国产自产21区,亚洲97,免费毛片网,国产啪视频,青青青国产在线观看,国产毛片一区二区三区精品

空隙配置構造體以及使用其的測定方法
【專利摘要】本發明是一種空隙配置構造體，其被用于以下方法，即通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對通過所述空隙配置構造體而散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，所述空隙配置構造體具有：第1主面、與所述第1主面對置的第2主面、以及在與所述第1主面以及所述第2主面垂直的方向上貫通的多個空隙部，所述第1主面上的所述空隙部的開孔面積比所述第2主面上的所述空隙部的開孔面積小。
【專利說明】空隙配置構造體以及使用其的測定方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及被用于被測定物的測定的空隙配置構造體以及使用其的測定方法。

【背景技術】
[0002]以往，為了分析物質的特性，使用以下測定方法:將被測定物保持在空隙配置構造體，對保持有該被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，解析其透射光譜等來檢測被測定物的特性。具體來講，例如舉例有:對附著在金屬網眼上的蛋白質等被測定物照射太赫茲波，并解析透射光譜的手法。
[0003]作為這種使用了電磁波的透射光譜的解析手法的現有技術，例如，在專利文獻
I(特開2007-010366號公報)中，公開了一種向保持有被測定物的空隙配置構造體(例如，網限狀的導體板)照射電磁波，對透過了空隙配置構造體的電磁波進行測定，基于測定值的頻率特性根據被測定物的存在而變化，來檢測被測定物的特性的方法。
[0004]另外，根據圖18(b)等的記載，專利文獻I中公開的空隙配置構造體假定空隙部的開口面積的表面與里面基本相同，形成空隙部的內壁面與空隙配置構造體的主面所成的角度為大致90度。
[0005]在這種情況下，若被測定物的量少，則頻率特性的變化極小，檢測變得困難。因此，依然希望提供用于實現測定靈敏度更優良的測定的測定設備。
[0006]在先技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2007-010366號公報


【發明內容】

[0009]本發明的目的在于，提供一種用于實現測定靈敏度比以往更加優良的測定的空隙配置構造體以及使用其的測定方法。
[0010]-解決課題的手段-
[0011]本發明如下。
[0012](I) 一種空隙配置構造體，其被用于以下方法，即通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，其特征在于，
[0013]所述空隙配置構造體具有--第I主面、與所述第I主面對置的第2主面、以及在與所述第I主面以及所述第2主面垂直的方向上貫通的多個空隙部，
[0014]所述第I主面上的所述空隙部的開孔面積比所述第2主面上的所述空隙部的開孔面積小。
[0015](2)根據上述⑴的空隙配置構造體，所述空隙配置構造體的第I主面與所述空隙部的至少一個內壁所成的角度為銳角。
[0016](3)根據上述(I)或者(2)的空隙配置構造體，所述第2主面上的所述空隙部的開孔面積相對于所述第I主面上的所述空隙部的開孔面積的比率為1.02?2.5。
[0017](4)根據上述(I)?(3)的任意一個的空隙配置構造體，所述第I主面上的所述空隙部的開孔是所述被測定物不能通過的大小，所述第2主面上的所述空隙部的開孔是所述被測定物能夠通過的大小。
[0018](5)根據上述(I)?(4)的任意一個的空隙配置構造體，所述空隙部的內壁具有凹部。
[0019](6) 一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，
[0020]該測定方法使用上述(I)的空隙配置構造體。
[0021](7) 一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，
[0022]該測定方法使用上述(2)的空隙配置構造體，在該空隙配置構造體的所述第I主面的附近保持所述被測定物。
[0023](8) 一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，
[0024]該測定方法使用上述(2)的空隙配置構造體，在該空隙配置構造體的所述第2主面的附近保持所述被測定物。
[0025](9) 一種測定方法，使用上述(4)的空隙配置構造體，通過使所述被測定物從所述空隙配置構造體的所述第2主面側向所述第I主面的方向移動，從而將所述被測定物保持在所述空隙配置構造體的至少一部分的所述空隙部。
[0026]-發明效果-
[0027]本發明的空隙配置構造體具有空隙部，該空隙配置構造體的第I主面上的空隙部的開孔面積比第2主面上的相同空隙部的開孔面積小。因此，在空隙配置構造體的第I主面與空隙部的內壁相接的部分附近，電磁場集中。其結果，由于空隙配置構造體的第I主面與空隙部的內壁相接的部分附近的被測定物的有無所導致的檢測電磁波的頻率特性的變化變大，因此測定靈敏度提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是用于對本發明的測定方法的概要進行說明的示意圖。
[0029]圖2是用于對本發明中使用的空隙配置構造體的結構進行說明的示意圖。
[0030]圖3是圖2的P-P’剖面處的示意剖視圖。
[0031]圖4是表示實施例1中的空隙配置構造體的設置狀態的示意圖。
[0032]圖5是表示通過實施例1得到的透射光譜的圖。

【具體實施方式】
[0033]首先，使用圖1對本發明的測定方法的一例的示意進行說明。圖1是示意性地表示用于本發明的測定方法的測定裝置的一例的整體結構的圖。該測定裝置對通過將從激光器
2(例如，短脈沖激光)照射的激光照射于半導體材料而產生的電磁波(例如，具有20GHz?120THz頻率的太赫茲波)脈沖加以利用。
[0034]在圖1的結構中，通過半透半反鏡20將從激光器2出射的激光分支為2個路徑。一方面，照射到電磁波產生側的光傳導元件71，另一方面，通過使用多個反射鏡21 (同樣功能的部件省略付與編號)，經由時間延遲工作臺26，照射到接收側的光傳導元件72。作為光傳導元件71、72，能夠使用在LT-GaAs (低溫生長GaAs)形成具備間隙部的偶極天線(diploeantenna)的一般性部件。此外，作為激光器2，能夠使用光纖型激光器、使用了鈦寶石等固體的激光器等。進一步地，在電磁波的產生、檢測中，也可以在沒有天線的情況下使用半導體表面，或者使用ZnTe結晶的各種電光學結晶。這里，通過電源3，對作為產生側的光傳導元件71的間隙部施加適當的偏置電壓。
[0035]產生出的電磁波通過拋物面反射鏡22成為平行波束，并通過拋物面反射鏡23，照射到空隙配置構造體I。透過了空隙配置構造體I的太赫茲波通過拋物面反射鏡24、25，被光傳導兀件72接收。被光傳導兀件72接收的電磁波信號在通過放大器(amplifier) 6而被增幅之后，通過鎖相放大器(lock-1n amplifier)4而被獲取為時間波形。然后，在通過包含計算單元的PC (個人計算機)5，進行了傅立葉變換等信號處理之后，計算空隙配置構造體I的透過率光譜等。為了被鎖相放大器4獲取，則通過振蕩器8的信號，對施加在產生側的光傳導元件71的間隙的來自電源3的偏置電壓進行調制(振幅5V?30V)。由此，通過進行同步檢波，能夠使S/N比提高。
[0036]以上所說明的測定方法是一般被稱為太赫茲時間區域分光法(THz-TDS)的方法。另外，除了 THz-TDS，也可以使用傅立葉變換紅外分光法(FT-1R)。
[0037]在圖1中，表示散射透射的情況，即對電磁波的透過率進行測定的情況。在本發明中，所謂“散射”，是指包含作為前方散射的一方式的透射、作為后方散射的一方式的反射等的廣義的概念，優選是透射、反射。更優選是O次方向的透射、O次方向的反射。
[0038]另外，一般來講，在將衍射光柵的光柵間隔設為S，將入射角設為i，將衍射角設為Θ，將波長設為λ時，通過衍射光柵而被衍射的光譜可以表示為
[0039]s (sin i_sin θ ) = η λ...(I)
[0040]上述“O次方向”的O次是指上述式⑴的η為O的情況。由于s以及λ不能為O,因此η = O成立的只能是sin 1-sin θ = O的情況。因此,上述“O次方向”是指入射角與衍射角相等時，也就是說電磁波的行進方向不變的方向。
[0041]本發明中使用的電磁波只要是根據空隙配置構造體的結構能夠產生散射的電磁波即可，并不被特別限定，能夠使用電波、紅外線、可見光線、紫外線、X射線、伽馬射線等任意一個，其頻率也不被特別限定，但優選是IGHz?ΙΡΗζ，更優選是具有20GHz?200THz頻率的太赫茲波。
[0042]電磁波能夠使用例如，具有規定的極化方向的直線偏振光的電磁波(直線極化)、無偏振光的電磁波(無極化)。作為直線偏振光的電磁波，舉例有例如:以短脈沖激光器為光源，通過ZnTe等電光學結晶的光整流效應而產生的太赫茲波、從半導體激光器出射的可見光、從光傳導天線放射的電磁波等。作為無偏振光的電磁波，舉例有:從高壓水銀燈、陶瓷燈放射的紅外光等。
[0043]在本發明中，所謂對被測定物的有無或者量進行測定，是指進行作為被測定物的化合物的定量，舉例有例如:對溶液中等的微量被測定物的含有量進行測定的情況、進行被測定物的鑒定的情況等。
[0044](空隙配置構造體)
[0045]本發明的空隙配置構造體的特征在于具有:第I主面；與第I主面對置的第2主面、以及在與第I主面以及第2主面垂直的方向上貫通的多個空隙部，
[0046]所述第I主面中的所述空隙部的開孔面積比所述第2主面中的所述空隙部的開孔面積小。
[0047]例如，多個該空隙部被周期性地配置在空隙配置構造體的主面上的至少一個方向。但是，空隙部可以全部被周期性地配置，也可以在不損害本發明的效果的范圍內，一部分的空隙部被周期性地配置，其他的空隙部被非周期性地配置。
[0048]空隙配置構造體優選是準周期構造體、周期構造體。所謂準周期構造體，是指雖然不具有并排對稱性但是排列上保持秩序性的構造體。作為準周期構造體，例如，作為一維準周期構造體舉例有斐波那契結構、作為二維準周期構造體舉例有Penrose結構。所謂周期構造體，是指具有以并排對稱性為代表的各種空間對稱性的構造體，根據其對稱的維度，分類為一維周期構造體、二維周期構造體、三維周期構造體。一維周期構造體舉例有例如，線柵結構、一維衍射光柵等。二維周期構造體舉例有例如，網孔過濾器、二維衍射光柵等。在這些周期構造體中，二維周期構造體被適當地使用。
[0049]作為二維周期構造體，舉例有例如，圖2所示的空隙部以一定的間隔配置為矩陣狀的板狀構造體(柵格狀構造體)。圖2(a)所示的空隙配置構造體I從其主面1a側來看，是正方形的空隙部11在與該正方形的各邊平行的2個排列方向(圖中的縱向和橫向)上以相等的間隔被設置的板狀構造體。
[0050]空隙配置構造體的第I主面與空隙部的至少一個內壁所成的角度優選是銳角。這里，所謂“至少一個內壁”，是指構成空隙部的內壁的面中的一個。因此，不僅存在空隙配置構造體的第I主面與內壁相交的部分是尖的的情況，在該部分也可以形成R(曲面)。另外，通過形成R，能夠抑制該部分的破損等，能夠使空隙配置構造體的強度提高。
[0051]作為這種特定的剖面處的空隙部的剖面形狀，雖然并不特別限定，但舉例有例如:梯形、大致梯形的形狀。若設為其它的表現，則例如舉例有，從空隙配置構造體的第I主面側(開孔面積小的一側)向第2主面側(開孔面積大的一側)，上述空隙部變寬的形狀。另夕卜，空隙配置構造體的第I主面與空隙部的至少一個內壁所成的角度例如能夠通過觀察與空隙構造體的主面垂直的剖面來確認。
[0052]針對圖2所示的本發明的空隙配置構造體的一個例子，在圖3中表示圖2的P-P’剖面處的示意剖視圖。如圖3所示，空隙部的剖面形狀幾乎為梯形。這里，空隙配置構造體I的第I主面(圖3的上側)的空隙部11的孔尺寸dl比第2主面(圖的下側)的空隙部
11的孔尺寸d2小。也就是說，空隙配置構造體I的第I主面1al上的空隙部11的開孔面積比空隙配置構造體I的第2主面10a2上的相同空隙部11的開孔面積小。
[0053]第2主面上的空隙部的開孔面積相對于第I主面上的空隙部的開孔面積的比率(開孔面積比率)優選為1.02?2.5。由于若該開孔面積比率變大，則需要縮小第I主面的開孔，因此空隙配置構造體整體的電磁波的透過率降低。由于透過率的降低導致測定精度的降低，因此為了將透過率的降低率的變化量抑制在大約10%以下，需要將上述開孔面積比率設為2.5以下。另外，該關系例如是對于第I主面的孔尺寸為1.8 μ m、第2主面的孔尺寸為1.8μπι(比率為1:1)的空隙配置構造體，在將從第2主面側的法線方向照射電磁波時的透過率光譜中的最大透過率設為初始值(100% )時，分析下述空隙配置構造體的同樣的最大透過率相對于上述初始值的比率)與此時的開孔面積比率之間的關系而得到的，其中，該空隙配置構造體使第I主面的孔尺寸在1.3?1.8 μ m的范圍變化，使第2主面的孔尺寸在1.8?2.3μπι的范圍。此外，若開孔面積比率小于1.02，則測定靈敏度的提高很小(誤差范圍內)，不能達到本發明的效果。
[0054]此外，優選第I主面上的空隙部的開孔是被測定物不能通過的大小，第2主面上的空隙部的開孔是被測定物能夠通過的大小。在該情況下，通過使被測定物從空隙配置構造體的第2主面側向第I主面的方向移動(例如，使其流動)，能夠將被測定物保持在空隙配置構造體的至少一部分的空隙部，能夠在空隙部內穩定地捕捉被測定物并進行測定。
[0055]此外，在圖3所示的與空隙配置構造體I的第I主面1al垂直的剖面(Ρ_Ρ’剖面)，空隙配置構造體I的第I主面1al與空隙部11的內壁Ila所成的角度Ψ為銳角。
[0056]在空隙配置構造體I的空隙部11的形狀如此的情況下，在空隙配置構造體I的第I主面1al與空隙部11的內壁Ila相接的部分附近，能夠使照射的電磁波的電磁場的局部增大。其結果，由于空隙配置構造體的第I主面與空隙部的內壁相接的部分附近的被測定物的有無所導致的檢測電磁波的頻率特性的變化變大，因此能夠使測定靈敏度提高。也就是說，即使在被測定物的量少的情況下，也能夠進行高靈敏度的測定。
[0057]其中，由于在將被測定物保持在開孔面積大的第2主面附近的情況下，成為在電磁場的漏磁大的區域進行測定，因此得到另一優點，即也能夠測定更大的被測定物。
[0058]優選空隙部11的內壁Ila具有凹部。換言之，優選內壁Ila構成為向空隙部11的外側描繪鼓起的曲線。由此，更容易在空隙部11內捕捉被測定物。
[0059]空隙配置構造體的空隙部的尺寸、配置、空隙配置構造體的厚度等并未被特別限制，根據測定方法、空隙配置構造體的材質特性、使用的電磁波的頻率等而被適當地設計。
[0060]例如，在如圖2(a)所示那樣，有規則地縱橫配置有空隙部的空隙配置構造體I中，圖2(b)中由d所示的空隙部的孔尺寸(電磁波被照射一側的開孔部的尺寸)優選為用于測定的電磁波的波長的十分之一以上、10倍以下。這樣，散射的電磁波的強度變得更強，更容易檢測信號。具體的孔尺寸優選為0.15?150μπι，從測定靈敏度提高的觀點出發，優選孔尺寸為0.9?9μπι。
[0061]此外，空隙部的被照射電磁波一側的開孔面積優選為0.0225?22500 μ m2，更優選為 0.81 ?81 μ m2。
[0062]此外，在如圖2(a)所示那樣，有規則地縱橫配置有空隙部的空隙配置構造體I中，圖2(b)中由s所示的空隙部的柵格間隔(間距)優選為用于測定的電磁波的波長的十分之一以上、10倍以下。這樣，更容易產生散射。具體的柵格間隔優選為0.15?150 μ m，從測定靈敏度提高的觀點出發，優選柵格間隔為1.3?13μπι。
[0063]此外，空隙配置構造體的厚度優選為用于測定的電磁波的波長的5倍以下。這樣，散射的電磁波的強度變得更強，更容易檢測信號。
[0064]這里，雖然根據被測定物的介電常數、形狀，照射的電磁波的最佳波長(得到高測定靈敏度的波長)有所不同，但例如在被測定物是平板狀的試料的情況下，一般若介電常數相同，則存在被測定物的厚度越薄，照射的電磁波的最佳波長越短的趨勢，據此，縮小電磁波被照射的一側的柵格間隔、空隙部的開孔面積，能夠得到更高的測定靈敏度。此外，例如在被測定物為粒子狀的試料的情況下，一般若介電常數相同，則存在被測定物的粒徑越小，照射的電磁波的最佳波長越短的趨勢，據此，縮小電磁波別照射的一側的柵格間隔、空隙部的開孔面積，能夠得到更高的測定靈敏度。
[0065]空隙配置構造體的整體尺寸并未被特別限定，根據照射的電磁波的射束點的面積等而被決定。
[0066]優選空隙配置構造體的至少一部分的表面由導體形成。所謂空隙配置構造體I的至少一部分的表面，是指圖2(a)所示的主面10a、側面10b、空隙部的內壁Ila中的任意一個的一部分表面。
[0067]這里，所謂導體，是指讓電通過的物體(物質)，不僅是金屬，也包含半導體。作為金屬，能夠舉例有:能夠與具有羥基、硫醇基、羧基等官能團的化合物的官能團偶合的金屬、能夠將羥基、胺基等官能團涂敷在表面的金屬、以及這些金屬的合金。具體來講，舉例有:金、銀、銅、鐵、鎳、鉻、硅、鍺等，優選為金、銀、銅、鎳、鉻，更優選為金、鎳。在使用金、鎳的情況下，特別是在主分子具有硫醇基(-SH基)的情況下，由于使用該硫醇基能夠使主分子與空隙配置構造體的表面偶合，因此有利。此外，在使用鎳的情況下，特別是在主分子具有甲硅烷基的情況下，由于使用該甲硅烷基，能夠使主分子與空隙配置構造體的表面偶合，因此有利。此外，作為半導體，例如舉例有:IV族半導體^66等)、I1-VI族半導體(ZnSe、CdS、ZnO等)、II1-V族半導體(GaAs、InP、GaN等)、IV族化合物半導體(SiC、SiGe等)、1-1I1-VI族半導體(CuInSe2等)等化合物半導體、有機半導體。
[0068]在本發明中，作為將被測定物保持在空隙配置構造體的方法，能夠使用各種公知的方法，例如，可以直接附著在空隙配置構造體，也可以經由支撐膜等來附著。從提高測定靈敏度、通過抑制測定的差別來進行再現性高的測定的觀點出發，優選使被測定物直接附著在空隙配置構造體的表面。
[0069]作為使被測定物直接附著在空隙配置構造體的情況，不僅包含在空隙配置構造體的表面與被測定物之間直接形成化學鍵等的情況，也包含對于預先在表面偶合主分子的空隙配置構造體，將該主分子與被測定物偶合的情況。作為化學鍵，舉例有:共價鍵(例如，金屬-硫醇基之間的共價鍵等)、范德瓦爾鍵、離子鍵、金屬鍵、氫鍵等，優選為共價鍵。此外，所謂主分子，是指能夠奇特地與被測定物鍵合的分子等，作為主分子與被測定物的組合，例如舉例有:抗原與抗體、糖鏈與蛋白質、脂質與蛋白質、低分子化合物(配合基)與蛋白質、蛋白質與蛋白質、單鏈DNA與單鏈DNA等。
[0070]在本發明的測定方法中，基于與如上所述那樣求出的空隙配置構造體中散射的電磁波的頻率特性相關的至少一個參數，被測定物的特性被測定。例如，在空隙配置構造體I中，基于前方散射(透過)的電磁波的頻率特性所產生的波谷波形、后方散射(反射)的電磁波的頻率特性所產生的波峰波形等根據被測定物的存在而變化，能夠測定被測定物的特性。
[0071]這里，所謂波谷波形，是指在檢測出的電磁波相對于照射的電磁波的比率(例如，電磁波的透過率)相對大的頻率范圍，在空隙配置構造體的頻率特性(例如，透過率光譜)被部分看到的谷型(向下凸)部分的波形。此外，所謂波峰波形，是指在檢測出的電磁波相對于照射的電磁波的比率(例如，電磁波的反射率)相對小的頻率范圍，在空隙配置構造體的頻率特性(例如，反射率光譜)被部分看到的山型(向上凸)波形。
[0072]實施例
[0073]下面，舉例實施例來更詳細地說明本發明，但本發明并不僅限于這些。
[0074](實施例1)
[0075]作為空隙配置構造體，使用圖2所示的具有各種正方形孔的正方柵格排列的空隙配置構造體。柵格間隔為260 μ m(s)，厚度為60 μ m(t)。此外，該空隙配置構造體中的空隙部的形狀如圖3所示，圖2的P-P’剖面處的空隙部的剖面形狀幾乎是梯形。此外，第I主面1al側的孔尺寸dl為160 μ m，第2主面1a兩側的孔尺寸d2為200 μ m。
[0076]對于使膜厚為4 μ m、復數折射率的實部為1.55、復數折射率的虛部為O的平行平板試料(被測定物)與空隙配置構造體I的第I主面1al側緊貼，針對從第I主面1al側(圖3的Z軸的箭頭方向)照射電磁波的情況，求出電磁波的透過率光譜。
[0077]計算是針對在隔著600 μ m的間隔而配置的2枚板91、92的中間設置有空隙配置構造體I的模型(參照圖4)，使用電磁場模擬裝置(Micro-stripes:CST社制)來進行的。被照射在空隙配置構造體I的電磁波的偏振光是直線偏振光(與圖2的Y軸平行)，行進方向是Z軸的箭頭方向。此外，空隙配置構造體I被配置為其主面與電磁波的行進方向(Z軸方向)垂直(也就是說，圖4的Θ = 0度)。
[0078]圖5中表示通過計算而得出的透過率光譜。圖5的實線是在空隙配置構造體未保持被測定物的情況下的透過率光譜，虛線是在空隙配置構造體保持被測定物的情況下的透過率光譜。在圖5中，透過率光譜中出現波峰的頻率的差(頻率偏移量)為30.8IGHz0
[0079](比較例I)
[0080]作為比較例1，是針對空隙配置構造體I的第I主面1al側的孔尺寸dl與第2主面1a兩側的孔尺寸d2相同的情況(dl = d2的情況:空隙部的剖面形狀為長方形的情況)，與實施例1同樣地，使用電磁場模擬裝置來求出透過率光譜。另外，針對dl以及d2都是160 μ m的情況、都是180 μ m的情況、都是200 μ m的情況這3種情況，求出未保持被測定物的情況與保持被測定物的情況下的透過率光譜(未圖示)，并求出頻率偏移量。
[0081]其結果，dl以及d2都是160 μ m的情況下的頻率偏移量為29.0OGHz，都是180 μ m的情況下的頻率偏移量為29.91GHz，都是200 μ m的情況下的頻率偏移量為28.09GHz。
[0082]根據實施例1以及比較例I的結果可知，由于空隙配置構造體的第I主面上的開孔面積與第2主面上的開孔面積不同，因此頻率偏移量變大，測定靈敏度提高。此外，根據實施例1以及比較例I的結果可知，由于空隙配置構造體的第I主面與空隙部的內壁所成的角度為銳角，因此頻率偏移量變大，測定靈敏度提高。
[0083]應該認為這次公開的實施方式以及實施例的全部方面都是示例，并不限定于此。本發明的范圍包含不是上述所說明的，而是通過權利要求所示的、與權利要求均等的含義以及范圍內的所有變更。
[0084]-符號說明-
[0085]I空隙配置構造體，1a主面，1al第I主面，10a2第2主面，1b側面，1c外周，11空隙部，Ila內壁，2激光器，20半透半反鏡，21反射鏡，22、23、24、25拋物面反射鏡，26時間延遲工作臺，3電源，4鎖相放大器，5PC(個人計算機)，6放大器，71、72光電導元件，8振蕩器，91、92板。
【權利要求】
1.一種空隙配置構造體，其被用于以下方法，即:通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，所述空隙配置構造體的特征在于， 具有:第I主面、與所述第I主面對置的第2主面、以及在與所述第I主面以及所述第2主面垂直的方向上貫通的多個空隙部， 所述第I主面上的所述空隙部的開孔面積比所述第2主面上的所述空隙部的開孔面積小。
2.根據權利要求1所述的空隙配置構造體，其中， 所述空隙配置構造體的第I主面與所述空隙部的至少一個內壁所成的角度為銳角。
3.根據權利要求1或者2所述的空隙配置構造體， 所述第2主面上的所述空隙部的開孔面積相對于所述第I主面上的所述空隙部的開孔面積的比率為1.02?2.5。
4.根據權利要求1?3的任意一項所述的空隙配置構造體， 所述第I主面上的所述空隙部的開孔是所述被測定物不能通過的大小，所述第2主面上的所述空隙部的開孔是所述被測定物能夠通過的大小。
5.根據權利要求1?4的任意一項所述的空隙配置構造體， 所述空隙部的內壁具有凹部。
6.一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，其中 該測定方法使用權利要求1所述的空隙配置構造體。
7.一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，其中， 該測定方法使用權利要求2所述的空隙配置構造體，在該空隙配置構造體的所述第I主面的附近保持所述被測定物。
8.一種測定方法，通過對保持有被測定物的空隙配置構造體照射電磁波，并對在所述空隙配置構造體散射的電磁波的頻率特性進行檢測，從而測定所述被測定物的特性，其中， 該測定方法使用權利要求2所述的空隙配置構造體，在該空隙配置構造體的所述第2主面的附近保持所述被測定物。
9.一種測定方法，其中， 使用權利要求4所述的空隙配置構造體，通過使所述被測定物從所述空隙配置構造體的所述第2主面側向所述第I主面的方向移動，從而將所述被測定物保持在所述空隙配置構造體的至少一部分的所述空隙部。
【文檔編號】G01N21/3586GK104380083SQ201380032034
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年7月3日 優先權日:2012年7月27日
【發明者】近藤孝志, 神波誠治, 小川雄一 申請人:株式會社村田制作所