率曲線進行半定量計算,確定測區內的基底層和上覆層分布情況; (3)、計算各實測點的背景視電阻率曲線,將沿同一測線上各實測點的背景視電阻率曲線構成背景視電阻率的數據體; (4)、從實測點視電阻率曲線中消除背景視電阻率的數據體,獲得剩余視電阻率分布特征剖面圖,從而得到待勘測的火山巖體分布區地質體形態圖。
2.根據權利要求1所述的采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,其特征是步驟(1)中實測點的區域范圍全面覆蓋并大于火山巖體的分布區,實測點的布設密度點距不大于1km,線距不大于3km。
3.根據權利要求1所述的采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,其特征是步驟(2)具體為: (a)、對各實測點的實測視電阻率曲線P3進行積分求面積,計算前述面積的均值作為基底層電阻率Pb,單位Q -rn; (b)、計算各實 測點的表層電阻率作為相應實測點的上覆層電阻率P。,所述實測點表層電阻率是對該實測點視電阻率曲線的前3-5個點求均值獲??; (C)、采用下述公式計算各實測點的總縱向電導S,
4.根據權利要求3所述的采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,其特征是步驟(a)和(b)之間還包括:將沿同一測線上各實測點的視電組率曲線的首頻點連成一條曲線,進行平滑處理,得到區域靜校正曲線,用平滑處理后的區域靜校正曲線上的數據對各實測點的視電阻率曲線進行靜校正處理,得到靜校正處理過的各視電阻率曲線。
5.根據權利要求3所述的采用電性異常體提取技術在火山巖體分布區中勘測地質體形態的方法,其特征是步驟(C)中:對于實測點的實測電阻率曲線表現為多層曲線時,當其右側即長周期一端上升 時,用緊鄰上升段左側極小點處的f-和P _代入公式來計算S值。
【文檔編號】G01V3/38GK103760613SQ201410032071
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月23日 優先權日:2014年1月23日
【發明者】黃革, 顧錦才, 魏眾, 叢遠志, 尚兆林, 葉琪 申請人:中國石油化工集團公司, 中國石化集團華東石油局, 華東石油局第六物探大隊

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